nand閃存

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

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nand閃存資訊

預(yù)計(jì)NAND閃存價(jià)格將大幅上漲

據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來源，最有可能是SK Hynix，...

2020-01-06 標(biāo)簽：三星電子 SSD NAND閃存 4274 0

美光恢復(fù)對(duì)華為的部分芯片供應(yīng) 禁運(yùn)半月?lián)p失2億美元！

由于美國商務(wù)部將華為列入“實(shí)體清單”，多個(gè)美企與華為中止合作關(guān)系。作為業(yè)內(nèi)第三大DRAM芯片廠商和第五大NAND閃存生產(chǎn)廠商，美光也與華為停止合作。然而...

2019-07-01 標(biāo)簽：芯片華為美光 4031 0

東芝開始研究5bitPLC的NAND閃存 PLC將有更少的PE和更慢的性能

根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。

2019-08-26 標(biāo)簽：東芝 NAND閃存 3970 0

SK海力士將在大連新建NAND閃存工廠，并繼續(xù)加強(qiáng)在中國的投資

近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK...

2022-05-19 標(biāo)簽：NAND閃存 SK海力士 3763 0

NOR與NAND的閃存不同之處在哪

閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達(dá)到存儲(chǔ)電子信息的存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作...

2017-11-28 標(biāo)簽：nor nand閃存 3539 0

176層NAND閃存芯片的特點(diǎn)性能及原理

從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。

2020-12-15 標(biāo)簽：NAND NAND閃存 3504 0

Nand Flash中的壞塊(Bad Block）

2018-06-05 標(biāo)簽：NAND閃存 3410 0

長江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新，128層3D NAND閃存芯片問世

長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終...

2020-05-04 標(biāo)簽：NAND閃存長江存儲(chǔ) 3316 0

EMMC和NAND閃存的區(qū)別

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，存儲(chǔ)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)解決方案也在不斷進(jìn)步，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。EMMC（嵌入式多媒體卡）和NA...

2024-12-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)NAND閃存 emmc 3304 0

美光：已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存；東南大學(xué)-華大九天-NiiCEDA聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌…

11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采...

2020-11-13 標(biāo)簽：NAND閃存華大九天 3303 0

機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤的工作原理

機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤的工作原理機(jī)械硬盤(Mechanical Hard Disk Drive, HDD)和固態(tài)硬盤(Solid State Drive,...

2023-12-07 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤機(jī)械硬盤 3257 0

新型存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器介質(zhì)特性對(duì)比

目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspi...

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業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)？

2020年4月13日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在...

2020-04-13 標(biāo)簽：NAND閃存長江存儲(chǔ)qlc 3176 0

三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提...

2018-07-17 標(biāo)簽：三星電子 NAND閃存 3143 0

三星或?qū)⑹褂谩半p堆?！奔夹g(shù)量產(chǎn)第七代V-NAND

近日，美光（Micron）與西部數(shù)據(jù)（WD）傳出有意“收購 Kioxia（鎧俠）“，在業(yè)界掀起波瀾。

2021-05-01 標(biāo)簽：晶圓 NAND閃存西部數(shù)據(jù) 3130 0

Intel 3D XPoint與鎧俠XL-Flash哪個(gè)好

NAND閃存無疑是當(dāng)下乃至未來最主流的存儲(chǔ)技術(shù)，但也有不少新的存儲(chǔ)技術(shù)在探索和推進(jìn)，Intel 3D XPoint（傲騰）就是典型代表（曾與美光合作研發(fā)...

2020-01-02 標(biāo)簽：intel NAND閃存 3106 0

業(yè)內(nèi)預(yù)測(cè) NAND閃存價(jià)格走低有利于 NVMe SSD發(fā)展

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，NAND閃存價(jià)格的大幅下滑將加速SSD存儲(chǔ)的采用，到今年底前PCIe/NVMe SSD可能將占據(jù)市場(chǎng)一半的份額。

2019-04-02 標(biāo)簽：SSD NAND閃存 3059 0

三星部分DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片生產(chǎn)線暫停將導(dǎo)致重大損失

知情人士稱，停電事件很可能會(huì)造成三星數(shù)百萬美元的損失，但不會(huì)出現(xiàn)重大損失。2018年，三星平澤芯片工廠發(fā)生的半小時(shí)停電預(yù)計(jì)導(dǎo)致三星損失了大約500億韓元...

2020-01-02 標(biāo)簽：三星電子 SDRAM內(nèi)存 NAND閃存 2989 0

Intel回應(yīng)傲騰硬盤停產(chǎn)：轉(zhuǎn)向服務(wù)器市場(chǎng)

不少高端用戶會(huì)選擇三星980 Pro、西數(shù)黑盤等高性能SSD，然而最好的SSD應(yīng)該是Intel的傲騰，3D XPoint的延遲及可靠性是遠(yuǎn)超NAND閃存...

2021-01-20 標(biāo)簽：硬盤 intel NAND閃存 2976 0

長江存儲(chǔ)使用國產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片

9月20日最新資訊指出，長江存儲(chǔ)面對(duì)美國出口禁令及被列入實(shí)體清單的雙重挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出了強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力，成功引入國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備，實(shí)...

2024-09-20 標(biāo)簽：3D NAND閃存長江存儲(chǔ) 2961 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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