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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)江儲(chǔ)存發(fā)布其突破性技術(shù)Xtacking,有望大幅提升NAND I/O速度

長(zhǎng)江儲(chǔ)存發(fā)布其突破性技術(shù)Xtacking,有望大幅提升NAND I/O速度

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2018-09-20 10:22:075992

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三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

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技術(shù)與良率瓶頸,2018年3DNAND良率提升速度并不如預(yù)期順利,因而導(dǎo)致次級(jí)品在外流通銷售,進(jìn)而干擾市場(chǎng)價(jià)格,對(duì)應(yīng)至終端應(yīng)用,消費(fèi)型SSD市場(chǎng)首當(dāng)沖。 巨頭為曾經(jīng)的美好還債苦日子還沒(méi)到頭,預(yù)計(jì)今年
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電源突破性的新技術(shù)

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蘋果計(jì)劃從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu)NAND芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來(lái)重大收獲

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2017年鋰電池的突破性技術(shù)匯總

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豪威科技發(fā)布配備有突破性Nyxel近紅外(NIR)技術(shù)的OS08A20

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,豪威科技(OmniVision)——全球領(lǐng)先的高級(jí)數(shù)字成像解決方案開發(fā)商,近日發(fā)布了圖像傳感器家族的最新款產(chǎn)品——配備有突破性Nyxel?近紅外(NIR)技術(shù)的OS08A20。
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Imagination Technologies 和 OTOY 共同發(fā)布突破性的硬件加速渲染平臺(tái),其中集成了Imagination的PowerVR光線追蹤技術(shù)以及OTOY即將上市的OctaneRender 4軟件,可適用于虛擬現(xiàn)實(shí)(VR) 、游戲和電影內(nèi)容創(chuàng)作。
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作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述即將發(fā)布突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077

中國(guó)首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

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2018-08-10 09:14:395421

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公布突破性技術(shù)——Xtacking,三星是否開始慌張?

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2018-08-11 10:50:2813133

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

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2018-08-13 09:54:002244

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開發(fā)布突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:274029

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全新3D NAND架構(gòu)技術(shù)隆重亮相2018重慶智博會(huì)

“芯”、“云”系列成果,全面展示了創(chuàng)新的產(chǎn)品和領(lǐng)先的解決方案。紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全新3D NAND架構(gòu)Xtacking?技術(shù),賦能行業(yè)的云及AI解決方案等,都給大會(huì)嘉賓留下了深刻印象。
2018-08-24 14:42:002154

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來(lái)新變量

Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代,帶動(dòng)消費(fèi)固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí),加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking,試圖超車追趕國(guó)際大廠,全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加,戰(zhàn)火愈益激烈,2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:267373

StarVR與Autodesk合作,將突破性VR技術(shù)用于汽車設(shè)計(jì)

熟悉VR的人都知道這種前沿技術(shù)的潛力,VR技術(shù)目前已經(jīng)成為了眾多企業(yè)的新寵,備受矚目。而近日StarVR與Autodesk合作,將突破性VR技術(shù)用于汽車設(shè)計(jì)
2018-09-10 15:13:122085

深入解讀2018年全球10大突破性技術(shù)

作為全球最為著名的技術(shù)榜單之一,《麻省理工科技評(píng)論》全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威,至今已經(jīng)舉辦了18年。
2018-09-17 11:12:185572

MIT評(píng)選出全球10大突破性技術(shù)!

作為全球最為著名的技術(shù)榜單之一,《麻省理工科技評(píng)論》全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威,至今已經(jīng)舉辦了18年。
2018-09-19 10:13:195154

海外并購(gòu)助力彎道超車:關(guān)注泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游頭部公司

對(duì)于一個(gè)多月前在美國(guó)圣克拉拉召開的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布突破性技術(shù)Xtacking,長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受中國(guó)證券報(bào)記者專訪表示,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入。
2018-10-09 10:57:323783

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)

談到NAND閃存,或者說(shuō)以它為代表的SSD產(chǎn)品,多數(shù)人對(duì)速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上,但其實(shí)閃存芯片也有內(nèi)部接口,LGA/BGA都有引腳,所以就有引腳帶寬,即IO接口速度的概念,一定程度上可理解為內(nèi)頻。
2018-11-26 16:18:5817946

MIT發(fā)布2018年全球10大突破性技術(shù)!

《麻省理工科技評(píng)論》是全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威,至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破,有的已經(jīng)在現(xiàn)實(shí)中得以應(yīng)用,有的還尚需時(shí)日,但注定將在未來(lái)對(duì)人類的生產(chǎn)生活產(chǎn)生重大影響,甚至?xí)氐赘淖冋麄€(gè)社會(huì)面貌。
2019-03-04 15:36:164918

美國(guó)公司AI癌癥診斷系統(tǒng)獲FDA突破性設(shè)備認(rèn)定

日前,美國(guó)紐約醫(yī)療保健創(chuàng)業(yè)公司Paige.AI宣布,AI癌癥診斷系統(tǒng)獲得美國(guó)食品藥品監(jiān)督管理局(FDA)頒發(fā)的突破性設(shè)備認(rèn)定,這使得該公司成為美國(guó)首家在AI癌癥診斷領(lǐng)域獲得突破性設(shè)備認(rèn)定的公司。
2019-03-14 08:55:143693

2019年值得持續(xù)關(guān)注的突破性技術(shù)

國(guó)際著名科技期刊IEEE Spectrum推出12項(xiàng)2019年值得持續(xù)關(guān)注的突破性技術(shù)。
2019-04-05 10:27:003467

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對(duì)市場(chǎng)影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966

長(zhǎng)江存儲(chǔ)8月將推出Xtacking 2.0技術(shù)

在5月15日的GSA Memory+論壇的下半場(chǎng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官湯強(qiáng)做了題為《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》的主題演講,并透露將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術(shù)。
2019-05-17 11:47:132081

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753

突破國(guó)外專利封鎖,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將于今年8年推出Xtacking 2.0

湯強(qiáng)在峰會(huì)上表示將于今年8年推出Xtacking 2.0。
2019-05-17 14:22:593739

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069

人工智能輔助宮頸癌篩查技術(shù)取得突破性進(jìn)展

人工智能輔助宮頸癌篩查技術(shù)取得突破性進(jìn)展,業(yè)內(nèi)專家評(píng)價(jià),本次成果是數(shù)字化醫(yī)療與精準(zhǔn)醫(yī)療的一項(xiàng)重要實(shí)踐,為未來(lái)精準(zhǔn)診斷惠及廣大人群提供了技術(shù)和數(shù)據(jù)上的支持。若該成果得以落地應(yīng)用,預(yù)期可使病理醫(yī)生進(jìn)行單
2019-06-29 11:32:401630

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

,這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking?可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出第二代Xtacking 3D NAND存儲(chǔ)架構(gòu)

Xtacking長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS(閃存技術(shù)峰會(huì))首次公開的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374

英偉達(dá)發(fā)布最新GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù)

Nvidia發(fā)展GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù),大幅提升GPU加載大型資料集的速度,使用GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù),GPU加載資料集的工作不再完全需要仰賴CPU,因而解除了資料I/O的瓶頸。
2019-09-11 11:51:021622

中國(guó)首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144

我國(guó)閃存核心技術(shù)獲得成功,3D NAND進(jìn)步實(shí)屬不易

有關(guān)國(guó)產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破,相信很多人都在翹首期待,希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品,而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功發(fā)展出來(lái)3D NAND存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時(shí)候,我們知道,真正的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)即將出現(xiàn)了!
2019-10-31 11:37:071248

長(zhǎng)江存儲(chǔ)向存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808

NVIDIA推出一款突破性的推理軟件 可以實(shí)現(xiàn)會(huì)話式AI應(yīng)用

2019年12月18日— — NVIDIA于今日發(fā)布一款突破性的推理軟件。借助于該軟件,全球各地的開發(fā)者都可以實(shí)現(xiàn)會(huì)話式AI應(yīng)用,大幅減少推理延遲。而此前,巨大的推理延遲一直都是實(shí)現(xiàn)真正交互式互動(dòng)的一大阻礙。
2019-12-19 10:06:511571

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603

博通芯片同比恩智浦半導(dǎo)體銷售額減少 29.1%

現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將 Xtacking 技術(shù)應(yīng)用于第二代 3D NAND 產(chǎn)品的開發(fā),大規(guī)模量產(chǎn)之后,預(yù)計(jì)會(huì)有更多的儲(chǔ)存產(chǎn)品用上國(guó)產(chǎn)芯片。
2020-08-11 15:55:18648

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

小米電視大師至尊紀(jì)念版采用Mini LED,實(shí)現(xiàn)畫質(zhì)的突破性提升

今天小米電視官方公布了一款超大杯小米電視—小米電視大師至尊紀(jì)念版。官方宣布,小米電視大師至尊紀(jì)念版帶來(lái)了目前最先進(jìn)的顯示技術(shù)之一:Mini LED,它實(shí)現(xiàn)了畫質(zhì)的突破性提升
2020-09-23 15:42:451174

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出兩款致鈦系列消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品,滿足高階用戶的需求

長(zhǎng)江存儲(chǔ)此次全新發(fā)布的致鈦SC001Active和致鈦PC005Active均搭載創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)3D NAND高品質(zhì)原廠顆粒。
2020-09-27 16:17:443380

SATA協(xié)議的SC001 Active的評(píng)測(cè)

NAND顆粒:再次強(qiáng)調(diào)一下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在閃存上的基礎(chǔ)創(chuàng)新的Xtacking架構(gòu)的3D NAND技術(shù),同比于其他3D NAND技術(shù)的突出特點(diǎn)主要是,可在兩片獨(dú)立的晶圓上分開加工負(fù)責(zé)I/O傳輸及記憶單元的電路
2020-11-13 14:57:406809

臺(tái)電科技聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布固態(tài)硬盤騰龍系列DS10 I/O速度比肩DDR4

。 今天,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌臺(tái)電科技聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ),發(fā)布臺(tái)電純國(guó)產(chǎn)化固態(tài)硬盤騰龍系列DS10。 臺(tái)電騰龍系列DS10將采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)全新一代64層TLC閃存顆粒。該顆粒采用由長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)技術(shù),通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元與外圍電路的獨(dú)立加工,將傳統(tǒng)常規(guī)的的1Gp
2020-11-18 11:27:082864

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking有什么優(yōu)勢(shì)?

11月18日?qǐng)?bào)道 今日,在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC WORLD學(xué)術(shù)會(huì)議”上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧在發(fā)言中表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking具有速度快、工藝結(jié)實(shí)
2020-11-18 15:26:575004

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見(jiàn)面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問(wèn)題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)的技術(shù),而就在近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)
2020-11-24 09:56:484526

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270

Mate40旗艦機(jī)搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND

此外,楊士寧還展示了Xtacking技術(shù),表示:在這一方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是走在國(guó)際最前沿的;長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)也是非常先進(jìn)的,以后可以委托給中芯國(guó)際;同時(shí)也要感謝國(guó)產(chǎn)同行的支持。他還表示,目前只有帶有Xtacking標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國(guó)產(chǎn)閃存芯片。
2020-11-30 11:20:013979

全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一,目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng),中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn),未來(lái)中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:334603

麻省理工科技評(píng)論2021年“十大突破性技術(shù)發(fā)布會(huì)成功舉辦

? 2 月 24 日,《麻省理工科技評(píng)論》2021 年 “十大突破性技術(shù)發(fā)布會(huì)在杭州余杭區(qū)未來(lái)科技城舉辦。 從 2001 年開始,《麻省理工科技評(píng)論》每年都會(huì)進(jìn)行 “十大突破性技術(shù)” 的評(píng)選
2021-03-03 14:11:042714

《麻省理工科技評(píng)論》宣布2021年“全球十大突破性技術(shù)

正如比爾·蓋茨所說(shuō),看過(guò)這些突破性技術(shù)之后,你會(huì)覺(jué)得 “美好的未來(lái),值得我們?yōu)橹畩^斗”。 日前,《麻省理工科技評(píng)論》2021“全球十大突破性技術(shù)”在杭州發(fā)布。今年也是《麻省理工科技評(píng)論》“全球十大
2021-03-10 17:11:172777

《麻省理工科技評(píng)論》發(fā)布了最新的2021年10大突破性技術(shù)的概念

《麻省理工科技評(píng)論》一直關(guān)注新興技術(shù)的發(fā)展及商業(yè)化落地,自2001年起每年都會(huì)評(píng)選出年度“十大突破性技術(shù)”,希望借此對(duì)擁有極大潛力實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的、并可對(duì)未來(lái)世界帶來(lái)極大影響的新興科技做出最有力的研判。
2021-03-11 13:57:153433

凌力爾特在慕尼黑上海電子展上于 BMW i3 車型中演示了突破性的無(wú)線電池管理系統(tǒng)

凌力爾特在慕尼黑上海電子展上于 BMW i3 車型中演示了突破性的無(wú)線電池管理系統(tǒng)
2021-03-20 14:11:3814

線性科技在漢諾威展會(huì)上展示寶馬i3突破性無(wú)線電池管理系統(tǒng)

線性科技在漢諾威展會(huì)上展示寶馬i3突破性無(wú)線電池管理系統(tǒng)
2021-04-21 17:30:577

13位專家深度點(diǎn)評(píng)2021年“十大突破性技術(shù)

2021 年 2 月 24 日,MIT Technology Review 一年一度的 “十大突破性技術(shù)” 榜單正式發(fā)布。自 2001 年起,該雜志每年都會(huì)評(píng)選出當(dāng)年的 “十大突破性技術(shù)”,這份在
2021-07-02 14:21:376630

四大突破性技術(shù)、多款旗艦新品重磅亮相!2023德施曼全球新品發(fā)布會(huì)完美收官!

。此次大會(huì)德施曼重磅發(fā)布了四大突破性技術(shù),同時(shí)多款旗艦新品重磅首發(fā)!四大突破性技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)科技創(chuàng)新此次發(fā)布會(huì)最受關(guān)注的無(wú)疑是已經(jīng)被媒體前期部分劇透的四大突破性技術(shù)
2023-04-17 17:57:401813

ADI公司突破性的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADI公司突破性的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-27 09:52:201

Baraja宣布突破性多普勒RMCW激光雷達(dá)集成組件開始供貨

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,總部位于澳大利亞的光譜掃描激光雷達(dá)(LiDAR)解決方案創(chuàng)新廠商Baraja近日宣布,突破性多普勒RMCW頻譜掃描激光雷達(dá)所有集成組件的A樣件(A-Samples)現(xiàn)已開始供貨。
2023-12-04 17:22:311465

2024 年“十大突破性技術(shù)”榜單

初,《麻省理工科技評(píng)論》(MITTechnologyReview)發(fā)布2024年“十大突破性技術(shù)”榜單,這份榜單突出了一些可能對(duì)世界產(chǎn)生顯著影響的技術(shù)。在最新的20
2024-01-16 08:27:352400

長(zhǎng)江存儲(chǔ):QLC閃存已完成4000次P / E擦寫,采用第三代Xtacking技術(shù)

值得注意的是,長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席技術(shù)官(CTO)霍宗亮指出,NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇,并有望在2023~2027年間實(shí)現(xiàn)21%的復(fù)合增長(zhǎng)率以及20%的累計(jì)設(shè)備平均容量增長(zhǎng)。
2024-03-28 13:57:572348

里瑞通推出突破性晶片液冷技術(shù)

在云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,里瑞通(Digital Realty)一直是技術(shù)創(chuàng)新的引領(lǐng)者。近日,該公司宣布推出了一項(xiàng)突破性的晶片液冷技術(shù),為高密度部署支持領(lǐng)域帶來(lái)了新的發(fā)展。
2024-05-31 11:22:401077

顛覆!硅光“黑馬”打造革命光學(xué)IO技術(shù),可取代芯片內(nèi)銅線

來(lái)源: Evelyn維科網(wǎng)光通訊 近日,位于加利福尼亞州的硅光子初創(chuàng)公司Ayar Labs透露,革命的光學(xué)I/O技術(shù)即將面世: 這一突破性成果可以取代芯片內(nèi)部的銅線,在芯片內(nèi)部進(jìn)行更快的通信。它
2024-08-13 15:20:101693

為空間受限的應(yīng)用提供突破性的動(dòng)力

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《為空間受限的應(yīng)用提供突破性的動(dòng)力.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-26 14:28:100

致態(tài)發(fā)布首款PCIe 5.0旗艦產(chǎn)品TiPro9000:順序讀取速度14000MB/s

的14GB/s。 晶棧Xtacking 4.0架構(gòu)首發(fā)為TLC顆粒,擁有更高的存儲(chǔ)密度、更快的I/O速度、更高的品質(zhì)可靠(未公開具體層數(shù)),再加上DRAM獨(dú)立緩存、SLC智能緩存技術(shù),致態(tài)TiPro9000
2024-12-25 10:43:10990

新型激光技術(shù)有望大幅提升芯片制造效率

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)勞倫斯利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(LLNL)正在研發(fā)一種基于銩元素的拍瓦(petawatt)級(jí)激光技術(shù),該技術(shù)有望取代當(dāng)前極紫外光刻(EUV)工具中使用的二氧化碳激光器,并將光源效率提升
2025-02-10 06:22:16731

鋰離子電容技術(shù):開啟能源儲(chǔ)存和應(yīng)用革命,邁向清潔綠色未來(lái)

和應(yīng)用的革命。1.鋰離子電容技術(shù)有望在汽車領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。目前,電動(dòng)汽車的發(fā)展受到了電池容量和充電速度的限制。然而,鋰離子電容技術(shù)具有高容量和快速充放電特性,可大大提
2025-05-16 08:23:00644

今日看點(diǎn):消息稱已有模組企業(yè)調(diào)整原定產(chǎn)品規(guī)劃;華為將發(fā)布 AI 領(lǐng)域突破性技術(shù)

華為將發(fā)布 AI 領(lǐng)域突破性技術(shù) 業(yè)內(nèi)消息指出,華為將于 11 月 21 日發(fā)布一項(xiàng) AI 領(lǐng)域的突破性技術(shù),該技術(shù)有望解決當(dāng)前算力資源利用效率低下的行業(yè)難題。 ? 華為此次發(fā)布突破性技術(shù)能夠顯著
2025-11-17 10:47:361193

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

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