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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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Vishay推業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)60V共漏極器件,適于24V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開(kāi)關(guān)
Vishay推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
智能IC產(chǎn)品在體育行業(yè)發(fā)展前景及發(fā)展機(jī)遇分析
體育行業(yè)發(fā)展前景及發(fā)展機(jī)遇分析 體育行業(yè) 體育行業(yè)發(fā)展前景,體育產(chǎn)業(yè)是指為社會(huì)提供體育產(chǎn)品的同一類(lèi)經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的集合以及同類(lèi)經(jīng)濟(jì)部門(mén)的綜合。 體育產(chǎn)業(yè)作為國(guó)...
2020-03-17 標(biāo)簽:MOSFET移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)互聯(lián)網(wǎng)+ 1.4k 0
茂捷M6362A替換昂寶OB2362A,茂捷M5579A/B替換昂寶OB2269
M6362A 是一款高度集成的電流模式PWM 控制芯片,主要用于高性能、低待機(jī)功耗和低成本的離線反激式電源適配器中。 在滿載時(shí),IC 在固定頻率(65K...
首家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司量產(chǎn)12英寸MOSFET
深圳市銳駿半導(dǎo)體(www.ruichips.com)在深圳市南山區(qū)科興科學(xué)園會(huì)議中心召開(kāi)了他們12英寸MOSFET成功投產(chǎn)的發(fā)布會(huì),2019年12英寸新...
2019-10-10 標(biāo)簽:MOSFET銳駿半導(dǎo)體 2.3k 0
ROHM開(kāi)發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200...
NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的特性與應(yīng)用分析
安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻...
2019-10-03 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器安森美半導(dǎo)體 4k 0
Wolfspeed推出適用于電動(dòng)車(chē)充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊
日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3,該產(chǎn)品可最大限度地提高功率密度,同時(shí)最大限度地降低環(huán)路電感...
2019-09-14 標(biāo)簽:mosfet電動(dòng)車(chē)充電器 3k 0
羅姆汽車(chē)級(jí)超緊湊MOSFET,采用“可濕性面板成型技術(shù)”
肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)常用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)相機(jī)模塊的反向連接保護(hù)電路中。
Vishay 60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專(zhuān)用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路
器件專(zhuān)門(mén)用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路,柵極電荷低至22.5 nC,QOSS為34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-08-12 標(biāo)簽:MOSFETVishay柵極驅(qū)動(dòng)電路 3k 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路優(yōu)化關(guān)鍵要點(diǎn)
本文將對(duì)電源IC BD7682FJ的外置MOSFET的開(kāi)關(guān)調(diào)整部件和調(diào)整方法進(jìn)行介紹。
行業(yè) | 用于工業(yè)和汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)
CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動(dòng)板,其額定溫度為125°C(Ta),它還針對(duì)采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
三駕馬車(chē)驅(qū)動(dòng),功率半導(dǎo)體前景如何?英飛凌陳清源這么說(shuō)
7月23日,2019英飛凌電源管理研討會(huì)在深圳盛大開(kāi)幕,英飛凌電源管理與多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源就全球半導(dǎo)市場(chǎng)和功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)應(yīng)用熱...
2019-07-25 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET功率半導(dǎo)體 10k 0
ROHM開(kāi)發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車(chē)載用超小型MOSFET
RV4xxx系列已于2019年5月份開(kāi)始出售樣品(樣品價(jià)格 100日元/個(gè),不含稅),預(yù)計(jì)于2019年9月開(kāi)始暫以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)規(guī)模投入量產(chǎn)。
Maxim發(fā)布新型LED驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)置MOSFET,效率高達(dá)90%
MAX25610A/B內(nèi)置MOSFET,效率高達(dá)90%并符合CISPR 25 EMI要求
儒卓力發(fā)布英飛凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能數(shù)據(jù)和功率密度
由于具有最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),這些BiC MOSFET能夠以良好的性價(jià)比降低損耗。此外,通管殼(Junction to Case (RthJ...
FET通過(guò)影響導(dǎo)電溝道的尺寸和形狀,控制從源到漏的電子流(或者空穴流)。溝道是由(是否)加在柵極和源極的電壓而創(chuàng)造和影響的(為了討論的簡(jiǎn)便,這默認(rèn)體和源...
近年來(lái),SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能,這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè),到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億...
功率MOSFET平均售價(jià)持續(xù)上升 成為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點(diǎn)
自2018年開(kāi)始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售價(jià)(ASP)持續(xù)上升,其中以工作電壓范圍超過(guò)400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成...
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