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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>儒卓力發(fā)布英飛凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能數(shù)據(jù)和功率密度

儒卓力發(fā)布英飛凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能數(shù)據(jù)和功率密度

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英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382670

如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度

功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導體重要的設(shè)計目標。
2022-05-31 09:47:063203

先進的LFPAK MOSFET技術(shù)可實現(xiàn)更高的功率密度

電力電子領(lǐng)域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度,適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:114328

什么是OptiMOS MOSFET?

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標,有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費類應用。英飛凌功率半導體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056086

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:243

如何實現(xiàn)電機驅(qū)動系統(tǒng)功率密度

一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標評價,電機本體以有效比功率指標評價,逆變器以體積功率密度指標評價;一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價,而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:216549

用氮化鎵重新考慮功率密度

用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301

功率密度權(quán)衡——開關(guān)頻率與熱性能

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢,每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:022248

基于WAYON維安MOSFET功率密度應用于USB PD電源

基于WAYON維安MOSFET功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:351525

功率器件的功率密度

功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導體重要的設(shè)計目標。
2023-02-06 14:24:203471

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

對于電源管理應用程序而言,功率密度的定義似乎非常簡單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標稱)輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積,如圖1所示。
2023-03-23 09:27:491977

如何提高系統(tǒng)功率密度

功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談論功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢,能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254

英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時,變流器仍需具有成本競爭。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:311819

MOSFET創(chuàng)新助力汽車電子功率密度提升

隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化,我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而,由此而來的是,增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升,這無疑對電源網(wǎng)絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中,MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能,成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580

提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652

功率設(shè)備提升功率密度的方法

在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中,功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應用優(yōu)化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820

英飛凌推出高密度功率模塊,為AI數(shù)據(jù)中心降本增效

隨著人工智能(AI)技術(shù)的飛速發(fā)展,全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)出爆炸式增長,進而推動了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下,英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊,旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的功率密度、質(zhì)量和總體成本(TCO)優(yōu)化方案。
2024-03-12 09:58:241526

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440

TPS25981-提高功率密度

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費下載
2024-08-26 09:34:041

英飛凌發(fā)布新型模塊化半橋功率

近日,英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V,并配備了D2PAK 7引腳封裝,是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。
2024-10-23 17:27:101206

新品 | 采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率

新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V,D2PAK7引腳封裝,是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率
2024-10-24 08:03:521298

安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET性能表現(xiàn)

和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色,因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設(shè)計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項,可實現(xiàn)高功率密度
2024-12-12 11:35:134678

英飛凌推出新一代高功率密度功率模塊,賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電

和高性能計算方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統(tǒng)性能并結(jié)合英飛凌一貫的穩(wěn)健性,為AI數(shù)據(jù)中心運營商實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度,降低總體擁有成本(TCO
2025-03-19 16:53:22737

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業(yè)應用功率密度提升至新高度

的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度,專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計,例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091507

英飛凌攜手臺達共同開發(fā)高功率密度電源模塊, 加速數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)升級

(Delta Electronics, Inc.)強化既有合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)高功率密度電源模塊,為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領(lǐng)先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化
2025-08-29 17:50:301055

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機驅(qū)動的新突破

? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列,采用了最新的電機驅(qū)動優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06188

探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能

探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域,功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們將深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-19 10:20:16207

探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應用

探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應用 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06518

超級電容器的功率密度一般多少

超級電容器具有極高的功率密度,能快速充放電,適用于需要高功率場景,如電動車、智能電網(wǎng)等。
2026-01-01 09:31:003551

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