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      fram簡(jiǎn)介

      　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

      　　特點(diǎn)

      　　FRAM的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問(wèn)題；但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問(wèn)（讀）次數(shù)的限制。

      　　FRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

      　　FRAM的存儲(chǔ)單元主要由電容和場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，但這個(gè)電容不是一般的電容，在它的兩個(gè)電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個(gè)存儲(chǔ)單元使用2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管和2個(gè)電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個(gè)存儲(chǔ)單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位

      fram百科

      　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

      　　特點(diǎn)

      　　FRAM的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問(wèn)題；但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問(wèn)（讀）次數(shù)的限制。

      　　FRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

      　　FRAM的存儲(chǔ)單元主要由電容和場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，但這個(gè)電容不是一般的電容，在它的兩個(gè)電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個(gè)存儲(chǔ)單元使用2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管和2個(gè)電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個(gè)存儲(chǔ)單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位

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      fram知識(shí)

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      fram技術(shù)

      一文解析鐵電存儲(chǔ)器使用及工作原理

      一文解析鐵電存儲(chǔ)器使用及工作原理

      FRAM存儲(chǔ)器操作經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，以使在開關(guān)電容器中感應(yīng)出的電荷至少是未開關(guān)電容器可用電荷的兩倍。

      2021-01-21 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器fram 2.2萬(wàn) 0

      鐵電存儲(chǔ)器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

      鐵電存儲(chǔ)器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

      1、鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用 美國(guó)Ramtron公司鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體...

      2021-01-13 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu存儲(chǔ)器 1.8萬(wàn) 0

      通過(guò)利用 BQ25570 PMIC啟動(dòng)能量采集

      通過(guò)利用 BQ25570 PMIC啟動(dòng)能量采集

      物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)必須在不更換一次電池的情況下運(yùn)行數(shù)年才能最大程度地減少維護(hù)工作。對(duì)于某些類型的系統(tǒng)，節(jié)點(diǎn)只需要很少的電池電量，而依賴于能量采集器來(lái)滿足長(zhǎng)期電力...

      2018-08-10 標(biāo)簽：sramframBQ25570 1.5萬(wàn) 0

      富士通如何在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上滿足“定制化”需求？

      各種系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器讀寫速度、可重復(fù)讀寫次數(shù)、讀寫功耗、安全性以及對(duì)供電的要求都各不相同，存儲(chǔ)技術(shù)正在走向細(xì)分……

      2017-09-04 標(biāo)簽：framreramNRAM 1.3萬(wàn) 1

      關(guān)于SoC組成部分之一的嵌入式存儲(chǔ)器，這些技術(shù)原理您都知道嗎？

      隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模...

      2017-12-26 標(biāo)簽：socfram嵌入式存儲(chǔ)器 1.3萬(wàn) 0

      集合了ROM和RAM優(yōu)點(diǎn)的FRAM存儲(chǔ)器，根據(jù)接口不同又有哪些特點(diǎn)呢？

      集合了ROM和RAM優(yōu)點(diǎn)的FRAM存儲(chǔ)器，根據(jù)接口不同又有哪些特點(diǎn)呢？

      FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點(diǎn)呢？

      2017-09-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器fram 1.1萬(wàn) 0

      MSP430 FRAM業(yè)界最低功耗的MCU

      MSP430 (3) 超低功耗FRAM

      2018-08-14 標(biāo)簽：mcumsp430fram 1.0萬(wàn) 0

      獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些？

      獨(dú)立FRAM存儲(chǔ)器方案設(shè)計(jì),特點(diǎn)有哪些？

      FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRA...

      2017-09-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器fram 1.0萬(wàn) 0

      鐵電存儲(chǔ)器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

      鐵電存儲(chǔ)器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

      鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。

      2024-01-23 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)器fram 9.5k 0

      為什么說(shuō)FRAM是支持EV的主要系統(tǒng)存儲(chǔ)的關(guān)鍵原件？

      為什么說(shuō)FRAM是支持EV的主要系統(tǒng)存儲(chǔ)的關(guān)鍵原件？

      自動(dòng)駕駛的核心技術(shù)與高性能存儲(chǔ)器要求，車載電子的所有子系統(tǒng)（傳感器，攝像機(jī)，CAN通信，GPS，車載HMI）實(shí)時(shí)和持續(xù)地存儲(chǔ)當(dāng)前狀態(tài)信息進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，記...

      2017-09-16 標(biāo)簽：汽車電子存儲(chǔ)器fram 7.7k 0

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      fram資訊

      FRAM 或是目前選用存儲(chǔ)器的最佳選擇

      選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性，以...

      2018-06-02 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器單芯片fram 1.5萬(wàn) 0

      富士通分享三大存儲(chǔ)技術(shù) 各具獨(dú)特堪稱黑馬技術(shù)

      富士通分享三大存儲(chǔ)技術(shù) 各具獨(dú)特堪稱黑馬技術(shù)

      “FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）用于數(shù)據(jù)記錄；NRAM（碳納米管存儲(chǔ)）用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存， 還可替代NOR Flash；ReRAM（電阻式記憶體）可替代大容...

      2018-05-04 標(biāo)簽：framreram非易失性存儲(chǔ)器 1.2萬(wàn) 0

      帶你了解最熱門的三款FRAM產(chǎn)品

      帶你了解最熱門的三款FRAM產(chǎn)品

      這兒有最最最最最熱門的三款FRAM產(chǎn)品。

      2017-08-22 標(biāo)簽：icfram 9.4k 1

      fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

      鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存...

      2020-12-03 標(biāo)簽：fram鐵電存儲(chǔ)器 8.3k 0

      2018汽車電子如何突破？這三大維度值得關(guān)注

      2017下半年，伴隨業(yè)界關(guān)注已久的《乘用車企業(yè)平均燃料消耗量與新能源汽車積分并行管理辦法》（簡(jiǎn)稱“雙積分辦法”）正式發(fā)布，眾多中外車企都面臨了更為迫切的...

      2018-01-18 標(biāo)簽：汽車電子framadas 7.6k 0

      兩個(gè)MCU之間快速傳輸數(shù)據(jù)的，常用方法

      一、MCU之間通信的主要方式 1、采用硬件UART進(jìn)行異步串行通信 這是一種占用口線少，有效、可靠的通信方式；但遺憾的是許多小型單片機(jī)沒(méi)有硬件UART，...

      2023-02-05 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu數(shù)據(jù) 7.1k 0

      各大半導(dǎo)體企業(yè)會(huì)帶來(lái)哪些驚喜呢？

      各大半導(dǎo)體企業(yè)會(huì)帶來(lái)哪些驚喜呢？

      富士通繼電器支持從PV到智能電網(wǎng)等各種綠色應(yīng)用，其中FTR-E1系列為DC450V 20A，適用于PV能源DC充電；FTR-K1系列為AC240V 32...

      2018-03-27 標(biāo)簽：繼電器半導(dǎo)體FRAM 6.4k 0

      富士通半導(dǎo)體推出低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM MB85RC16

      富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)...

      2012-11-27 標(biāo)簽：FRAM存儲(chǔ)芯片富士通半導(dǎo)體 6.4k 2

      FRAM憑三大優(yōu)勢(shì)如何進(jìn)軍三大目標(biāo)市場(chǎng)？

      作為系統(tǒng)關(guān)鍵組成部分，存儲(chǔ)性能至關(guān)重要。各種系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器讀寫速度、可重復(fù)讀寫次數(shù)、讀寫功耗、安全性以及對(duì)供電的要求都各不相同，存儲(chǔ)技術(shù)正在走向細(xì)分。

      2018-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體FRAM 6.1k 0

      “人命關(guān)天”——FRAM在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用現(xiàn)狀

      在最近熱映的影片《環(huán)太平洋》中，面對(duì)怪獸的沖擊波，采用數(shù)字電路控制的機(jī)甲戰(zhàn)士瞬間就癱瘓了，而只有模擬電路扛了下來(lái)。這可以形象地用來(lái)說(shuō)明，電子元器件能否抗...

      2013-08-13 標(biāo)簽：醫(yī)療電子FRAM 5.8k 0

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      fram數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • 云儲(chǔ)存
        云儲(chǔ)存
        +關(guān)注
        云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
      • 富士通
        富士通
        +關(guān)注
        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
      • 3d nand
        3d nand
        +關(guān)注
        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
      • 江波龍
        江波龍
        +關(guān)注
      • 非易失性存儲(chǔ)器
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        +關(guān)注
        非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        合肥長(zhǎng)鑫
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        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
      • NOR flash
        NOR flash
        +關(guān)注
        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
      • nvme
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        +關(guān)注
        NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
      • 福建晉華
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        +關(guān)注
      • SRAM存儲(chǔ)器
        SRAM存儲(chǔ)器
        +關(guān)注
        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
      • 3D NAND Flash
        3D NAND Flash
        +關(guān)注
      • 西數(shù)
        西數(shù)
        +關(guān)注
      • 4K視頻
        4K視頻
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      • 東芝公司
        東芝公司
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      • Arasan
        Arasan
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      • SQL Server
        SQL Server
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      • 手機(jī)內(nèi)存
        手機(jī)內(nèi)存
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      • 嵌入式閃存
        嵌入式閃存
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      • 3DXPoint
        3DXPoint
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      • Intel公司
        Intel公司
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      • 存儲(chǔ)行業(yè)
        存儲(chǔ)行業(yè)
        +關(guān)注
      • 快閃存儲(chǔ)器
        快閃存儲(chǔ)器
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      • nosql
        nosql
        +關(guān)注
        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
      • 云盤
        云盤
        +關(guān)注
        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
      • 安博會(huì)
        安博會(huì)
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      • V-NAND
        V-NAND
        +關(guān)注
      • FORESEE
        FORESEE
        +關(guān)注
        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
      • 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
        長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
        +關(guān)注
        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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