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      標(biāo)簽　>　nand

      nand

      nand

      +關(guān)注16人關(guān)注

      NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1542個(gè) 瀏覽：138087次 帖子：345個(gè)

      nand資訊

      佰維高性能CFexpress卡解決方案 挑戰(zhàn)讀寫(xiě)速度和讀寫(xiě)穩(wěn)定性

      隨著專(zhuān)業(yè)相機(jī)和高端攝像設(shè)備的更新迭代，4K、8K等高分辨率設(shè)備的出現(xiàn)和逐步普及，用戶(hù)對(duì)于存儲(chǔ)卡的性能要求也越來(lái)越高。其中， 讀寫(xiě)速度 和讀寫(xiě) 穩(wěn)定性 成...

      2022-10-28 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)卡NAND閃存 1207 0

      存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)環(huán)境惡化 DRAM芯片價(jià)格環(huán)比下降約20%

      SK海力士透露，第三季度用于設(shè)備和服務(wù)器的DRAM芯片價(jià)格環(huán)比下降了約20%；服務(wù)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)的NAND閃存芯片價(jià)格跌超20%。

      2022-10-27 標(biāo)簽：NAND閃存芯片存儲(chǔ)芯片 1286 0

      三星內(nèi)存的DRAM和NAND路線(xiàn)圖解析

      這家全球最大的內(nèi)存芯片制造商和智能手機(jī)生產(chǎn)商周五估計(jì)，截至 9 月底的三個(gè)月?tīng)I(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 108 億韓元（77 億美元），同比下降 32%。

      2022-10-26 標(biāo)簽：DRAMNAND三星 1853 0

      NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢(shì)

      NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢(shì)

      圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話(huà)已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)揘AND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么...

      2022-10-25 標(biāo)簽：控制器NANDusb 1926 0

      工業(yè)4.0：您需要的存儲(chǔ)類(lèi)型

      　　工業(yè)4.0旨在為生產(chǎn)系統(tǒng)的構(gòu)成帶來(lái)巨大的變化，但最重要的是改變它們創(chuàng)造價(jià)值的方式以及它們與周?chē)澜绲幕?dòng)方式。工業(yè)4.0建立在工業(yè)3.0期間實(shí)現(xiàn)的技...

      2022-10-24 標(biāo)簽：人機(jī)交互NAND工業(yè)4.0 912 0

      磨損均衡及其對(duì)SSD預(yù)期壽命的影響

      　　閃存中的數(shù)據(jù)按單元格、頁(yè)面和塊的層次結(jié)構(gòu)排列，數(shù)據(jù)一次寫(xiě)入一頁(yè)。NAND閃存架構(gòu)使得擦除只能在塊級(jí)別發(fā)生。此外，對(duì)固態(tài)硬盤(pán) （SSD） 中數(shù)據(jù)的訪(fǎng)問(wèn)...

      2022-10-24 標(biāo)簽：NANDSSD 2779 0

      存儲(chǔ)卡作為物聯(lián)網(wǎng)中的安全產(chǎn)品

      　　3D-NAND閃存技術(shù)，其中閃存單元垂直分層，正在成為用于強(qiáng)大和安全工業(yè)用途的存儲(chǔ)卡的最佳解決方案。雖然2D-SLC-NAND（SLC是最快，最可靠...

      2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式NAND物聯(lián)網(wǎng) 944 0

      利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題

      利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題

      隨著對(duì)新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過(guò)增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各...

      2022-10-24 標(biāo)簽：控制器NANDSSD 728 0

      NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

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      在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一...

      2022-10-24 標(biāo)簽：閃存NAND 1910 0

      一種用于3D TLC NAND的彈性糾錯(cuò)方案

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      由于3D結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，可能會(huì)發(fā)生多種錯(cuò)誤。特別是在高容量系統(tǒng)中，這些問(wèn)題需要NAND閃存控制器和先進(jìn)的糾錯(cuò)算法。

      2022-10-24 標(biāo)簽：顯示器控制器NAND 920 0

      不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求推動(dòng)更多的NAND進(jìn)入汽車(chē)設(shè)計(jì)

      隨著汽車(chē)電氣化繼續(xù)快速發(fā)展，汽車(chē)子系統(tǒng)對(duì)閃存存儲(chǔ)的需求也在增加。其中許多子系統(tǒng)現(xiàn)在需要與現(xiàn)代智能手機(jī)和個(gè)人電腦一樣多的內(nèi)存和存儲(chǔ)，并且當(dāng)累積起來(lái)時(shí)，可能...

      2022-10-24 標(biāo)簽：智能手機(jī)NANDOTA 801 0

      存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)向高速PCI高速遷移

      這些帶有PCI Express接口的標(biāo)準(zhǔn)為這兩種存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)在未來(lái)的數(shù)字大容量存儲(chǔ)世界中賦予了新的生命和機(jī)遇。

      2022-10-24 標(biāo)簽：NAND接口 989 0

      固態(tài)硬盤(pán)斷電保護(hù)功能介紹

      斷電保護(hù) （PLP） 是一種機(jī)制，用于確保在發(fā)生突然斷電時(shí) SSD 寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。PLP需要控制器固件的技術(shù)支持，并在PCBA上添加電容器以提...

      2022-10-24 標(biāo)簽：控制器NANDSSD 4944 0

      用于嵌入式系統(tǒng)引導(dǎo)的閃存設(shè)備比較

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      許多嵌入式系統(tǒng)利用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼、配置參數(shù)以及系統(tǒng)斷電時(shí)持續(xù)存在的其他數(shù)據(jù)。如今，閃存在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中都扮演著這一角色。鑒于需要閃存的...

      2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式NANDCAN總線(xiàn) 1076 0

      逐步邁向工業(yè)存儲(chǔ)解決方案

      　　三級(jí)單元（TLC）、多級(jí)單元（MLC）、單層單元（SLC）、偽單層單元（pSLC）——有許多閃存技術(shù)。開(kāi)發(fā)人員需要了解存儲(chǔ)的基本機(jī)制和存儲(chǔ)級(jí)別的效果...

      2022-10-24 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 735 0

      為什么可靠的NAND閃存對(duì)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要

      　　在未來(lái)幾年，數(shù)百億臺(tái)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）設(shè)備將被連接起來(lái)，并產(chǎn)生從傳感器和應(yīng)用程序收集的大量數(shù)據(jù)。這些IIoT數(shù)據(jù)中的很大一部分最終將在邊緣存儲(chǔ)，...

      2022-10-24 標(biāo)簽：傳感器NAND物聯(lián)網(wǎng) 690 0

      在為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備時(shí)提出正確的問(wèn)題

      　　為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備或固態(tài)硬盤(pán) （SSD） 非常復(fù)雜。性?xún)r(jià)比比較沒(méi)有多大用處，因?yàn)樾枨篁?qū)動(dòng)的績(jī)效定義取決于許多因素。

      2022-10-24 標(biāo)簽：NANDSSD電池 664 0

      工業(yè)級(jí)閃存對(duì)嵌入式設(shè)計(jì)非常重要

      　　如果您緊跟當(dāng)今閃存設(shè)備的趨勢(shì)，您將不可避免地看到存儲(chǔ)容量在不斷降低價(jià)格點(diǎn)方面的驚人進(jìn)步。但是，當(dāng)您看到這些進(jìn)步背后的原因時(shí)，您會(huì)注意到更高的容量和更...

      2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式NAND 430 0

      邊緣計(jì)算應(yīng)用中的SSD如何保持高數(shù)據(jù)安全性和完整性

      邊緣計(jì)算應(yīng)用中的SSD如何保持高數(shù)據(jù)安全性和完整性

      人工智能 （AI） 是一種數(shù)據(jù)密集型計(jì)算密集型技術(shù)。在嵌入式計(jì)算系統(tǒng)中，它需要通常托管在微處理器或FPGA中的推理引擎來(lái)檢測(cè)一組數(shù)據(jù)中的模式。連接性和硬...

      2022-10-21 標(biāo)簽：嵌入式NANDSSD 1268 0

      如何以每個(gè)人都能理解的方式解釋閃光燈

      　　每個(gè)倉(cāng)庫(kù)都存儲(chǔ)著不同的東西。它們存儲(chǔ)的調(diào)色板包含所有形狀和大小的單元，具有不同的存儲(chǔ)要求。例如，它們可能需要在特定溫度下儲(chǔ)存?；蛘?，由于使用模式高，...

      2022-10-20 標(biāo)簽：嵌入式NAND 897 0

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        +關(guān)注
        云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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        非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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      • 福建晉華
        福建晉華
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        +關(guān)注
        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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      • Ceph
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