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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

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11月初在深圳召開的電源行業(yè)頂級學(xué)術(shù)會議,里面把“高效高功率密度開關(guān)電源”列為八大核心議題之一,說明產(chǎn)品需要不斷迭代升級。而產(chǎn)品的持續(xù)迭代升級肯定是離不...

2025-12-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 939 0

合科泰MOS管2N7002KM的技術(shù)原理和應(yīng)用案例

2N7002KM是一款采用SOT-723超小封裝的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有六十伏特耐壓能力和零點(diǎn)三四安培連續(xù)電流承載能力。這款產(chǎn)品的突出特點(diǎn)在于其...

2025-12-13 標(biāo)簽:ESDMOSFET合科泰 1.6k 0

H橋驅(qū)動電路的工作原理與核心元件作用解析

在電機(jī)控制、機(jī)器人伺服系統(tǒng)、汽車電子等領(lǐng)域,H橋驅(qū)動電路是實(shí)現(xiàn)直流電機(jī)正反轉(zhuǎn)與無級調(diào)速的核心單元。小到智能家電的變頻風(fēng)扇,大到工業(yè)設(shè)備的精準(zhǔn)伺服,H橋的...

2025-12-13 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制H橋電路 1.9k 0

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HKTD120N04是一款采用PDFN5×6封裝的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有40V耐壓能力和120A連續(xù)電流承載能力。這款工業(yè)級產(chǎn)品的核心優(yōu)勢在于其...

2025-12-13 標(biāo)簽:鋰電池MOSFET合科泰 1.6k 0

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傾佳電子服務(wù)白皮書 1. 2025年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局與戰(zhàn)略機(jī)遇 1.1 全球能源轉(zhuǎn)型下的“碳化硅時(shí)刻” 站在2025年的歷史節(jié)點(diǎn)回望,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)...

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EE Awards Asia 2025 亞洲金選獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮于 12 月 5 日在中國臺北隆重召開。在《EE Times》及《EDN》專業(yè)技術(shù)媒體與科技人...

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Wolfspeed榮獲2025行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

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由行家說主辦的“2025 行家極光獎(jiǎng)” 于 12 月 4 日在深圳隆重召開,表彰在 2025 年度具有行業(yè)表率的優(yōu)秀企業(yè)、引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)和優(yōu)秀產(chǎn)...

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近日,安世半導(dǎo)體在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得行業(yè)權(quán)威認(rèn)可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設(shè)計(jì)與可靠性能,接...

2025-12-11 標(biāo)簽:MOSFETSiC安世半導(dǎo)體 233 0

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????????2025年11月22日,電源網(wǎng)工程師技術(shù)高峰論壇在深圳盛大啟幕。這場行業(yè)盛會匯聚了知名院校學(xué)者與國內(nèi)外半導(dǎo)體廠商專家,共同分享前沿行業(yè)展...

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浮思特 | 至信微SMC40N065T4BS碳化硅MOSFET,高效能電源設(shè)計(jì)新選擇

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碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,憑借高耐壓、低損耗、耐高溫的先天優(yōu)勢,成為高壓DC/DC、車載充電、可再生能源等領(lǐng)域的"性能突破口...

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34mm半橋SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工業(yè)電源領(lǐng)域的應(yīng)用價(jià)值與技術(shù)革新

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深度解析基本半導(dǎo)體34mm半橋SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工業(yè)電源領(lǐng)域的應(yīng)用價(jià)值與技術(shù)革新 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半...

2025-12-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率模塊 180 0

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又一國產(chǎn)SiC MOSFET上車!

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近,湖南三安半導(dǎo)體舉行了碳化硅芯片上車儀式,標(biāo)志著國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅主驅(qū)芯片實(shí)現(xiàn)從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)?;b車的里程碑突破。此次三安 12...

2025-12-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC 4.6k 0

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高頻變壓器與SiC碳化硅MOSFET功率器件的技術(shù)共生

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在現(xiàn)代電力電子技術(shù)的宏大敘事中,功率密度與能量轉(zhuǎn)換效率的提升始終是推動產(chǎn)業(yè)變革的主軸。這一進(jìn)程目前正處于一個(gè)關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折點(diǎn),其核心動力來自于半導(dǎo)體材料科學(xué)...

2025-12-10 標(biāo)簽:MOSFET功率器件高頻變壓器 426 0

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    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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