2022 年?11 月?2 日；內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的 1β DRAM 產(chǎn)品已開(kāi)始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗 LPDDR5X 移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒 8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用，基于 1β 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高性能的特點(diǎn)，能夠支持智能汽車(chē)和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用所需的快速響應(yīng)、實(shí)時(shí)服務(wù)、個(gè)性化和沉浸式體驗(yàn)。

繼 2021 年批量出貨基于 1α（1-alpha）節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品后，美光推出全球最先進(jìn)的 1β 節(jié)點(diǎn) DRAM，進(jìn)一步鞏固了市場(chǎng)領(lǐng)先地位。1β 技術(shù)可將能效提高約 15%，內(nèi)存密度提升 35%以上1，單顆裸片容量高達(dá) 16Gb。

美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“1β DRAM 產(chǎn)品融合了美光專(zhuān)有的多重曝光光刻技術(shù)、領(lǐng)先的制程技術(shù)及先進(jìn)材料能力，標(biāo)志著內(nèi)存創(chuàng)新的又一次飛躍。全球領(lǐng)先的 1β DRAM 制程技術(shù)帶來(lái)了前所未有的內(nèi)存密度，為智能邊緣和云端應(yīng)用迎接新一代數(shù)據(jù)密集型、智能化和低功耗技術(shù)奠定了基礎(chǔ)?！?/p>

此前，美光已在今年 7 月出貨全球首款 232 層 NAND，為存儲(chǔ)解決方案帶來(lái)了前所未有的性能和面密度。得益于美光在尖端研發(fā)與制程技術(shù)方面的深厚根基，這兩項(xiàng)業(yè)界首發(fā)預(yù)示著美光將繼續(xù)在內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新領(lǐng)域領(lǐng)跑市場(chǎng)。

隨著 LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)生態(tài)系統(tǒng)將率先受益于 1β DRAM 產(chǎn)品的顯著優(yōu)勢(shì)，從而解鎖下一代移動(dòng)創(chuàng)新和先進(jìn)的智能手機(jī)體驗(yàn)，并同時(shí)降低功耗。1β 技術(shù)的速率和密度將使高帶寬用例在下載、啟動(dòng)以及同時(shí)使用數(shù)據(jù)密集型的 5G 和人工智能應(yīng)用時(shí)，提供更快的響應(yīng)和流暢度。此外，基于 1β 節(jié)點(diǎn)的 LPDDR5X 不僅可以加速智能手機(jī)拍攝啟動(dòng)，提升夜間模式和人像模式下的拍攝速度和清晰度，還可以實(shí)現(xiàn)無(wú)抖動(dòng)、高分辨率 8K 視頻錄制和便捷的手機(jī)視頻編輯。

1β 制程技術(shù)能實(shí)現(xiàn)比以往更低的每比特功耗，為智能手機(jī)提供了目前市場(chǎng)上最節(jié)能的內(nèi)存技術(shù)。它將助力智能手機(jī)制造商推出更長(zhǎng)續(xù)航的設(shè)備——消費(fèi)者在使用高能耗、數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用時(shí)，延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間將至關(guān)重要。

全新 JEDEC 增強(qiáng)型動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)擴(kuò)展核心（eDVFSC）技術(shù)使基于 1β 的 LPDDR5X 更加節(jié)能。在高達(dá) 3200 Mbps2?的雙倍頻率層上添加 eDVFSC，可改善節(jié)能控制，從而基于獨(dú)特的終端用戶(hù)模式實(shí)現(xiàn)更低功耗。

美光通過(guò)先進(jìn)的光刻技術(shù)

和納米級(jí)制造工藝挑戰(zhàn)物理定律

美光領(lǐng)先業(yè)界的 1β 節(jié)點(diǎn)可在更小的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量，從而降低單位數(shù)據(jù)成本。DRAM 的擴(kuò)展性很大程度上取決于每平方毫米半導(dǎo)體晶圓面積上集成更多更快內(nèi)存的能力，這就需要縮小電路面積，從而在指甲大小的芯片上容納數(shù)十億個(gè)內(nèi)存單元。幾十年來(lái)，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)每年或每?jī)赡甓紩?huì)縮小器件尺寸。但隨著芯片變得越來(lái)越小，在晶圓上定義電路圖案需要挑戰(zhàn)物理定律。

為了克服這些技術(shù)挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始使用具備極紫外光刻技術(shù)的新設(shè)備。但是，該技術(shù)仍處于發(fā)展初期。為規(guī)避技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)，美光采用了其成熟的尖端納米制造和光刻技術(shù)。公司憑借專(zhuān)有的先進(jìn)多重曝光技術(shù)和浸潤(rùn)式光刻技術(shù)，以最高精度在微小尺寸上形成圖案。縮小器件尺寸從而提供更大容量，還將使智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等外形尺寸較小的設(shè)備能夠在緊湊的空間里集成更大的內(nèi)存。

為了在 1β 和 1α 節(jié)點(diǎn)取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，美光在過(guò)去數(shù)年還積極提升卓越制造、工程能力和開(kāi)創(chuàng)性研發(fā)。加速創(chuàng)新使美光比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提前一年率先實(shí)現(xiàn) 1α 節(jié)點(diǎn)技術(shù)量產(chǎn)，從而在公司的歷史上首次同時(shí)確立了在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位3。多年來(lái)，美光已進(jìn)一步投資數(shù)十億美元，將晶圓廠(chǎng)打造成高度自動(dòng)化、可持續(xù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的先進(jìn)設(shè)施。這其中包括對(duì)日本廣島工廠(chǎng)的投資，美光將在這里量產(chǎn)基于 1β 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。

1β 節(jié)點(diǎn)為無(wú)處不在的互聯(lián)

和可持續(xù)世界奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)

隨著機(jī)器對(duì)機(jī)器通信、人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等高能耗應(yīng)用興起，節(jié)能技術(shù)對(duì)企業(yè)顯得愈發(fā)重要，特別對(duì)那些希望滿(mǎn)足嚴(yán)格的可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)和降低運(yùn)營(yíng)支出的企業(yè)而言更是如此。研究人員發(fā)現(xiàn)，訓(xùn)練單個(gè)人工智能模型所產(chǎn)生的碳排放量是一輛美國(guó)汽車(chē)全生命周期（包括制造）碳排放量的五倍。此外，到 2030 年，信息和通信技術(shù)預(yù)計(jì)將消耗全球 20%的電力。

互聯(lián)世界需要快速、無(wú)處不在、節(jié)能的內(nèi)存產(chǎn)品來(lái)助推數(shù)字化、最優(yōu)化和自動(dòng)化，而美光的 1β DRAM 節(jié)點(diǎn)為此提供了一個(gè)全面的基礎(chǔ)?；?1β 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品具備高密度、低功耗特點(diǎn)，能夠在數(shù)據(jù)密集型智能設(shè)備、系統(tǒng)和應(yīng)用程序之間實(shí)現(xiàn)更節(jié)能的數(shù)據(jù)流動(dòng)，并為智能邊緣和云端應(yīng)用提供更強(qiáng)的智能特性。美光于未來(lái)的一年中將在諸如嵌入式、數(shù)據(jù)中心、客戶(hù)端、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、工業(yè)和汽車(chē)等其他應(yīng)用中量產(chǎn) 1β 節(jié)點(diǎn)，推出包括顯示內(nèi)存和高帶寬內(nèi)存等產(chǎn)品。

1 與上一代 1α?節(jié)點(diǎn)對(duì)比?

2 與支持 DVFSC?的 1α 節(jié)點(diǎn) 1600 Mbps 相比

3 繼美光于 2020 年 11 月批量出貨行業(yè)領(lǐng)先的 176 層 NAND 之后