碳化硅（SiC）MOSFET模塊硬并聯(lián)中環(huán)流產(chǎn)生的根本機理及綜合抑制策略研究報告

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. 緒論：寬禁帶功率器件的并聯(lián)挑戰(zhàn)

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高壓、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑借其卓越的開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性，正逐步取代傳統(tǒng)的硅基IGBT，成為集中式儲能變流器PCS、商用車電驅(qū)動及固態(tài)變壓器等核心裝備的首選功率器件 。然而，單顆SiC芯片或單個標(biāo)準(zhǔn)功率模塊的載流能力往往受限于半導(dǎo)體制造工藝的良率及封裝散熱極限，難以滿足兆瓦級應(yīng)用對數(shù)千安培電流的需求。因此，將多個SiC MOSFET芯片或模塊進行“硬并聯(lián)”（Hard Paralleling）已成為提升系統(tǒng)功率容量的必由之路 。

所謂的硬并聯(lián)，是指將多個功率器件的柵極（Gate）、漏極（Drain）和源極（Source）分別直接電氣連接，使其在邏輯上作為一個單一的大功率開關(guān)工作。然而，SiC MOSFET極高的開關(guān)速度（dv/dt>100V/ns, di/dt>5kA/μs）使其對電路寄生參數(shù)的敏感度遠超傳統(tǒng)硅器件 。在硬并聯(lián)配置中，微小的器件參數(shù)差異或電路布局的不對稱，都會在納秒級的開關(guān)瞬態(tài)過程中被急劇放大，誘發(fā)嚴(yán)重的動態(tài)均流失衡。

其中，最為隱蔽且危害巨大的現(xiàn)象是發(fā)生在輔助源極（Auxiliary Source，或稱Kelvin Source）回路中的環(huán)流，常被稱為“S極環(huán)流”。這種環(huán)流不僅會導(dǎo)致器件損耗分布不均，更可能直接熔斷模塊內(nèi)部的鍵合線，導(dǎo)致柵極失控甚至炸機 。傾佳電子楊茜剖析SiC模塊硬并聯(lián)中環(huán)流產(chǎn)生的根本物理機理，特別是S極環(huán)流的形成機制，量化其潛在危害，并系統(tǒng)性地闡述從無源抑制到有源驅(qū)動的綜合解決方案。

2. SiC硬并聯(lián)環(huán)流的分類與物理根源

在并聯(lián)SiC MOSFET系統(tǒng)中，環(huán)流（Circulating Current）是指在并聯(lián)支路之間流動的非負載電流。根據(jù)產(chǎn)生的時間域和物理機制，環(huán)流可分為靜態(tài)環(huán)流和動態(tài)環(huán)流。雖然靜態(tài)環(huán)流主要影響熱分布，但動態(tài)環(huán)流——特別是涉及S極換流的瞬態(tài)電流——是造成系統(tǒng)失效的主要原因。

2.1 靜態(tài)環(huán)流的形成機理

靜態(tài)環(huán)流發(fā)生在器件完全導(dǎo)通的穩(wěn)態(tài)階段，其根本原因在于并聯(lián)支路間導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）的不匹配 。

ΔIstatic?≈Iload??∑RDS(on)?ΔRDS(on)??

盡管SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)（PTC），即溫度升高電阻增大，這種特性在一定程度上能提供負反饋，抑制熱失控（溫度高的芯片電流減?。玈iC的PTC效應(yīng)不如硅MOSFET顯著 。如果模塊內(nèi)部芯片篩選不嚴(yán)格，或者外部母排連接阻抗差異過大，靜態(tài)不均流仍會導(dǎo)致個別芯片長期過熱，加速老化。例如，在BASIC Semiconductor的ED3系列模塊中，雖然通過高導(dǎo)熱的Si3?N4?基板優(yōu)化了散熱，但嚴(yán)格控制芯片RDS(on)?的一致性仍是并聯(lián)應(yīng)用的前提 。

2.2 動態(tài)環(huán)流與“S極環(huán)流”的根本原因

動態(tài)環(huán)流發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)（Turn-on/Turn-off），其幅值可能達到負載電流的數(shù)倍。除了器件本身的閾值電壓（VGS(th)?）和跨導(dǎo)（gfs?）差異外 ，最核心的根源在于寄生電感的耦合效應(yīng)與輔助源極回路的低阻抗特性。

2.2.1 閾值電壓（VGS(th)?）與跨導(dǎo)失配

VGS(th)?決定了器件開啟和關(guān)斷的時間點。VGS(th)?較低的器件會先開啟、后關(guān)斷。在開關(guān)過程中，這意味著該器件將在更長的時間窗口內(nèi)承擔(dān)負載電流。研究表明，僅1V的VGS(th)?差異就可能導(dǎo)致巨大的峰值電流失衡和開關(guān)損耗差異 。由于SiC MOSFET的VGS(th)?通常隨溫度升高而降低（例如BMF540R12MZA3從25°C的2.7V降至175°C的1.85V ），這種負溫度系數(shù)效應(yīng)會形成正反饋：承擔(dān)更多電流的器件溫度升高，VGS(th)?進一步降低，從而承擔(dān)更多電流，最終導(dǎo)致動態(tài)熱失控。

2.2.2 S極環(huán)流（輔助源極環(huán)流）的電磁機理

這是SiC并聯(lián)應(yīng)用中最危險的環(huán)流形式。現(xiàn)代SiC模塊（如ED3系列）普遍采用開爾文源極（Kelvin Source / Auxiliary Source）設(shè)計，以解耦功率回路與驅(qū)動回路 。然而，在多模塊并聯(lián)時，這種結(jié)構(gòu)引入了一個致命的寄生回路。

物理回路構(gòu)成：

當(dāng)兩個SiC模塊（Module A和Module B）并聯(lián)時，它們的功率源極（Power Source, SPWR?）通過外部母排連接在一起，形成大電流路徑。同時，為了共用同一個柵極驅(qū)動信號，它們的輔助源極（Auxiliary Source, SAUX?）通常在驅(qū)動板上連接到同一個驅(qū)動地（Driver GND）。這就形成了一個物理閉環(huán)：

LoopAux?:SPWR_A?→SPWR_B?→InternalChipB?→SAUX_B?→DriverPCB→SAUX_A?→InternalChipA?→SPWR_A?

電動勢驅(qū)動機制：

由于機械布局的限制，Module A和Module B的功率源極寄生電感（LS_PWR?）幾乎不可能完全相等。當(dāng)總負載電流以極高的di/dt（例如3 kA/μs）變化時，兩個模塊功率源極電感上感應(yīng)出的電壓（V=L?di/dt）將產(chǎn)生差異：

ΔVinduced?=(LS_PWR_A??LS_PWR_B?)?dtdi?

這個電壓差ΔVinduced?直接施加在上述的輔助源極回路上。

“青少年電子”效應(yīng)（Teenager Electrons）： 由于輔助源極回路通常由內(nèi)部鍵合線和PCB走線構(gòu)成，在高頻下，其阻抗可能低于主功率回路（盡管電阻較大，但電感可能較?。ｋ娏鲀A向于選擇“阻抗最低”而非“電阻最低”的路徑。這種現(xiàn)象被形象地稱為“青少年電子”效應(yīng)——電流像叛逆的青少年一樣，不走寬闊的“主路”（功率母排），而是擠進狹窄的“小路”（輔助源極鍵合線）。

由此產(chǎn)生的S極環(huán)流（Icirc_aux?）不再是微小的信號電流，而是可能高達數(shù)百安培的能量流。它不是簡單的均流誤差，而是功率回路能量向控制回路的猛烈倒灌。

3. SiC模塊硬并聯(lián)環(huán)流的深層危害

S極環(huán)流及其他動態(tài)環(huán)流對系統(tǒng)的危害是多維度的，從瞬態(tài)的物理損毀到長期的可靠性衰減。

3.1 輔助源極鍵合線熔斷（Catastrophic Failure）

這是S極環(huán)流最直接、最致命的后果。

額定值差異： SiC模塊內(nèi)部的功率源極鍵合線（Power Source Bond Wires）設(shè)計用于承載數(shù)百安培的負載電流，通常由多根粗鋁線或銅線并聯(lián)。然而，輔助源極鍵合線（Auxiliary Source Bond Wire）僅設(shè)計用于傳輸柵極充電電流（通常<10A）和電壓采樣，極為纖細 。

熔斷過程： 當(dāng)di/dt誘發(fā)的ΔVinduced?驅(qū)動數(shù)百安培的S極環(huán)流通過輔助源極時，該電流瞬間超過鍵合線的熔斷電流（I2t極限）。鍵合線會在微秒甚至納秒級時間內(nèi)迅速氣化、熔斷 。

后果： 輔助源極一旦斷路，柵極驅(qū)動回路隨即斷開。MOSFET的柵極將處于浮空狀態(tài)（Floating Gate）。在米勒電容（Crss?）的耦合作用下，漏極電壓的波動會將浮空柵極電壓拉高，導(dǎo)致器件誤導(dǎo)通進入線性區(qū)或直通短路。此時，器件將承受全母線電壓和短路電流，導(dǎo)致瞬間過熱炸裂，甚至引發(fā)連鎖反應(yīng)燒毀整個變流器 。

3.2 柵極振蕩與氧化層擊穿（Gate Oscillation & Oxide Stress）

并聯(lián)系統(tǒng)中的寄生電感（Lg?,Ls?）與SiC MOSFET的輸入電容（Ciss?）構(gòu)成了高Q值的LCR諧振網(wǎng)絡(luò)。

激發(fā)源： 極高的di/dt和S極環(huán)流作為激勵源，極易激發(fā)該網(wǎng)絡(luò)的寄生振蕩 。

電壓過應(yīng)力： 振蕩會導(dǎo)致柵源電壓（VGS?）大幅超出安全范圍（通常為+20V/-5V）。正向過壓會導(dǎo)致柵極氧化層（Gate Oxide）發(fā)生時經(jīng)介質(zhì)擊穿（TDDB），縮短器件壽命；負向過壓則可能導(dǎo)致柵極反向擊穿。

寄生導(dǎo)通： 劇烈的電壓振蕩若突破閾值電壓VGS(th)?，會導(dǎo)致橋臂直通。BASIC Semiconductor的文檔特別強調(diào)了在驅(qū)動SiC時使用**米勒鉗位（Miller Clamp）**功能的必要性，正是為了防止這種由dv/dt和振蕩引起的誤導(dǎo)通 。

3.3 動態(tài)熱失控與壽命衰減

即使環(huán)流未導(dǎo)致立即失效，長期的動態(tài)不均流也會導(dǎo)致并聯(lián)芯片間的熱應(yīng)力分布極不均勻。

熱循環(huán)疲勞： 承載更大動態(tài)電流的芯片會經(jīng)歷更劇烈的溫度波動（ΔTj?）。根據(jù)Coffin-Manson模型，這種熱循環(huán)會加速芯片焊接層和鍵合點的疲勞老化。

陶瓷基板應(yīng)力： 模塊內(nèi)部的陶瓷基板（如Si3?N4? AMB）在反復(fù)的熱沖擊下承受機械應(yīng)力。雖然Si3?N4?相比Al2?O3?具有更好的抗彎強度和抗熱震性（如BMF540R12MZA3所述，能承受1000次熱沖擊而不分層 ），但長期的極端熱不平衡仍可能導(dǎo)致基板裂紋或銅層剝離。

4. 抑制策略與解決方案

針對SiC硬并聯(lián)中的環(huán)流問題，特別是S極換流，工程界已經(jīng)發(fā)展出一套從電路拓撲、無源器件到有源控制的綜合抑制策略。

4.1 無源抑制方案（Passive Suppression）

無源抑制是通過在回路中串聯(lián)阻抗元件來限制環(huán)流幅值或阻斷環(huán)流路徑，是最常用且性價比最高的方法。

4.1.1 輔助源極電阻 / 開爾文源極電阻 (RKS?)

這是防止S極鍵合線熔斷的“標(biāo)準(zhǔn)配置”。

原理： 在每個并聯(lián)模塊的輔助源極引腳與驅(qū)動器地之間串聯(lián)一個低阻值電阻（RKS?）。

作用： 該電阻增加了輔助源極回路（S極環(huán)流路徑）的阻抗，從而大幅衰減由LS?失配感應(yīng)出的環(huán)流。由于柵極驅(qū)動電流相對較小且為脈沖狀，RKS?對正常驅(qū)動波形的影響可控。

選值建議： 研究表明，RKS?的取值通常在 0.5Ω 到 2Ω 之間 。

若阻值過?。?0.5Ω），對大電流環(huán)流的抑制效果不足，鍵合線仍有風(fēng)險。

若阻值過大（>5Ω），在大電流關(guān)斷時，主功率回路的di/dt會在RKS?上產(chǎn)生顯著壓降，從而對柵極電壓產(chǎn)生反向偏置（Debiasing），導(dǎo)致關(guān)斷速度變慢，開關(guān)損耗增加 。

4.1.2 柵極共模電感（Common Mode Choke, CMC）

在柵極回路中串聯(lián)共模電感是抑制高頻環(huán)流的有效手段。

原理： 對于正常的柵極驅(qū)動電流（差模信號，從Gate流進，從Source流出），CMC呈現(xiàn)極低阻抗；而對于在并聯(lián)模塊之間流動的環(huán)流（共模信號，從一個模塊的Source流向另一個模塊的Source），CMC呈現(xiàn)高阻抗 。

優(yōu)勢： 相比單純增加?xùn)艠O電阻（Rg?），CMC可以在不顯著犧牲開關(guān)速度的前提下，有效阻斷由于Vth?失配或LS?失配引起的動態(tài)環(huán)流 。實驗表明，CMC能將并聯(lián)電流不平衡度從26%降低至3%左右 。

4.1.3 功率回路差模電感（Differential Mode Choke, DMC）

雖然主要用于柵極，但在源極功率路徑中引入差模電感（或耦合電感）也可以強制均流。

原理： 利用磁耦合原理，當(dāng)兩路電流不平衡時，磁通不抵消，電感呈現(xiàn)高阻抗對抗電流變化；當(dāng)電流平衡時，磁通抵消，阻抗接近零 。

局限： 由于需要承載主功率電流，DMC體積龐大，且會增加主回路電感，這與SiC追求低電感設(shè)計的初衷相悖，因此在高功率密度模塊中應(yīng)用較少 。

4.1.4 磁珠（Ferrite Beads）

在柵極和源極引腳套接磁珠，利用其高頻損耗特性來消耗振蕩能量，抑制主要由寄生參數(shù)引起的高頻柵極振蕩（幾十MHz以上）。

4.2 有源抑制與驅(qū)動策略（Active Suppression）

有源方案通過智能調(diào)節(jié)柵極信號來動態(tài)補償器件差異。

4.2.1 有源柵極驅(qū)動（Active Gate Driver, AGD）

延遲補償： AGD檢測電流過零點或開啟時刻，對Vth?較低（開啟較快）的器件施加微秒級的驅(qū)動延遲，使其與慢速器件同步 。

多電平驅(qū)動： 通過輸出階梯狀的柵極電壓，控制di/dt的變化率，從而減小寄生電感上的感應(yīng)電壓差，間接抑制環(huán)流 。

閉環(huán)控制： 實時監(jiān)測每個支路的源極電流，動態(tài)調(diào)整下一周期的驅(qū)動電壓幅值或時序 。

4.2.2 獨立的柵極驅(qū)動架構(gòu)

最徹底的解耦方式是為每個并聯(lián)模塊配備獨立的隔離驅(qū)動器（或獨立的光耦/隔離級）。

原理： 每個模塊擁有獨立的驅(qū)動回路，輔助源極不再直接硬連接，而是通過光耦或磁隔離解耦。這從物理上切斷了S極環(huán)流的路徑。

缺點： 系統(tǒng)成本顯著增加，且需要極其精確地控制各路驅(qū)動信號的同步性（Skew time），否則驅(qū)動信號本身的時差會引發(fā)新的不均流 。

4.3 模塊內(nèi)部與系統(tǒng)布局優(yōu)化

從源頭消除不確定性是最高效的策略。

對稱布局（Symmetry）： 無論是PCB設(shè)計還是母排設(shè)計，必須嚴(yán)格遵循“蝴蝶型”或“星型”對稱布局，確保所有并聯(lián)支路的功率路徑（Ld?,Ls?）和驅(qū)動路徑（Lg?）阻抗完全一致 。

基板材料選擇： 選用高可靠性基板如Si3?N4? AMB，利用其高熱導(dǎo)率和高機械強度，增強模塊對殘留不均流引起的熱應(yīng)力的耐受能力，防止因局部過熱導(dǎo)致的基板分層 。

直接源極互連（Direct Source Interconnection, DSI）： 新的研究提出在并聯(lián)芯片的源極之間增加低電感的互連線，通過強耦合強制電位拉平，從拓撲上抑制驅(qū)動回路的差模電壓 。

5. 結(jié)論與建議

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：
傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：
新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；
交通電動化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機）及高壓平臺升級；
數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國家“雙碳”政策（碳達峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET功率模塊，BASiC基本半導(dǎo)體SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。

SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)應(yīng)用是通向高功率電力電子系統(tǒng)的必經(jīng)之路，但其面臨的“S極換流”挑戰(zhàn)不容忽視。該現(xiàn)象的本質(zhì)是高頻開關(guān)瞬態(tài)下，功率回路的電磁能量通過寄生電感差異耦合進脆弱的驅(qū)動回路。其直接后果是輔助源極鍵合線的熔斷和模塊的毀滅性失效。

為確保系統(tǒng)安全，工程設(shè)計必須采取分層防御策略：

基礎(chǔ)防御： 在每個并聯(lián)模塊的輔助源極處必須串聯(lián)0.5Ω～2Ω的電阻，這是防止鍵合線熔斷的最后一道防線。

性能優(yōu)化： 采用**柵極共模電感（CMC）**來抑制高頻振蕩，同時不犧牲開關(guān)速度。

驅(qū)動保護： 驅(qū)動器必須具備**米勒鉗位（Miller Clamp）**功能，防止dv/dt誘發(fā)的誤導(dǎo)通，并推薦使用具有獨立隔離或高同步性的驅(qū)動方案。

器件選型： 優(yōu)先選擇參數(shù)一致性好（Vth?分檔）、采用高強度Si3?N4?基板的模塊（如BASIC ED3系列），從物理層面提高系統(tǒng)的魯棒性。

通過上述綜合措施，可以有效馴服SiC MOSFET的“野性”，在享受其高頻高效優(yōu)勢的同時，確保并聯(lián)系統(tǒng)的長期可靠運行。

審核編輯 黃宇