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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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SD NAND、SPI NAND和Raw NAND的比較

SDNAND、SPINAND和RawNANDSDNANDSPINANDRawNAND接口SD/SPISPI并口ecc有有部分有壞塊管理有————磨損平均...

2023-08-28 標(biāo)簽：NAND SD 測試座 2.1k 0

SD NAND相對于NOR Flash的優(yōu)勢

一、SDNAND和NORFlashSDNAND和NORFlash在不同的方面都有著不同的優(yōu)劣勢，SDNANDNORFlash成本SDNAND相對較便宜N...

2023-08-28 標(biāo)簽：NAND FlaSh SD 1.4k 0

SD NAND使用注意事項(xiàng)和焊接/解焊溫度

散包裝SDNAND的使用注意事項(xiàng)1、若購買散包裝，請務(wù)必上線前120℃烘烤8小時。2、若物料沒有全部使用，剩余部分請務(wù)必存放于氮?dú)夤窕虺檎婵毡４妫俅紊?..

2023-08-28 標(biāo)簽：NAND SD TF卡 2.5k 0

紫光國微上半年凈利潤13.92億元，同比增長16.22%

　在特殊集成電路領(lǐng)域，紫光國微的fpga產(chǎn)品繼續(xù)保持著行業(yè)市場的領(lǐng)先地位，用戶范圍也在不斷擴(kuò)大。新一代高性能產(chǎn)品的研發(fā)正在順利進(jìn)行，即將完成研發(fā)。特殊n...

2023-08-24 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲器 1k 0

三星將于2024年量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

　最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲器制作成兩個獨(dú)立的程序之...

2023-08-18 標(biāo)簽：NAND 存儲器多線程技術(shù) 1.9k 0

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今...

2023-08-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲器 1.1k 0

NAND存儲芯片廠商掀起減產(chǎn)浪潮

由于長期nand型需求沒有得到恢復(fù)，鎧俠將在日本巖手縣其他場建設(shè)的生產(chǎn)工廠的啟動時間從當(dāng)初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設(shè)備的交貨也在推遲。

2023-08-14 標(biāo)簽：NAND 晶圓存儲芯片 798 0

SD NAND FLASH : 什么是pSLC?

一、什么是pSLCpSLC（Pseudo-SingleLevelCell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)NandFlash基...

2023-08-11 標(biāo)簽：NAND FlaSh SD 2.5k 0

pSLC 閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲 2.1k 0

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND！

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND...

2023-08-10 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1.8k 0

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價漲幅為15%

據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星 1.8k 0

三星電子堅(jiān)持下調(diào)DRAM和NAND產(chǎn)能，即便市場需求上升

? ? ? 近日有消息稱，三星電子在當(dāng)?shù)貢r間周四發(fā)布的二季度財報中預(yù)計(jì)，存儲芯片的需求在下半年將逐漸恢復(fù)，但是即便如此，三星電子并沒有計(jì)劃增加產(chǎn)量，并且...

2023-07-31 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 740 0

【貼片SD Card介紹】貼片式tf卡/SD NAND/SD2.0協(xié)議

申請到雷龍發(fā)展代理的CS創(chuàng)世貼片SDCard(SDNAND)樣品，做出測試，分享一下。型號：CSNP32GCR01-BOW；CSNP4GCR01-BOW...

2023-07-28 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲 1.9k 0

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D T...

2023-07-19 標(biāo)簽：閃存 NAND 數(shù)據(jù)傳輸 1.7k 0

盡管NAND市場持續(xù)低迷，長江存儲逆勢漲價凸顯主場優(yōu)勢！| 百能云芯

盡管NAND市況持續(xù)低迷，但供應(yīng)鏈傳出，長江存儲繼第2季率先調(diào)漲報價后，近期再度提升報價約5%，坐擁中國龐大內(nèi)需消費(fèi)市場，享盡主場優(yōu)勢。

2023-07-18 標(biāo)簽：NAND 存儲器 SSD 1.3k 0

消息稱供應(yīng)商擬Q4提前拉貨，推動DRAM價格上漲

在nand，供應(yīng)商正在試圖減少價格下跌。但由于csp（云服務(wù)提供企業(yè)）的需求持續(xù)減少，nand價格的穩(wěn)定出現(xiàn)了問題。目前，該公司預(yù)測說，谷歌和微軟的na...

2023-07-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 供應(yīng)商 971 0

回暖！這類芯片開始漲價！

閃存控制芯片商群聯(lián)執(zhí)行長潘健成近日透露，NAND原廠自第二季開始陸續(xù)釋出逐漸漲價的訊號，包括7月份啟動新訂單調(diào)漲價格、或既有訂單重新議價，這代表NAND...

2023-07-11 標(biāo)簽：芯片 NAND 物聯(lián)網(wǎng) 873 0

群聯(lián)CEO：NAND市場回暖跡象顯現(xiàn) 部分主控芯片供不應(yīng)求

業(yè)界專家認(rèn)為，隨著最終市場的庫存下降到適當(dāng)水平，主要綜合需求者們接受了nand價格的進(jìn)一步下降是有限度的這一點(diǎn)。雖然所有手機(jī)的出貨量在減少，但是板容量的...

2023-07-11 標(biāo)簽：NAND 固態(tài)硬盤 764 0

市場回暖？這類芯片即將漲價！

調(diào)整許久的存儲芯片市場終于有了改善的信號。群聯(lián)透露NAND原廠自第二季開始陸續(xù)釋出逐漸漲價的訊號。

2023-07-11 標(biāo)簽：NAND 移動通信 DRAM芯片 1.3k 0

一塊寶藏存儲芯片【SD NAND】

————————————————深圳市雷龍發(fā)展專注存儲行業(yè)13年，專業(yè)提供小容量存儲解決方案，感興趣的工程師可申請免費(fèi)樣品測試?。。?/p>

2023-07-07 標(biāo)簽：芯片 NAND 存儲芯片 660 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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