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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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此工廠覆蓋土地面積61.76畝,主打安裝1套1000Nm3/h堿性電解水制氫設(shè)備,年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)到788噸。初步預(yù)留生產(chǎn)線位置,以備未來擴(kuò)建需求。新型制氫...
中航光電推出柔性直流換流閥用高壓大電流IGBT壓接件產(chǎn)品
隨著國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略加速推進(jìn),新型電力系統(tǒng)建設(shè)已進(jìn)入關(guān)鍵階段。在此背景下,沙漠、戈壁、荒漠地區(qū)大規(guī)模高比例清潔能源的跨區(qū)消納、海上風(fēng)電柔性直流送出以及區(qū)...
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片,在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工...
真茂佳半導(dǎo)體亮相elexcon 2025深圳國(guó)際電子展
8月28日,為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會(huì)展中心(福田)圓滿落幕,作為電子行業(yè)的年度大展,elexcon匯聚了全球400+...
ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件,還積極推動(dòng)Si功率元器件和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
東風(fēng)汽車2022銷量新亮點(diǎn):自主、新能源、海外出口
? 所有的奮斗終將閃耀 剛剛過去的2022 東風(fēng) 提升核心能力,促進(jìn)轉(zhuǎn)型升級(jí) 加快建設(shè)卓越科技企業(yè) 尤其在自主乘用車品牌、新能源 以及海外出口等方面 書...
飛虹半導(dǎo)體亮相2025廣州國(guó)際太陽能光伏儲(chǔ)能展
2025年8月8日至10日,第17屆廣州國(guó)際太陽能光伏儲(chǔ)能展(2025世界太陽能光伏暨儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì))在廣州·中國(guó)進(jìn)出口商品交易會(huì)展館B區(qū)成功舉辦。
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT6將緊湊型電機(jī)控制器總損耗減少20%以上
電機(jī)作為智能家電的核心部件,對(duì)現(xiàn)代生活有著至關(guān)重要的影響。在家庭電能消耗比例中,電機(jī)耗電占家庭耗能20%以上,因此電機(jī)節(jié)能成為家庭節(jié)能中最為關(guān)注的問題。...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進(jìn)一步提高效率
由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。
2021-02-23 標(biāo)簽:英飛凌IGBT肖特基勢(shì)壘二極管 2k 0
PI創(chuàng)新技術(shù)亮相PCIM Asia 2025
2025年P(guān)CIM Asia展會(huì)于9月24-26日在上海新國(guó)際博覽中心舉行。作為亞洲領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)盛會(huì),本屆展會(huì)也集中展示了第三代半導(dǎo)體...
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng),而30A NG...
2023-07-05 標(biāo)簽:IGBT晶體管安世半導(dǎo)體 2k 0
來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? ? ? ??金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...
UPS電源散熱解決方案—保障供電穩(wěn)定性和連續(xù)性
隨著各項(xiàng)基礎(chǔ)設(shè)施日益完善,5G等戶外基站的應(yīng)用也相繼增多。由于自然環(huán)境因素的影響和電網(wǎng)環(huán)境限制,UPS不間斷電源長(zhǎng)期處在高溫高熱的環(huán)境下,長(zhǎng)此以往,嚴(yán)重...
瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1C...
在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的一個(gè)反例。
2023-08-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT碳化硅 2k 0
華虹半導(dǎo)體去年?duì)I收同比增長(zhǎng)0.2%
報(bào)告期內(nèi),華虹半導(dǎo)體產(chǎn)品毛利率為30.3%,較上年度下降3.1個(gè)百分點(diǎn),主要由于產(chǎn)能利用率的下降、人工費(fèi)用、原材料單位成本及折舊成本的上升,部分被平均銷...
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
陸芯:IGBT模塊 LGM100HF120S2F1A 1200V 100A 半橋 用于工業(yè)變頻 儲(chǔ)能 焊機(jī)等
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
2022-05-24 標(biāo)簽:IGBT 2k 0
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