日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1850 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛(wèi)星導(dǎo)航年會（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。
這是一款擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
第四代移動通信技術(shù)是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:07:28
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態(tài)硬盤?！ ∵@些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動通信領(lǐng)域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
據(jù)我所知，第五代capsense相比第四代將電容（包括自電容+互電容技術(shù)）和電感觸摸技術(shù)集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同時功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應(yīng)模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
組合包括50多種解決方案，用于企業(yè)、數(shù)據(jù)通信、移動通信和顯示等應(yīng)用中的物理層一致性測試、特性分析和調(diào)試。同時適用于第三代標準和第四代標準的解決方案，提供自動測試設(shè)置和執(zhí)行、內(nèi)置報告選項、深入分析等多種
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了，這里就不重復(fù)敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設(shè)計思想和工作原理，對于國內(nèi)輕度混聯(lián)混合動力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計工
2018-12-06 09:46:29
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應(yīng)當是怎樣的標準呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹： 攪拌機開機后，罐內(nèi)的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統(tǒng)，并簡單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動通信中的應(yīng)用。
2009-11-28 11:46:59
42 iPod nano(第四代)功能指南手冊
2009-12-10 15:29:1259 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
9294第四代智VCD維修解碼板使用說明
第四代智能VCD維修解碼板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED數(shù)碼屏
2009-04-28 15:39:251718
第四代TOPSwitch?GX系列單片開關(guān)電源
摘要：TOPSwitch?GX是美國PowerIntegratio
2009-07-08 11:12:031478 第四代大功率UPS的技術(shù)—無變壓器設(shè)計簡介
1 無變壓器UPS的技術(shù)發(fā)展史
自從小功率UPS問世以來,無變壓器UPS設(shè)計經(jīng)歷了
2009-12-09 10:39:10742 
小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:442304 第四代iPhone細節(jié)曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節(jié)及圖片，第四代iPhone要比當前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 第四代iPhone細節(jié)曝光
2010-02-22 10:25:18522 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351818 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:491125 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:402988 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 賽普拉斯(Cypress)發(fā)表第四代TrueTouch觸控螢?zāi)豢刂凭忠煌黄乒δ?，不僅大幅提升系統(tǒng)效能，并且不會增加成本。賽普拉斯以第四代專利 認證中的高電壓傳送驅(qū)動器為基礎(chǔ)，研發(fā)出一項
2012-03-02 09:10:53823 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 第四代移動通信技術(shù)研究，很好的網(wǎng)絡(luò)資料，快來下載學(xué)習(xí)吧。
2016-04-19 11:30:480 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:112189 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設(shè)備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551806 ，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7004，該器件用高達 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:585259 
美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢，以幫助設(shè)計人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu)，與市場上的其
2021-05-27 12:18:589885 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:542337 AN65--第四代LCD背光技術(shù)
2021-04-19 11:43:336 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 適用于標準柵極驅(qū)動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V
2021-12-05 10:21:115 wifi技術(shù)標準第四代是第四代移動通信技術(shù)的意思，第五代就是第五代移動通信技術(shù)，那么這兩代之間有什么區(qū)別呢？
2022-01-01 16:43:0041537 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142760 第四代半導(dǎo)體我們其實叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點幾電子伏特（eV），比超窄禁帶更窄的材料便稱為導(dǎo)體；
2022-08-22 11:10:3918936 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 南芯科技SC8886S 是南芯科技推出的第四代升降壓控制器芯片，可滿足1-4 節(jié)電池大功率充電。SC8886S 與SC8886 相比，增強了Driver 的驅(qū)動能力，增大了默認死區(qū)時間。因此，除對多管并聯(lián)應(yīng)用時，不對MOS 的輸入柵極電容Ciss、柵極電荷Qgs、柵漏電流Qgd 進行限制。
2022-10-27 15:03:187162 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 雙 N 溝道 60 V、45 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K52-60E
2023-02-21 19:42:470 雙 N 溝道 60 V、14 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K17-60E
2023-02-21 19:43:180 雙 N 溝道 60 V、10 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K13-60E
2023-02-22 18:43:100 雙 N 溝道 60 V、30 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K35-60E
2023-02-22 18:44:050 雙 N 溝道 60 V、9.3 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K12-60E
2023-02-22 18:44:170 N 溝道 LFPAK 60 V、6.4 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN7R0-60YS
2023-02-22 18:49:050 N 溝道 LFPAK 60 V、15.7 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN017-60YS
2023-02-22 18:57:200 N 溝道 60 V、14.8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN015-60PS
2023-02-22 19:04:310 N 溝道 60 V、11.3 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 LFPAK33-PSMN011-60MS
2023-02-23 18:40:310 N 溝道 LFPAK 60 V、8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN8R5-60YS
2023-02-23 18:46:320 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 N 溝道 LFPAK 60 V、11.1 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN012-60YS
2023-03-01 18:51:270 N 溝道 LFPAK 60 V 24.7 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN030-60YS
2023-03-02 22:27:030 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 現(xiàn)預(yù)計蘋果自研的5G調(diào)制解調(diào)器要等到2025年才能進入大規(guī)模生產(chǎn)。因此，第四代iPhone SE的發(fā)布時間也會相應(yīng)延后。第四代iPhone SE的計劃也隨之被推遲了。
2023-06-25 15:20:432391 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141479 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-27 13:49:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 14:49:200 ，適用于PC、服務(wù)器平臺和嵌入式系統(tǒng)。國民技術(shù)自2007年推出全球第一款TCM可信計算芯片以來，產(chǎn)品歷經(jīng)多次迭代，現(xiàn)已發(fā)展到全新第四代可信計算芯片NS350系列。N
2024-04-19 08:24:101553 
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422283 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領(lǐng)域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，標志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術(shù)，在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業(yè)市場帶來革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331619 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對
2024-10-12 11:30:592195 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術(shù).pdf》資料免費下載
2025-01-09 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:28:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:29:170 近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領(lǐng)先水平。相比上一代
2025-08-05 15:19:011208 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 Melexis推出第四代汽車LIN電機驅(qū)動器MLX81350，可為電機提供高達5W（0.5A）的功率。該驅(qū)動器專為電動汽車（EV）的空調(diào)風(fēng)門與自動通風(fēng)系統(tǒng)設(shè)計，具備高性價比，不僅能實現(xiàn)電機靜音、高效運行，還可簡化系統(tǒng)集成流程，并確保性能穩(wěn)定可靠。
2025-11-08 17:04:192774 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26336 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18348 Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論