9月7日，2017年北京微電子國(guó)際研討會(huì)召開，來自工信部、大基金、中科院、清華大學(xué)、中芯國(guó)際等單位的多位重磅嘉賓出席并發(fā)表精彩演講，涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、裝備材料等多環(huán)節(jié)，并重點(diǎn)交流了AI和新能源汽車電子領(lǐng)域，招商證券整理了11個(gè)精彩報(bào)告的核心觀點(diǎn)，編者選擇了其中3個(gè)進(jìn)行分享。

中芯國(guó)際CEO趙海軍對(duì)半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，以及集成電路的應(yīng)用領(lǐng)域和中國(guó)在半導(dǎo)體制造方面需要扮演的角色進(jìn)行了解讀。

一、半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

摩爾定律現(xiàn)在還在繼續(xù)發(fā)展，EUV將在7nm形成主流，EUV變化非常大，很多環(huán)節(jié)都要重新開始，變化來的太快。28納米工藝如果到7納米，性能可以增長(zhǎng)68%，如此巨大的增長(zhǎng)，很多Foundry一定會(huì)去做。做制造時(shí)間非常重要，F(xiàn)oundry一定要在接到訂單60之內(nèi)從把硅片交出去，后續(xù)還要做封裝測(cè)試這些東西，大概需要一個(gè)月，這樣正好一個(gè)季度。EUV最大的優(yōu)點(diǎn)是可以20多天出廠，而用其他工藝要80多天，做大生產(chǎn)必須要用到EUV。

圖1：專注生產(chǎn)大技術(shù)

資料來源：招商證券，2017北京微電子研討會(huì)

二、為什么一定要用FinFET？

制造過程中，消耗面積最大的是晶體管溝道長(zhǎng)度而不是寬度，如果能將長(zhǎng)度折疊，就可以節(jié)省面積。比如之前12T面積，現(xiàn)在垂直方向可做6T，溝道占用面積小，就可以把溝道做的寬一點(diǎn)。FinFET的10nm，實(shí)際溝道20nm，跟3D Nand Flash很像，工藝一直做到3.2nm無需大的改變。未來如果真要做IoT，做低功耗，最好是用FinFET。
?

IoT應(yīng)用少量多樣

資料來源：招商證券，2017北京微電子研討會(huì)

三、集成電路新應(yīng)用領(lǐng)域：元件、端、系統(tǒng)、霧、霾、云

國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)公司有1300~1400家，實(shí)際大約五六百家。一般發(fā)展流程是是先低端搶市場(chǎng)，形成規(guī)模之后有了市場(chǎng)份額之后開始做終端，毛利率比較高，上市后再做高端做品牌。EDA軟件發(fā)展迅速，系統(tǒng)公司都能做芯片，蘋果公司、三星、華為、小米公司也都能做芯片。將來需求量最大是做終端，霧端、云端的系統(tǒng)公司，是蘋果、谷歌、亞馬遜、百度、阿里巴巴這種公司。

資料來源：招商證券，2017北京微電子研討會(huì)

5G的需求從數(shù)據(jù)量的存儲(chǔ)來講，是非常必要的，解決了一瞬間相當(dāng)大量的數(shù)據(jù)傳輸?shù)膯栴}，5G將來一定會(huì)大發(fā)展。

四、中國(guó)一定要建自己的世界級(jí)Foundry

根據(jù)推進(jìn)綱，中國(guó)整個(gè)Foundry要每年成長(zhǎng)20%。在先進(jìn)的FinFET技術(shù)節(jié)點(diǎn)一次性投入10億美元的研發(fā)經(jīng)費(fèi)，并且分擔(dān)到生產(chǎn)廠里面，把錢投入下一代的技術(shù)研發(fā)里面，這樣才能夠持續(xù)發(fā)展。中芯國(guó)際現(xiàn)在全國(guó)都有布局，并且也已實(shí)現(xiàn)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈打通，在創(chuàng)新方面做了巨大的投資，在專利申請(qǐng)各方面都是中國(guó)前五，在半導(dǎo)體行業(yè)是最大的專利申請(qǐng)和獲得單位。