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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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DRAM芯片價(jià)格有望隨NAND溫和上漲

據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開(kāi)始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利...

2023-09-20 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.3k 0

存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來(lái)拐點(diǎn) DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格上調(diào)10%-20%

隨著下半年國(guó)內(nèi)手機(jī)品牌陸續(xù)推出新產(chǎn)品和iPhone15系列的發(fā)布，上游出貨壓力將逐步減輕，存儲(chǔ)芯片調(diào)整周期將接近尾聲，整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)可能迎來(lái)拐點(diǎn)。

2023-09-14 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 2.3k 0

三星計(jì)劃提高DRAM和NAND芯片價(jià)格

日前有消息稱，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來(lái)一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動(dòng)DRAM芯片銷售行業(yè)。

2023-09-14 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 1.7k 0

NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升，最高上漲5%

業(yè)內(nèi)人士說(shuō)：“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大，因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營(yíng)，擴(kuò)大減產(chǎn)，...

2023-09-11 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1.2k 0

美光業(yè)界領(lǐng)先的232 層NAND可滿足 AI 海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)需求

人類認(rèn)知與人工智能?(AI) 的結(jié)合標(biāo)志著第五次工業(yè)革命的開(kāi)始。在這個(gè)時(shí)代，人類與機(jī)器人協(xié)同工作，共同推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步。工業(yè) 5.0?正在將計(jì)算從邊緣推向世...

2023-09-08 標(biāo)簽：NAND 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1.3k 0

NAND平均成本上升，備貨需求回暖，近期存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情謹(jǐn)慎樂(lè)觀

隨著NAND資源供應(yīng)收緊，近期現(xiàn)貨NAND行情持續(xù)回溫，各環(huán)節(jié)陸續(xù)回補(bǔ)庫(kù)存，尤其有實(shí)際需求的終端積極備貨。不過(guò)目前行情主要是基于NAND wafer漲價(jià)...

2023-09-05 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 783 0

晶圓現(xiàn)貨市場(chǎng)的短期飆升有晶圓合約成功漲價(jià)10%

近期，受晶圓合約價(jià)格成功上漲的推動(dòng)，NAND Flash芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)部分產(chǎn)品的詢價(jià)活躍度有所上升。TrendForce報(bào)告稱，這一增長(zhǎng)主要源于8月底 N...

2023-09-04 標(biāo)簽：NAND 晶圓 SSD 785 0

國(guó)產(chǎn)品牌16TB SSD殺來(lái)！1899元？

根據(jù)集邦咨詢最新研究報(bào)告，預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會(huì)延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時(shí)，至少在2024年上半年，消費(fèi)電子市場(chǎng)需求...

2023-09-01 標(biāo)簽：SATA NAND SSD 1.9k 0

三星將在2024年升級(jí)NAND設(shè)備供應(yīng)鏈

三星業(yè)績(jī)近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。

2023-08-30 標(biāo)簽：閃存 NAND NAND閃存 842 0

SD NAND、SPI NAND和Raw NAND的比較

SDNAND、SPINAND和RawNANDSDNANDSPINANDRawNAND接口SD/SPISPI并口ecc有有部分有壞塊管理有————磨損平均...

2023-08-28 標(biāo)簽：NAND SD 測(cè)試座 2.2k 0

SD NAND相對(duì)于NOR Flash的優(yōu)勢(shì)

一、SDNAND和NORFlashSDNAND和NORFlash在不同的方面都有著不同的優(yōu)劣勢(shì)，SDNANDNORFlash成本SDNAND相對(duì)較便宜N...

2023-08-28 標(biāo)簽：NAND FlaSh SD 1.5k 0

SD NAND使用注意事項(xiàng)和焊接/解焊溫度

散包裝SDNAND的使用注意事項(xiàng)1、若購(gòu)買散包裝，請(qǐng)務(wù)必上線前120℃烘烤8小時(shí)。2、若物料沒(méi)有全部使用，剩余部分請(qǐng)務(wù)必存放于氮?dú)夤窕虺檎婵毡４?，再次?..

2023-08-28 標(biāo)簽：NAND SD TF卡 2.8k 0

紫光國(guó)微上半年凈利潤(rùn)13.92億元，同比增長(zhǎng)16.22%

　在特殊集成電路領(lǐng)域，紫光國(guó)微的fpga產(chǎn)品繼續(xù)保持著行業(yè)市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，用戶范圍也在不斷擴(kuò)大。新一代高性能產(chǎn)品的研發(fā)正在順利進(jìn)行，即將完成研發(fā)。特殊n...

2023-08-24 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)器 1.1k 0

三星將于2024年量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

　最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之...

2023-08-18 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器多線程技術(shù) 2k 0

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今...

2023-08-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)器 1.2k 0

NAND存儲(chǔ)芯片廠商掀起減產(chǎn)浪潮

由于長(zhǎng)期nand型需求沒(méi)有得到恢復(fù)，鎧俠將在日本巖手縣其他場(chǎng)建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動(dòng)時(shí)間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設(shè)備的交貨也在推遲。

2023-08-14 標(biāo)簽：NAND 晶圓存儲(chǔ)芯片 937 0

SD NAND FLASH : 什么是pSLC?

一、什么是pSLCpSLC（Pseudo-SingleLevelCell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)NandFlash基...

2023-08-11 標(biāo)簽：NAND FlaSh SD 2.7k 0

pSLC 閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ) 2.2k 0

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND！

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND...

2023-08-10 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1.9k 0

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星 1.9k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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