為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
2068 
在本文中，我們將討論一些設(shè)計技術(shù)，以在不影響性能的情況下實現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541594 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計。
2025-09-23 09:26:332066 
基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標。該產(chǎn)品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅(qū)動、SMPS（包括服務器、電信和
2020-02-18 17:50:082025 日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371997 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211873 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:523461 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432171 
：IFNNY）順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:371464 
TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本（TCO）。TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強大的OptiMOSTM MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu)，通過穩(wěn)健的機械設(shè)計提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。它能提高數(shù)據(jù)中心的運行效率，在滿足A
2024-03-05 13:52:101491 
? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445848 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間，主打一個高性能和高性價比。OptiMOS系列的特點包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開關(guān)頻率的應用，像通信應
2025-02-27 00:58:002676 
日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高
2018-10-23 16:21:49
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
`在全球電子元器件分銷商中排名第十，在歐洲市場排名第三的電子產(chǎn)品分銷商儒卓力致力服務中國市場，繼11月在微信開設(shè)帳號后，再接再厲開設(shè)中文網(wǎng)站，使得中國客戶以及合作伙伴、供應商、工程師和媒體只需輕松
2017-11-07 11:50:39
描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
英飛凌科技股份有限公司低壓驅(qū)動應用工程師Ralf Walter 2012年，電子器件一如既往地沿著更高性能和更高功率密度的方向發(fā)展。取決于具體的應用，要么側(cè)重于封裝的微型化，要么側(cè)重于提高通流能力
2018-12-06 09:46:29
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
導讀：全球功率半導體領(lǐng)先供應商國際整流器公司（International Rectifier,簡稱IR）日前發(fā)布其近日新增產(chǎn)品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
2018-09-28 15:57:04
：7A 負載條件下的啟動波形結(jié)論LTC7820 是一款固定比例高電壓高功率開關(guān)電容器控制器，具有內(nèi)置柵極驅(qū)動器以驅(qū)動外部 MOSFET，可實現(xiàn)非常高的效率 (達 99%) 和高功率密度。堅固的保護功能
2018-10-31 11:26:48
/L，效率96.8%），支持20分鐘快充。數(shù)據(jù)中心：通過高功率密度設(shè)計降低PUE（能源使用效率），如英特爾數(shù)據(jù)中心12V電源采用GaN后PUE降至1.08。與傳統(tǒng)硅基方案的對比：
硅基IGBT功率模塊
2025-10-22 09:09:58
新的功率密度和能效標準?！O低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
如何在高功率密度模塊電源中實現(xiàn)低損耗設(shè)計？這個問題是很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號問題。畢竟，高功率密度的模塊電源目前在我國的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導地位。所以，下文將會就這一問題展開
2016-01-25 11:29:20
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
作為開關(guān)模式電源的核心器件，MOSFET在對電源的優(yōu)化中承擔著十分重要的角色。采用最先進的半導體技術(shù)對提高工作效率固然必不可少，但封裝技術(shù)本身對提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換
2018-12-07 10:23:12
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件
2022-11-07 06:45:10
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
11 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:471055 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51813 對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:133531 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中，提高效率和功率密度是設(shè)計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應對挑戰(zhàn)，飛兆半導體研發(fā)了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775 ，需要開發(fā)出高效可靠的LED專用驅(qū)動電源與之配套。當前LED驅(qū)動電源存在功率密度、功率因數(shù)和效率較低等問題，因此開展高功率密度LED驅(qū)動電源的研究意義深遠。
2017-10-23 14:36:289 設(shè)計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2018-08-16 01:30:008377 設(shè)計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:005835 
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:176007 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓撲中的功率密度和效率而設(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網(wǎng)站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 帶有降壓穩(wěn)壓器的Recom RPX-2.5電源模塊采用集成的倒裝芯片技術(shù)，提供高功率密度和優(yōu)化的散熱管理功能。
2020-05-22 11:24:513603 通過對同步交流對交流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導體場效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓撲和控制選擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:151460 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化，將性能與可靠性相結(jié)合，并具有 3μs 的短路時間。由于采用 .XT 連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標準封裝的連接技術(shù)，
2021-03-01 12:16:023163 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗，最優(yōu)拓撲和控制選擇，有效的散熱，通過機電
2020-11-19 15:14:0011 3D封裝對電源器件性能及功率密度的影響
2021-05-25 11:56:0315 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：
降低損耗
最優(yōu)拓撲和控制選擇
有效
2022-01-14 17:10:262447 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382670 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設(shè)計目標。
2022-05-31 09:47:063203 
電力電子領(lǐng)域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:114328 
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056086 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:216549 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:022248 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:351525 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設(shè)計目標。
2023-02-06 14:24:203471 
對于電源管理應用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:491977 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:311819 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)出爆炸式增長，進而推動了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下，英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的功率密度、質(zhì)量和總體成本（TCO）優(yōu)化方案。
2024-03-12 09:58:241526 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費下載
2024-08-26 09:34:041 近日，英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V，并配備了D2PAK 7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。
2024-10-23 17:27:101206 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率
2024-10-24 08:03:521298 
和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設(shè)計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度
2024-12-12 11:35:134678 和高性能計算方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統(tǒng)性能并結(jié)合英飛凌一貫的穩(wěn)健性，為AI數(shù)據(jù)中心運營商實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度，降低總體擁有成本（TCO
2025-03-19 16:53:22737 
的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計，例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091507 （Delta Electronics, Inc.）強化既有合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)高功率密度電源模塊，為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領(lǐng)先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化
2025-08-29 17:50:301055 
? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列，采用了最新的電機驅(qū)動優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06188 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-19 10:20:16207 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06518 超級電容器具有極高的功率密度，能快速充放電，適用于需要高功率場景，如電動車、智能電網(wǎng)等。
2026-01-01 09:31:003551 
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