為了更好地理解對(duì)功率密度的關(guān)注,讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出,效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
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在本文中,我們將討論一些設(shè)計(jì)技術(shù),以在不影響性能的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:54
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鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:33
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基于該封裝概念的功率MOSFET,它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿,不僅通態(tài)電阻(RDS(on))降低,還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛,包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、SMPS(包括服務(wù)器、電信和
2020-02-18 17:50:08
2025 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%,降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗,從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14
1177 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:37
1997 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器,提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低,峰值效率達(dá)98 %,減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:21
1873 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢(shì),每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,電源模塊的尺寸會(huì)越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:52
3461 最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有
2023-06-06 11:01:36
1578 
。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容,此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案,在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:43
2171 
:IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37
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TDM2254xD系列雙相功率模塊,為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本(TCO)。TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強(qiáng)大的OptiMOSTM MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu),通過穩(wěn)健的機(jī)械設(shè)計(jì)提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。它能提高數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行效率,在滿足A
2024-03-05 13:52:10
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? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求,而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:58
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? 【 2024 年 4 月 15 日 , 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:44
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看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來源:英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品,產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間,主打一個(gè)高性能和高性價(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度,適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用,像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:00
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日益增長的需求,適于使用自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等?! ?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高
2018-10-23 16:21:49
的設(shè)計(jì)而言,它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻,并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì),使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
`在全球電子元器件分銷商中排名第十,在歐洲市場排名第三的電子產(chǎn)品分銷商儒卓力致力服務(wù)中國市場,繼11月在微信開設(shè)帳號(hào)后,再接再厲開設(shè)中文網(wǎng)站,使得中國客戶以及合作伙伴、供應(yīng)商、工程師和媒體只需輕松
2017-11-07 11:50:39
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析,可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù),進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
英飛凌科技股份有限公司低壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用工程師Ralf Walter 2012年,電子器件一如既往地沿著更高性能和更高功率密度的方向發(fā)展。取決于具體的應(yīng)用,要么側(cè)重于封裝的微型化,要么側(cè)重于提高通流能力
2018-12-06 09:46:29
推薦課程:張飛軟硬開源:基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器(視頻+硬件)http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積,BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
導(dǎo)讀:全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)日前發(fā)布其近日新增產(chǎn)品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
2018-09-28 15:57:04
:7A 負(fù)載條件下的啟動(dòng)波形結(jié)論LTC7820 是一款固定比例高電壓高功率開關(guān)電容器控制器,具有內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)非常高的效率 (達(dá) 99%) 和高功率密度。堅(jiān)固的保護(hù)功能
2018-10-31 11:26:48
/L,效率96.8%),支持20分鐘快充。數(shù)據(jù)中心:通過高功率密度設(shè)計(jì)降低PUE(能源使用效率),如英特爾數(shù)據(jù)中心12V電源采用GaN后PUE降至1.08。與傳統(tǒng)硅基方案的對(duì)比:
硅基IGBT功率模塊
2025-10-22 09:09:58
新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)?!O低的門極電荷,輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器,數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
什么是功率密度?功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度?
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
2021-03-11 08:12:17
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù),提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流,且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī),電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間,而且市場對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸,但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-03-01 09:52:45
如何在高功率密度模塊電源中實(shí)現(xiàn)低損耗設(shè)計(jì)?這個(gè)問題是很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號(hào)問題。畢竟,高功率密度的模塊電源目前在我國的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位。所以,下文將會(huì)就這一問題展開
2016-01-25 11:29:20
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度?
2021-04-25 07:40:14
怎么測(cè)量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率(功率密度)?
2013-10-16 16:32:02
整個(gè)壽命周期成本時(shí),逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面,將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中,即提高“功率密度”,可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī),電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間,而且市場對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸,但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
作為開關(guān)模式電源的核心器件,MOSFET在對(duì)電源的優(yōu)化中承擔(dān)著十分重要的角色。采用最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)提高工作效率固然必不可少,但封裝技術(shù)本身對(duì)提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換
2018-12-07 10:23:12
開發(fā)人員來說,功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn),對(duì)各種電壓下更高電流的需求(通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線)帶來了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求,這樣的穩(wěn)壓器可通過一個(gè)單極里的多個(gè)放大器,將電壓從高達(dá)48 V降至1 V,使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面:降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
中紅外激光功率密度探測(cè)單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型HgCdTe探測(cè)器,研制了可用于中紅外激光功率密度測(cè)量的探測(cè)單元,主要包括衰減片、探測(cè)器
2010-04-28 16:05:36
11 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47
1055 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51
813 對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng),更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn),因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著節(jié)省空間和電費(fèi)賬單。
2011-07-14 09:15:13
3531 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中,提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級(jí)(SPS)模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:01
2749 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:38
1775 ,需要開發(fā)出高效可靠的LED專用驅(qū)動(dòng)電源與之配套。當(dāng)前LED驅(qū)動(dòng)電源存在功率密度、功率因數(shù)和效率較低等問題,因此開展高功率密度LED驅(qū)動(dòng)電源的研究意義深遠(yuǎn)。
2017-10-23 14:36:28
9 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2018-08-16 01:30:00
8377 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:00
5835 
SuperSO8封裝:OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝,堪稱封裝界的best-in-class級(jí)別,相比于TO-220封裝,SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:17
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威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率而設(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:38
3580 帶有降壓穩(wěn)壓器的Recom RPX-2.5電源模塊采用集成的倒裝芯片技術(shù),提供高功率密度和優(yōu)化的散熱管理功能。
2020-05-22 11:24:51
3603 通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析,可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET)參數(shù),進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:00
0 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面: 降低損耗 最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:15
1460 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法:被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化,將性能與可靠性相結(jié)合,并具有 3μs 的短路時(shí)間。由于采用 .XT 連接技術(shù),其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標(biāo)準(zhǔn)封裝的連接技術(shù),
2021-03-01 12:16:02
3163 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面:降低損耗,最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇,有效的散熱,通過機(jī)電
2020-11-19 15:14:00
11 3D封裝對(duì)電源器件性能及功率密度的影響
2021-05-25 11:56:03
15 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面:
降低損耗
最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇
有效
2022-01-14 17:10:26
2447 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:38
2670 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:06
3203 
電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度,適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:11
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OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:05
6086 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:24
3 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià),電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià),逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià);一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià),而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:21
6549 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:30
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢(shì),每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,電源模塊的尺寸會(huì)越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02
2248 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35
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功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:20
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對(duì)于電源管理應(yīng)用程序而言,功率密度的定義似乎非常簡單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標(biāo)稱)輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積,如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49
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在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如,在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì),能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27
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全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12
1705 未來對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí),變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31
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隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化,我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而,由此而來的是,增加的電子設(shè)備使得汽車對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升,這無疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中,MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能,成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06
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提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí):功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45
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在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中,功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07
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英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49
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隨著人工智能(AI)技術(shù)的飛速發(fā)展,全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)出爆炸式增長,進(jìn)而推動(dòng)了芯片對(duì)能源需求的急劇上升。在這一背景下,英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊,旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的功率密度、質(zhì)量和總體成本(TCO)優(yōu)化方案。
2024-03-12 09:58:24
1526 英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:07
1440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-26 09:34:04
1 近日,英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V,并配備了D2PAK 7引腳封裝,是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。
2024-10-23 17:27:10
1206 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V,D2PAK7引腳封裝,是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。它是一個(gè)帶功率
2024-10-24 08:03:52
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和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色,因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng),可實(shí)現(xiàn)高功率密度
2024-12-12 11:35:13
4678 和高性能計(jì)算方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統(tǒng)性能并結(jié)合英飛凌一貫的穩(wěn)健性,為AI數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度,降低總體擁有成本(TCO
2025-03-19 16:53:22
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的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度,專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì),例如電動(dòng)汽車充電
2025-08-01 17:05:09
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(Delta Electronics, Inc.)強(qiáng)化既有合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)高功率密度電源模塊,為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領(lǐng)先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化
2025-08-29 17:50:30
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? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列,采用了最新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06
188 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域,功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們將深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-19 10:20:16
207 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù):從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06
518 超級(jí)電容器具有極高的功率密度,能快速充放電,適用于需要高功率場景,如電動(dòng)車、智能電網(wǎng)等。
2026-01-01 09:31:00
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評(píng)論