三星意圖拉大與對(duì)手間的差距，2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元

韓國(guó)業(yè)界最近指出，三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元，預(yù)計(jì)將以韓國(guó)平澤、中國(guó)西安為主，擴(kuò)大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模，期望...

2018-08-05 標(biāo)簽：NAND三星電子 1.6k 0

東芝在Q4擴(kuò)大96層3D NAND產(chǎn)品出貨量，各家原廠在96層和QLC技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES...

2018-08-05 標(biāo)簽：東芝NAND 1.6k 0

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，容量更大成本更低

今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D N...

2018-08-03 標(biāo)簽：閃存NAND美光 1.7k 0

群聯(lián)SSD晶片通過(guò)3D NAND Flash BiCS3測(cè)試，將可望擴(kuò)大SSD市占率

NAND Flash控制IC大廠群聯(lián)日前宣布，PCI-e規(guī)格的固態(tài)硬碟（SSD）晶片已經(jīng)通過(guò)3D NAND Flash BiCS3測(cè)試，下半年將成為PC...

2018-08-03 標(biāo)簽：NANDSSD 2.4k 0

NAND形成規(guī)模，產(chǎn)能過(guò)剩的風(fēng)險(xiǎn)日益高企

NAND供應(yīng)過(guò)剩問(wèn)題的可能性正快速提高——隨著存儲(chǔ)器供應(yīng)量的持續(xù)提升，市場(chǎng)很可能無(wú)法消化或者將這些存儲(chǔ)資源轉(zhuǎn)化成令供應(yīng)商滿意的利潤(rùn)空間。

2018-08-02 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 3.4k 0

3D NAND Flash技術(shù)發(fā)展到極限，5年內(nèi)利潤(rùn)空間恐壓縮至零

日前SK海力士（SK Hynix）預(yù)料，3D NAND Flash發(fā)展到200層左右將達(dá)可生產(chǎn)性極限，5年內(nèi)利潤(rùn)空間恐壓縮至零，需業(yè)界合作開發(fā)新材料因應(yīng)。

2018-08-01 標(biāo)簽：NANDSK海力士 2.9k 0

英特爾采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤發(fā)布，以便擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)

近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。

2018-08-01 標(biāo)簽：英特爾NAND 1.2k 0

美光擴(kuò)大在新加坡的研發(fā)業(yè)務(wù)，致力于制造3D NAND閃存

半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。

2018-08-01 標(biāo)簽：閃存NAND美光 2.9k 0

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來(lái)哪些性能？

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并...

2018-07-31 標(biāo)簽：nand長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.1k 0

美高森美擴(kuò)展存儲(chǔ)適配器解決方案 再度增強(qiáng)靜態(tài)數(shù)據(jù)安全性

Adaptec SmartRAID系列中的新型產(chǎn)品為企業(yè)存儲(chǔ)提供全新級(jí)別的解決方案集成和增強(qiáng)的靜態(tài)數(shù)據(jù)安全性。

2018-07-31 標(biāo)簽：nand適配器raid 6.5k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將首次公布3D NAND閃存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）宣布，將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）。

2018-07-30 標(biāo)簽：閃存nand長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.7k 0

東芝落后競(jìng)爭(zhēng)同業(yè)，3D NAND或?qū)⒃馐艽鬀_擊

NAND 型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）正迎來(lái) 10 年一度的需求熱潮，也造成做為原料的硅晶圓供應(yīng)不足，當(dāng)前庫(kù)存水準(zhǔn)已滑落至歷史新低，各家半導(dǎo)...

2018-07-28 標(biāo)簽：東芝NAND 1.5k 0

從下游需求結(jié)構(gòu)看國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)局勢(shì)

下游需求結(jié)構(gòu)來(lái)看，手機(jī)、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲(chǔ)器芯片。主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)以DRAM及NANDFlash為主，立基型存儲(chǔ)器則以EEPROM、小...

2018-07-27 標(biāo)簽：DRAMNANDSSD 2.9k 0

3D NAND閃存技術(shù)成熟：產(chǎn)量增長(zhǎng)高于需求，降價(jià)是必然趨勢(shì)

亞洲內(nèi)存芯片制造商的生產(chǎn)計(jì)劃和前景將受到密切關(guān)注，本周這些制造商將開始陸續(xù)公布季度財(cái)報(bào)。此前，由于擔(dān)心長(zhǎng)達(dá)兩年時(shí)間的行業(yè)繁榮超級(jí)周期可能會(huì)終結(jié)，這些公司...

2018-07-27 標(biāo)簽：閃存NAND 923 0

SK海力士發(fā)布財(cái)報(bào)：看完你就知道DARM和NAND有多賺錢了？

據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)第二大芯片制造商SK海力士周四發(fā)布財(cái)報(bào)稱，受益于DARM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片需求強(qiáng)勁的推動(dòng)，該公司第二季度凈利潤(rùn)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4.3...

2018-07-27 標(biāo)簽：NANDSK海力士 4.1k 0

宜鼎推出獨(dú)家研發(fā)的iSLC NAND閃存，性能高壽命長(zhǎng)

隨著SSD固態(tài)硬盤的推廣普及，它高速、低能耗、低噪音的優(yōu)勢(shì)的確深受眾多消費(fèi)市場(chǎng)喜愛(ài)，但對(duì)于追求高可靠性和高經(jīng)濟(jì)投入效益平衡的企業(yè)級(jí)用戶而言，SSD這個(gè)產(chǎn)...

2018-07-26 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 2.1k 0

西部數(shù)據(jù)與東芝的QLC芯片

XG6提供五年質(zhì)保與150萬(wàn)小時(shí)平均故障前運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)。具體使用壽命信息目前尚不明確。東芝公司正在向OEM廠商提供樣品，這款驅(qū)動(dòng)器將主要用于PC/移動(dòng)端、嵌...

2018-07-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器NAND閃存技術(shù) 4.8k 0

DRAM供給不足，PC廠商年底或漲價(jià)

2018年以來(lái)，DRAM供貨依然吃緊，預(yù)計(jì)第三季價(jià)格仍會(huì)有小幅增長(zhǎng)。而 NAND Flash 今年以來(lái)供貨過(guò)量，價(jià)格節(jié)節(jié)下滑。

2018-07-16 標(biāo)簽：DRAMNANDPC 4.1k 0