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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換...
兼容IP5303 IP5305 1A同步升壓 移動(dòng)電源管理方案
TP4333是一款專為移動(dòng)電源設(shè)計(jì)的同步升壓的單芯片解決方案,內(nèi)部集成了線性充電管理模塊、同步放電管理模塊、電量檢測(cè)與LED指示模塊、保護(hù)模塊。TP43...
2024-06-14 標(biāo)簽:MOS移動(dòng)電源移動(dòng)電源管理 1325 0
RC緩沖器是一種利用電阻(R)和電容(C)組合來(lái)控制或改變電路中信號(hào)的電路。它的主要功能是對(duì)信號(hào)進(jìn)行整形、延時(shí)、濾波或降低噪聲等。RC緩沖器廣泛應(yīng)用于數(shù)...
MOS封裝工藝是指將制造好的MOS管芯片通過(guò)一系列步驟封裝到外殼中的過(guò)程。以下是MOS封裝工藝的詳細(xì)步驟和相關(guān)信息:
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)集成電路由于其高集成度和敏感的氧化層結(jié)構(gòu),對(duì)靜電放電(ESD)非常敏感。
MOT03/252024什么是MOS管?MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Ox...
仁懋MOSFET:為房車儲(chǔ)能系統(tǒng)注入強(qiáng)勁動(dòng)力
仁懋MOSFET:為房車儲(chǔ)能系統(tǒng)注入強(qiáng)勁動(dòng)力MOT“露營(yíng)經(jīng)濟(jì)”持續(xù)火熱,咨詢報(bào)告顯示,2022年中國(guó)“露營(yíng)經(jīng)濟(jì)”核心市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1134.7億元,同比增長(zhǎng)...
MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)你會(huì)看了嗎?
三、熱阻Thermalresistance熱阻描述了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)特性,該參數(shù)直接影響器件的散熱效率和穩(wěn)定性。熱阻越小,意味著器件的散熱能力越強(qiáng)。針對(duì)這份...
2024-05-10 標(biāo)簽:MOSFETMOS數(shù)據(jù)手冊(cè) 2995 0
隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來(lái)越多的電源開(kāi)關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開(kāi)通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...
2024-05-09 標(biāo)簽:電容電源開(kāi)關(guān)MOS 1.5萬(wàn) 0
由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。
2024-04-25 標(biāo)簽:電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開(kāi)關(guān) 5210 0
當(dāng) 3.3V 器件輸出高電平信號(hào),由于上拉 5V 作用,信號(hào)輸入器件被上拉為 5V 電平。 當(dāng) 3.3V 器件輸出低電平信號(hào),使 OUTPUT 信...
MOS管的話題雖說(shuō)是老生常談,但這份資料幾年前就有人給我分享過(guò),這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到...
電子世界的開(kāi)關(guān)大師:MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察,控制著電流的方向和大小,讓整個(gè)系統(tǒng)高效而穩(wěn)定地運(yùn)行。
電測(cè)在失效分析中的作用 重現(xiàn)失效現(xiàn)象,確定失效模式,縮小故障隔離區(qū),確定失效定位的激勵(lì)條件,為進(jìn)行信號(hào)尋跡法失效定位創(chuàng)造條件
基于JEDEC柵電荷測(cè)試方法測(cè)量MOSFET的柵電荷
在柵極電荷方法中,將固定測(cè)試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測(cè)量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
SDA和SCL都是雙向線路,都通過(guò)一個(gè)電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當(dāng)總線空閑時(shí),這兩條線路都是高電平,連接到總線的器件輸出級(jí)必須是漏極開(kāi)路或集電...
2024-04-10 標(biāo)簽:芯片振蕩器場(chǎng)效應(yīng)管 579 0
ACM5807是一款同步升壓控制器,同步升壓效率高,對(duì)于大功率應(yīng)用非常重要。升壓范圍在5-36V,更寬的電壓符合大部分應(yīng)用。
2024-03-29 標(biāo)簽:電壓MOS電源系統(tǒng) 2246 0
深度解析MOS場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用實(shí)例
MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來(lái)分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無(wú)論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
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