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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光擴(kuò)大在新加坡的研發(fā)業(yè)務(wù),致力于制造3D NAND閃存

美光擴(kuò)大在新加坡的研發(fā)業(yè)務(wù),致力于制造3D NAND閃存

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3D NAND開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)加劇 “5bit/cell”技術(shù)也出現(xiàn)了

比特位的技術(shù)),實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前,最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如,英特爾(Intel)和美科技(Micron)的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC(四層單元)技術(shù)相結(jié)合,該技
2019-08-10 00:01:008135

旺宏將于2020年開始出貨3D NAND

臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示,旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966

英特爾再繪新版圖,3D NAND指日可待

IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與科技的合資公司,日前,該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729

SanDisk:3D NAND閃存開始出擊

7月24日國外消息:SanDisk3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561

3D垂直NAND閃存 輕松提升SSD容量

最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512858

三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了,TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470

干貨!一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今(Micron)也宣布研發(fā)3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661

3D XPoint固態(tài)硬盤首次現(xiàn)身 Facebook對(duì)商用興趣濃厚

近日,美國加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,科技(Micron)揭示了基于3D XPoint(相變存儲(chǔ))技術(shù)固態(tài)硬盤的性能數(shù)據(jù)。光在大會(huì)上展示,相較
2016-08-12 13:59:381518

3D NAND低成本制程分析 海力士/東芝能否趕上?

目前,我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì),但三星與顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于,海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否也拿出同樣具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品?
2016-09-12 13:40:252173

SK Hynix月底量產(chǎn)48層堆棧3D NAND閃存 三星后第二家

目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
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要小心降價(jià):3D閃存產(chǎn)能即將爆發(fā) SSD會(huì)越來越便宜

各大原廠已經(jīng)2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒,由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問題,如今3D NAND的良品率并不高,總產(chǎn)量也不夠高,因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場(chǎng)價(jià)格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:383369

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速
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3D閃存制造工藝與挑戰(zhàn)

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì),本文介紹了3D閃存制造工藝與挑戰(zhàn)。
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推出首款3D XPoint閃存 展現(xiàn)出了3D XPoint閃存的強(qiáng)大實(shí)力

Intel的傲騰系列閃存上因?yàn)槭褂昧俗钚碌?b class="flag-6" style="color: red">3D XPoint閃存所以其速度和耐用性都給人留下了深刻的印象。而當(dāng)年和Intel一起合作開發(fā)3D XPoint的光在昨天也終于正式宣布推出自己的首款3D XPoint產(chǎn)品——X100。
2019-11-27 17:01:071214

量產(chǎn)128層3D NAND閃存;小米授出3674萬股獎(jiǎng)勵(lì)股份…

光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃,將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889

:已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存;東南大學(xué)-華大九天-NiiCEDA聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌…

11月12日消息今日,科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599

宣布:停止移動(dòng) NAND開發(fā),包括終止UFS5開發(fā)

針對(duì)“近日中國區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整”一事,正式回應(yīng)CFM閃存市場(chǎng): 鑒于移動(dòng) NAND 產(chǎn)品市場(chǎng)持續(xù)疲軟的財(cái)務(wù)表現(xiàn),以及相較其他 NAND 機(jī)會(huì)增長(zhǎng)放緩,我們將在全球范圍內(nèi)停止未來移動(dòng) NAND
2025-08-12 13:39:302945

實(shí)錘!中國區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整!官方停止移動(dòng)NAND開發(fā)

業(yè)務(wù)調(diào)整或?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">美光在華業(yè)務(wù)持續(xù)收縮的重要信號(hào)。 ? 針對(duì)“近日中國區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整”一事,正式回應(yīng)表示: ? 鑒于移動(dòng)NAND產(chǎn)品市場(chǎng)持續(xù)疲軟的財(cái)務(wù)表現(xiàn),以及相較其他 NAND 機(jī)會(huì)增長(zhǎng)放緩,我們將在全球范圍內(nèi)停止未來移動(dòng)NAND產(chǎn)品的開發(fā),
2025-08-13 08:46:003056

3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00

3D打印技術(shù)航空航天領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴(kuò)大

,市場(chǎng)規(guī)??焖僭鲩L(zhǎng),航空航天領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴(kuò)大。??3D打印技術(shù)持續(xù)發(fā)展,市場(chǎng)規(guī)??焖僭鲩L(zhǎng)??3D打印技術(shù)技術(shù)方法、制造平臺(tái)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等方面取得重要進(jìn)展,市場(chǎng)規(guī)模方面保持快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。??3D打印
2019-07-18 04:10:28

3D打印技術(shù)是怎么推動(dòng)制造業(yè)的

S800的愛司凱科技股份有限公司,就走在了行業(yè)前列。多年來,愛司凱科技股份有限公司致力于開發(fā)用于工業(yè)級(jí)生產(chǎn)的大型3D打印機(jī),采用3DP的方式將工業(yè)生產(chǎn)中制摸工藝及效率大大提升,生產(chǎn)周期從幾個(gè)月縮短到
2018-08-11 11:25:58

3D打印技術(shù),推動(dòng)手板打樣從概念到成品的高效轉(zhuǎn)化

技術(shù)本身的創(chuàng)新,也得益市場(chǎng)對(duì)手板打樣和小批量生產(chǎn)需求的持續(xù)增長(zhǎng)。 從降本增效的角度來看,3D打印技術(shù)資源利用和成本控制方面展現(xiàn)了出其巨大的市場(chǎng)潛力和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。它能夠根據(jù)產(chǎn)品制造的實(shí)際需求,提前設(shè)定
2024-12-26 14:43:27

3D混合制造技術(shù)介紹

微波器件指天線/功分器/PA功放/波導(dǎo)等等,安裝在衛(wèi)星/飛機(jī)上的部件需要輕質(zhì)化,一般采用鋁合金制造,但器件一些部分之間需要絕緣處理,能否一體化3D制造,節(jié)省制造成本且降低組裝調(diào)試費(fèi)用?還能大幅度
2019-07-08 06:25:50

NAND需求疲軟 東芝挫敗成就

本帖最后由 小水滴02 2012-9-24 17:04 編輯  觀點(diǎn):盡管NAND閃存市場(chǎng)需求在一定程度上受到了經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響,但市場(chǎng)卻逆勢(shì)增長(zhǎng),其市場(chǎng)份額首次突破20%大。這是其
2012-09-24 17:03:43

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

`CFMS2018近日成功舉辦,來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖,與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星:看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05

發(fā)光字3D打印技術(shù)交流

`智壘電子科技(武漢)有限公司(TMTCTW)2013年武漢光谷正式成立,是一家致力于研發(fā)生產(chǎn)與銷售服務(wù)各類3D打印機(jī)設(shè)備和抄數(shù)機(jī)的高科技外貿(mào)企業(yè),同時(shí)公司也提供專業(yè)的數(shù)字化設(shè)計(jì)與解決方案等服務(wù)
2018-10-13 15:21:21

芯片的3D化歷程

優(yōu)勢(shì),或許,未來將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來,存儲(chǔ)產(chǎn)品也開始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當(dāng)中,也
2020-03-19 14:04:57

藍(lán)牙將致力于推動(dòng)哪些領(lǐng)域的連接?

為什么要選擇藍(lán)牙?藍(lán)牙將致力于推動(dòng)哪些領(lǐng)域的連接?
2021-05-13 06:31:57

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Micron公司因其DRAM和NAND閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng) 科技股份有限公司近日宣布,Semiconductor Insights選擇公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
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Intel、宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存   由Intel、光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片,并相信足以
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科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存,這兌現(xiàn)了它們對(duì)快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
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英特爾將向出售合資NAND閃存廠股份

北京時(shí)間2月29日凌晨消息,英特爾同意與科技擴(kuò)大閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作,提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議,將為英特爾供貨NAND閃存產(chǎn)品,而英特
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計(jì)劃在海外建首座3D封測(cè)廠 落腳臺(tái)灣中科

繼以一千三百億元新臺(tái)幣收購華亞科股權(quán)后,決定擴(kuò)大在臺(tái)投資,計(jì)劃在中科興建光在海外首座3D架構(gòu)的存儲(chǔ)器封測(cè)廠,并網(wǎng)羅前艾克爾(Amkor)總經(jīng)理梁明成出任這項(xiàng)業(yè)務(wù)臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理,新投資計(jì)劃預(yù)定十二日宣布。
2016-12-05 11:07:42840

發(fā)布全新5100系列SSD,配備3D eTLC閃存

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2016-12-06 10:34:444672

蘋果閃存芯供應(yīng)商推出256Gb 3D NAND 或用于未來iPhone

據(jù)報(bào)道,蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊,這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元,單個(gè)
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3D NAND 將會(huì)在今年大放異彩

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2017-05-03 01:02:501621

3D NAND對(duì)比2D NAND的優(yōu)勢(shì)

的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么,到底什么是閃存顆?2D NAND3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系? 閃存顆粒到底是什么? 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266

3D NAND產(chǎn)能增長(zhǎng)迅速,SSD價(jià)格跌至歷史谷底

2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年,主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較2D NAND技術(shù),64層256Gb和512Gb市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918

若英特爾與紫光集團(tuán)合體進(jìn)攻3D NAND市場(chǎng),恐讓市場(chǎng)供需失衡

集微網(wǎng)消息,1月9日,英特爾(Intel)宣布與(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚(yáng)鑣。今日臺(tái)灣DIGITIMES報(bào)道指出,業(yè)界透露英特爾3D NAND布局押寶大陸市場(chǎng),不僅
2018-01-10 19:43:16679

英特爾將于紫光合作,中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片

上周,隨著英特爾和美宣布未來雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí),有外媒報(bào)道,英特爾將于紫光合作,中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。未來幾年,英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:555172

閃存儲(chǔ)器的路線之爭(zhēng)

最近的新聞報(bào)導(dǎo)指出,英特爾(Intel)與(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手,肇因對(duì)未來3D NAND Flash發(fā)展的看法差異,想來合理,且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785

3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)之際加快發(fā)展步伐

的平面閃存3D存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝,技術(shù)工藝差別較大,而且相對(duì)2D NAND來說,國際大廠3D存儲(chǔ)器布局方面走得并不遠(yuǎn)。
2018-06-20 17:17:495087

5200系列 SATA SSD:基于64層3D NAND技術(shù),簡(jiǎn)便且經(jīng)濟(jì)高效

科技公司推出了5200系列 SATA SSD,該產(chǎn)品基于64層3D NAND技術(shù),5200系列固態(tài)盤為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的虛擬化工作負(fù)載提供了成本優(yōu)化的SATA平臺(tái),這些工作負(fù)載HDD,BI / DSS,VDI,塊/對(duì)象和媒體流。
2018-07-23 17:01:006867

MX500系列SSD:64層3D TLC NAND閃存,性價(jià)比高

由于NAND閃存價(jià)格上漲,SSD普及的道路走的異常艱難,同容量下SSD和HDD的價(jià)格始終相差懸殊,但今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存,把SSD的價(jià)格和性能控制一個(gè)很好的平衡點(diǎn),具有極高的性價(jià)比和極強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391

英特爾采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤發(fā)布,以便擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)

近日,英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤,加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:541237

第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683

英特爾與64層3D NAND備受關(guān)注,或?qū)⒓せ瓘S爭(zhēng)奪96層3D NAND技術(shù)

上周,系與英特爾推出了64層3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架構(gòu)相較TLC(3bits/cell)容量更大,使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb,備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599

3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)

今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

,今年的ISSCC大會(huì)上還公布了容量高達(dá)768Gb的3D NAND閃存論文,雖然短時(shí)間可能不會(huì)量產(chǎn),但已經(jīng)給人帶來了希望。?Intel的殺手锏:3D XPoint閃存?IMFT3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39780

聯(lián)蕓科技對(duì)外發(fā)布支持96層鎂光B27A的 3D TLC NAND閃存顆粒

研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解,MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片,已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒,繼今年9月國內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)
2018-11-19 17:22:318411

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨(dú)霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今(Micron)也宣布研發(fā)3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,2016年7月中國武漢成立,是一家專注3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147

中國首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-19 11:10:091144

中國量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)帶來什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-23 17:05:241455

將推出最新的第四代3D NAND閃存

宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180

第四代3D NAND芯片將量產(chǎn) 計(jì)劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機(jī)遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,系存儲(chǔ)巨頭,的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043

三星擴(kuò)大西安3D NAND工廠設(shè)施,新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報(bào)道,三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458

默克聯(lián)手AMCM 致力于開發(fā)和生產(chǎn)3D打印藥片

近日,默克公司宣布,將與EOS集團(tuán)旗下的AMCM合作,致力于開發(fā)和生產(chǎn)3D打印藥片,用于臨床試驗(yàn),然后用于商業(yè)生產(chǎn)。
2020-03-13 10:29:042381

英特爾與簽署3D XPoint存儲(chǔ)晶圓新的供應(yīng)協(xié)議

在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后,英特爾近日又與簽署了新的 3D XPoint 存儲(chǔ)器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出,鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商,其需要向支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:142525

Intel與光達(dá)成新協(xié)議 將繼續(xù)獲得3D XPoint產(chǎn)品供應(yīng)

Intel近日與光在3D XPoint閃存供應(yīng)事項(xiàng)上面達(dá)成了新的協(xié)議,分析師認(rèn)為,他們向支付了以前更多的錢以繼續(xù)獲得3D XPoint產(chǎn)品的供應(yīng)。
2020-03-23 08:52:432863

即將量產(chǎn)第四代3D NAND存儲(chǔ)器 層數(shù)達(dá)到128層

光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃,將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011

全球首款3D QLC NAND SSD升級(jí)新固件

兩年前,發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD,型號(hào)為5210 ION系列。今天,宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級(jí),可以作為機(jī)械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:413042

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級(jí)到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報(bào)道,專注3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)媒Anandtech報(bào)道,日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出,新型176L閃存是自與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品,此后從浮柵( floating-gate)存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:593477

全新176層堆疊閃存發(fā)布,可以輕松放入智能手機(jī)和存儲(chǔ)卡內(nèi)

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是、Intel閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315

宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是、Intel閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924

科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623

發(fā)布176層3D NAND閃存

的應(yīng)用效能。 據(jù)了解,176層3D NAND閃存第二代替換閘(Replacement Gate)架構(gòu),是目前全球技術(shù)最為先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn),相較前代3D NAND相比,176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:553696

科技出貨首款176層NAND 閃存性能和密度突破刷新行業(yè)紀(jì)錄

北京時(shí)間11月13日消息,內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology(科技)宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存,一舉刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:262565

3D NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展趨勢(shì)分析

日前,TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講,詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來。
2020-11-19 16:11:183722

未來的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 2020 年的閃存
2020-11-20 16:07:133095

NAND加速邊緣計(jì)算場(chǎng)景化落地

日前,存儲(chǔ)器廠商宣布,其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)的應(yīng)用效能。
2020-11-20 17:10:122392

未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

依托先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:444306

第一款3D Xpoint閃存SSD銷量差

通過轉(zhuǎn)讓IM工廠股份給、將閃存業(yè)務(wù)打包出售給SK海力士等,Intel正重新梳理旗下業(yè)務(wù),至少就閃存、SSD來看,現(xiàn)在只剩下傲騰了。 不過,傲騰的3D Xpoint芯片仍要靠猶他州的IM工廠生產(chǎn)
2020-11-29 11:54:412026

SK海力士宣布推出最新一代的3D NAND

據(jù)報(bào)道,SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹,新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后,SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822

不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量,需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583

通用汽車投運(yùn)使用3D打印研發(fā)中心

周一的時(shí)候,通用汽車宣布底特律郊區(qū)的沃倫技術(shù)中心投放了 24 臺(tái)工業(yè) 3D 打印機(jī)。據(jù)悉,占地 15000 平方英尺的“遞增產(chǎn)業(yè)化中心”(AIC)致力于通過 3D 打印技術(shù),徹底改變汽車的制造工藝、縮短開發(fā)時(shí)間、降低成本、以及提升品質(zhì)。這些生產(chǎn)力技術(shù)將成為通用汽車推動(dòng)未來研發(fā)制造的新基礎(chǔ)。
2020-12-15 14:23:191769

鎧俠、西數(shù)推162層3D閃存,性能提升66%

幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后,、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃存
2021-02-20 10:40:582714

一年虧4億 宣布出售芯片工廠!

3D Xpoint技術(shù)是與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲(chǔ)空白
2021-03-19 14:25:251570

NVIDIA GPU致力于FACEGOOD加速3D數(shù)字內(nèi)容制作

發(fā)展迅猛的3D數(shù)字內(nèi)容制作企業(yè),F(xiàn)ACEGOOD(量子動(dòng)力)便是其中的代表之一。 創(chuàng)建于2015年的FACEGOOD是一家專注軟件技術(shù)研究的公司,團(tuán)隊(duì)成員工業(yè)軟件、計(jì)算力學(xué)與圖形學(xué)領(lǐng)域具有十幾年的技術(shù)積累。從2016年開始,F(xiàn)ACEGOOD致力于研發(fā)工業(yè)級(jí)的3D表情
2021-08-02 14:29:501994

廣明源研發(fā)推出紫外殺菌系列產(chǎn)品 致力于提供更安全的紫外殺菌產(chǎn)品

廣明源科技股份有限公司專注科技應(yīng)用的研發(fā)制造,紫外殺菌消毒領(lǐng)域,廣明源研發(fā)團(tuán)隊(duì)傾力推出紫外殺菌系列產(chǎn)品,致力于提供更安全的紫外殺菌產(chǎn)品,為公共消殺貢獻(xiàn)力量。
2021-10-12 17:50:382633

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:153354

制造商推動(dòng)3D NAND閃存的進(jìn)一步發(fā)展

  全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足,不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上,尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、智能工廠、自動(dòng)駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展,這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510

「復(fù)享光學(xué)」3D NAND多層薄膜量測(cè)的新思路

據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),領(lǐng)先于三星、、SK海力士等廠商,這也是__中國品牌半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國際競(jìng)爭(zhēng)者。__
2022-12-05 17:07:381876

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142

基于232層3D TLC NAND閃存UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存UFS 4.0模塊能效提升25% 此前推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823

起訴!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面:試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴

長(zhǎng)江存儲(chǔ)以上起訴書中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了
2023-11-13 16:53:041658

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日美國加州北區(qū)地方法院對(duì)美國記憶芯片龍頭科技提告,指控侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

據(jù)報(bào)道,韓國SK集團(tuán)2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗(yàn)證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。
2023-11-29 17:01:561777

第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開始出貨

知名存儲(chǔ)品牌近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達(dá)
2024-07-31 17:11:171680

SK海力士致力于研發(fā)超400層的NAND閃存芯片

近一年多來,DRAM芯片制造商為爭(zhēng)奪高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)份額,展開了激烈的研發(fā)競(jìng)賽。這股競(jìng)爭(zhēng)浪潮隨著存儲(chǔ)器市場(chǎng)的持續(xù)升溫,逐漸擴(kuò)展到NAND閃存領(lǐng)域,特別是針對(duì)人工智能個(gè)人電腦(AI PC)及數(shù)據(jù)中心優(yōu)化的新一代產(chǎn)品,其開發(fā)步伐顯著加快。
2024-08-02 16:43:271161

新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工

光在亞洲地區(qū)的進(jìn)一步布局和擴(kuò)張。 據(jù)方面介紹,該工廠將采用最先進(jìn)的封裝技術(shù),致力于提升HBM內(nèi)存的產(chǎn)能和質(zhì)量。隨著AI芯片行業(yè)的迅猛發(fā)展,HBM內(nèi)存的需求也不斷增長(zhǎng)。為了滿足這一市場(chǎng)需求,決定在新加坡建設(shè)這座先進(jìn)的封裝工
2025-01-09 16:02:581155

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