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      標(biāo)簽　>　GAA

      GAA

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      半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后，每一步都?xì)v盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來(lái)了全新的GAA工藝；而5nm之后的時(shí)代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。

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      GAA簡(jiǎn)介

      　　半導(dǎo)體工藝制程在進(jìn)入32nm以下的節(jié)點(diǎn)后，每一步都?xì)v盡艱辛，傳統(tǒng)的工藝技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又帶來(lái)了全新的GAA工藝；而5nm之后的時(shí)代，全新GAA技術(shù)有望延續(xù)現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)路線的壽命。

      　　目前臺(tái)積電、三星、Intel、格芯量產(chǎn)的先進(jìn)工藝普遍是基于FinFET鰭式晶體管的；但是在5nm之后，F(xiàn)inFET幾乎已經(jīng)達(dá)到了物理極限，其不斷拉高的深度和寬度之比（為了避免短溝道效應(yīng)，鰭片的寬度應(yīng)該小于柵極長(zhǎng)度的0.7倍），將使得鰭片難以在本身材料內(nèi)部應(yīng)力的作用下維持直立形態(tài)。

      　　業(yè)內(nèi)各大廠商和著名的研究機(jī)構(gòu)都提出了自己的看法。其中一種比較主流的方式被稱作Gate-All-Around環(huán)繞式柵極技術(shù)，簡(jiǎn)稱為GAA橫向晶體管技術(shù)，也可以被稱為GAAFET。在應(yīng)用了GAA技術(shù)后，業(yè)內(nèi)估計(jì)基本上可以解決3nm乃至以下尺寸的半導(dǎo)體制造問(wèn)題。

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      gaa技術(shù)

      GAA器件集成工藝與關(guān)鍵挑戰(zhàn)

      GAA器件集成工藝與關(guān)鍵挑戰(zhàn)

      GAA，一般指全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。下面簡(jiǎn)單介紹一下GA...

      2023-08-22 標(biāo)簽：工藝晶體管FET 1.1萬(wàn) 0

      數(shù)字后端先進(jìn)工藝知識(shí)科普

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      DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進(jìn)工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù)，先進(jìn)工...

      2023-12-01 標(biāo)簽：MOS管FinFET數(shù)字后端 3574 0

      遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

      遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

      為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...

      2023-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子FET 2661 0

      芯片工程師，是時(shí)候了解GAA晶體管了

      雖然只有12年的歷史，但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開(kāi)始，它們將被環(huán)柵 (GAA)取代，預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。

      2023-04-18 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 2266 0

      泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕方法：Argos、Prevos和Selis

      微縮（即縮小芯片中的微小器件，如晶體管和存儲(chǔ)單元）從來(lái)都不是容易的事情，但要想讓下一代先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件成為現(xiàn)實(shí)，就需要在原子級(jí)的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。當(dāng)...

      2023-01-31 標(biāo)簽：集成電路存儲(chǔ)器泛林集團(tuán) 931 0

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      背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

      背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)介紹

      最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開(kāi)發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。

      2023-07-26 標(biāo)簽：DRAM晶體管NAND閃存 4613 0

      Q1半導(dǎo)體設(shè)備廠商財(cái)報(bào)，GAA和HBM成為最大增長(zhǎng)點(diǎn)

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的上游，半導(dǎo)體設(shè)備廠商的財(cái)報(bào)向來(lái)反映了芯片生產(chǎn)制造需求上所發(fā)生的變化。隨著半導(dǎo)體設(shè)備大廠們紛紛公布了今年...

      2024-05-02 標(biāo)簽：應(yīng)用材料ASML季度財(cái)報(bào) 4379 0

      2nm突圍，背面供電技術(shù)的首個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）對(duì)于任何試圖將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至埃米級(jí)的晶圓廠而言，GAA和背面供電似乎都成了逃不開(kāi)的兩大技術(shù)。GAA和背面供電在滿足芯片性...

      2024-06-14 標(biāo)簽：供電技術(shù)2nmGAA 4348 0

      臺(tái)積電基于GAA技術(shù)的2nm制程將會(huì)在2025年量產(chǎn)

      臺(tái)積電2021 年12,000 種產(chǎn)品，其中采用了300 多種制程，這些都是生態(tài)系合作的結(jié)果，沒(méi)有生態(tài)系的支持，臺(tái)積電就沒(méi)辦法進(jìn)步。

      2022-09-06 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片設(shè)計(jì)EUV 3691 0

      臺(tái)積電3nm今年底投片，蘋(píng)果成第一家客戶！三星GAA和臺(tái)積電FinFET，誰(shuí)更有競(jìng)爭(zhēng)力？

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）8月17日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，今年底蘋(píng)果將是第一家采用臺(tái)積電3nm投片的客戶，首款產(chǎn)品可能是M2 Pro處理器，明年包括...

      2022-08-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nmGAA 3439 0

      3nm首發(fā)，GAA能成為三星的救星嗎？

      FinFET與傳統(tǒng)的平面晶體管MOSFET相比，顯著減少了短溝道效應(yīng)，也成功帶領(lǐng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)跟著摩爾定律，從20nm走到了4nm、5nm的工藝節(jié)點(diǎn)上。...

      2022-07-30 標(biāo)簽：3nmGAA 3220 0

      美國(guó)從EDA下絆子，3nm工藝關(guān)鍵技術(shù)GAA將與中國(guó)無(wú)緣？

      美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局在近日宣布，將四項(xiàng)新技術(shù)納入出口管制，包括兩大寬帶隙半導(dǎo)體材料（氧化鎵和金剛石）、開(kāi)發(fā)GAAFET結(jié)構(gòu)集成電路的ECAD軟件、以及生...

      2022-08-17 標(biāo)簽：edaGAA 3151 0

      三星3nm芯片開(kāi)始量產(chǎn)，采用GAA晶體管，提升巨大

      日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開(kāi)始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm...

      2022-06-30 標(biāo)簽：芯片3nmGAA 2608 0

      三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始，首個(gè)客戶是中國(guó)礦機(jī)芯片公司

      三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始，首個(gè)客戶是中國(guó)礦機(jī)芯片公司

      三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。

      2023-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子ASIC芯片 2567 0

      三星電子GAA制程工藝節(jié)點(diǎn)芯片開(kāi)始初步生產(chǎn)

      2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布， 基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱 GAA）制程工藝節(jié)...

      2022-06-30 標(biāo)簽：三星電子晶圓納米晶體管 2524 0

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        電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立， 是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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        WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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        特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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        過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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        VDD
        +關(guān)注
        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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        74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX
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