比特位的技術），實現(xiàn)了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術與64層堆棧和QLC（四層單元）技術相結合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 9月26日，韓國首爾，英特爾在 Memory＆Storage Day 2019活動上公布了SSD產(chǎn)品的技術路線圖。其中，該公司還詳細闡述了SSD產(chǎn)品（如英特爾660p）中使用的QLC NAND技術
2019-10-04 01:41:005916 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 2020年下半年制造48層的3D NAND存儲。然后，該公司計劃在2021年開始出貨96層3D NAND，并在2022年開始出貨192層3D NAND。目前，該公司用于制造NAND的最先進技術是其19納米
2019-12-14 09:51:295966 IM Flash 技術有限責任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:451729 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領域人才和技術，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉進3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
英特爾（Intel）終于發(fā)表了第一款采用3D XPoint內存的固態(tài)硬盤（SSD），這款Optane固態(tài)硬盤預期能為此試圖在閃存與DRAM之間開創(chuàng)新市場的新一代內存技術，建立雖然小巧但意義重大的灘頭堡。
2017-03-21 09:18:081367 英特爾（Intel）終于發(fā)布了第一款采用3D XPoint內存的固態(tài)硬盤（SSD），這款Optane固態(tài)硬盤預期能為此試圖在閃存與DRAM之間開創(chuàng)新市場的新一代內存技術，建立雖然小巧但意義重大的灘頭堡。
2017-03-21 09:46:363708 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:293528 展示了英特爾制程工藝的多項重要進展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內首款面向數(shù)據(jù)中心應用的64層3D NAND產(chǎn)品已實現(xiàn)商用并出貨。
2017-09-20 09:08:576840 3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D顯示技術的原理是什么？3D顯示技術有哪些應用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
http://www.eupes.netFacebook數(shù)據(jù)中心鳳凰科技訊 北京時間12月12日消息，據(jù)路透社報道，美國時間本周二，英特爾將推出使用低能耗技術的數(shù)據(jù)中心芯片，旨在加強在新興的微處理器
2012-12-12 10:09:45
Stero 3D的3D功能。有一個討論這個問題的線程，有些人對此真的不滿意嗎？在播放藍光3D時，這會如何影響3D功能？任何人都可以更廣泛地解釋這一點，最好是英特爾的人。來自英特爾技術規(guī)范：“LSP 2.0
2018-10-26 14:52:52
固態(tài)盤英特爾還宣布了業(yè)內首款面向數(shù)據(jù)中心的64層、三級單元（TLC）3D NAND固態(tài)盤產(chǎn)品已正式出貨。該產(chǎn)品自2017年8月初便開始向部分頂級云服務提供商發(fā)貨，旨在幫助客戶大幅提升存儲效率。在存儲領域
2017-09-22 11:08:53
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
嗨，我有一臺3D系統(tǒng)的3D掃描儀，配有英特爾實感SR300攝像頭。我想知道是否有人知道掃描儀附帶的軟件中低到高幾何分辨率的含義。提前謝謝你花時間回答我的問題。以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi,I
2018-11-30 11:13:06
是第一個推出1Tb級產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲器（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
近日消息，英特爾計劃將“3D晶體管”工藝應用到SoC移動芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對于“3D晶體管”技術是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國際電子產(chǎn)品大會的專家們
2012-12-11 09:05:451434 汽車，英特爾公司期望透過該公司的新晶片進展，為未來打造更安全且身歷其境的體驗。 透過以下圖集，看看英特爾展示今日與明日的創(chuàng)新技術。 RealSense 3D懸浮屏幕 RealSense 3D監(jiān)測 英特爾在平板電腦與筆記型電腦中嵌入了 3D 感測元件、專用處理器以及多個攝影鏡頭，
2014-07-01 09:50:514841 據(jù)報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術將會在今年成為閃存領域的卓越性技術。
2017-05-03 01:02:501621 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤，它是主流的SATA驅動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 XPoint，打造出25年以來的首款新型態(tài)內存技術。2016年，英特爾發(fā)布采用3D XPoint技術的Optane品牌儲存產(chǎn)品 ，成為該技術最先上市的新一代高性能固態(tài)硬盤（SSD）系列。 根據(jù)TechInsights的材料分析，XPoint是一種非揮發(fā)性內存（NVM）技術。位儲存根據(jù)本體（bulk）
2017-09-18 19:39:00
4 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 英特爾（INTC. US）、美光科技（MU. US）13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程。 新聞稿指出，規(guī)模擴大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D XPoint內存媒體。 成立于2006年的IM Flash合資企業(yè)替英特爾與美光生產(chǎn)非揮發(fā)性內存，初期生產(chǎn)用于SSD、手機、平板的NAND。
2017-11-15 10:23:071455 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以來的首款新型態(tài)內存技術。2016年，英特爾發(fā)布采用3D XPoint技術的Optane品牌儲存產(chǎn)品
2018-01-10 13:37:02656 集微網(wǎng)消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚鑣。今日臺灣DIGITIMES報道指出，業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場，不僅
2018-01-10 19:43:16679 據(jù)外媒報道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內存。
2018-01-11 09:16:024791 近日傳聞美光科技和英特爾的合作關系即將終止，主要是因為3D NAND技術還不適合目前的市場，后續(xù)有傳說英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片，具體情況如何還需要進一步的考證。
2018-01-16 14:30:431661 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術走向實用化，國際廠商正在加快推進技術進步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術上的變革。而且不同于基于微縮技術
2018-06-20 17:17:495087 半導體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 NAND Flash控制IC大廠群聯(lián)日前宣布，PCI-e規(guī)格的固態(tài)硬碟（SSD）晶片已經(jīng)通過3D NAND Flash BiCS3測試，下半年將成為PC／NB OEM的SSD市場主流規(guī)格，將可望擴大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通過設備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應商正在推出64層設備，盡管他們現(xiàn)在正在推進下一代技術，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應商正在競相開發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。
2018-08-23 16:59:4812625 在價格和競爭壓力期間，3D NAND供應商正準備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競爭下一代技術。
2018-08-27 16:27:189528 至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級市場的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術不同，堆棧的層數(shù)
2018-10-08 15:52:39780 制程特選高品質的MLC NAND 閃存和英特爾高耐用性技術（High Endurance Technology，HET），可以為數(shù)據(jù)中心、金融服務、嵌入式、互聯(lián)網(wǎng)門戶、搜索引擎以及其它要求苛刻的存儲和服務器應用帶來它們所需的耐用性和性能，從而實現(xiàn)更高的應用價值。
2018-10-10 16:50:002417 讓英特爾頭痛的是，3D XPoint市場規(guī)模仍然很小，這讓他們無法將該產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。如果沒有高產(chǎn)量，其生產(chǎn)成本將會保持很高，可能高于DRAM。然而，英特爾必須以低于DRAM的價格出售3D XPoint，才會吸引消費者。這意味著英特爾必須賠錢來建立市場。
2018-10-16 15:47:034677 來自Cappasity的英特爾?軟件創(chuàng)新者展示了全身3D掃描儀的早期原型，即英特爾?實感?遠程攝像機。
2018-11-07 06:40:004707 支持64層3D QLC后，現(xiàn)已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發(fā)布的96層3D TLC NAND閃存固態(tài)硬盤解決方案，客戶無需修改硬件，為客戶快速量產(chǎn)提供了極大的便利性。聯(lián)蕓科技最新發(fā)布
2018-11-19 17:22:318411 NAND技術最早都是源自于飛索（Spansion）的Charge Trap架構，唯一例外的是英特爾（Intel）和美光（Micron）仍是延續(xù)傳統(tǒng)Floating Gate架構，但從64層技術開始，也都會轉成Charge Trap架構。
2018-12-03 09:04:572304 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 在近日舉行的英特爾“架構日”活動中，英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡系統(tǒng)，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構，還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros。這一全新的3D封裝技術首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢，可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片。
2018-12-14 15:35:328854 英特爾近日向業(yè)界推出了首款3D邏輯芯片封裝技術“Foveros”，據(jù)悉這是在原來的3D封裝技術第一次利用3D堆疊的優(yōu)點在邏輯芯片上進行邏輯芯片堆疊。也是繼多芯片互連橋接2D封裝技術之后的又一個顛覆技術。
2018-12-14 16:16:453316 一說到2D或者3D，總是讓人想到視覺領域中的效果，然而在半導體領域，3D技術帶來的革命更嘆為觀止，早些年的FinFET和3D NAND只是個開始。
2019-01-25 14:29:555585 一說到二維（2D）或三維（3D），總是讓人想到人眼視覺效果，然而在半導體領域，3D技術帶來的革命更嘆為觀止，早些年的FinFET和3D NAND只是個開始。從2018年12月初英特爾公布新架構路線，到1月初CES 2019上拿出M.2 SSD大小的整臺電腦，這樣的速度，你不得不更上！
2019-01-29 11:09:006007 英特爾今日公布了英特爾?傲騰?混合式固態(tài)盤的詳細信息，這款創(chuàng)新的設備采用M.2規(guī)格，體積小巧，將英特爾傲騰技術的卓越響應速度與英特爾?Quad Level Cell（QLC）3D NAND技術的強大存儲容量融為一體。
2019-04-12 17:25:584769 7月11日，業(yè)內傳出消息稱，SK海力士計劃收購Intel位于中國大連的Fab 68存儲工廠及3D NAND業(yè)務。對此傳聞，英特爾向芯智訊進行了回應。
2019-08-06 15:16:014741 英特爾正式介紹了一系列新的技術里程碑，并強調了其在以數(shù)據(jù)為中心的計算時代，推動內存與存儲技術進步的持續(xù)投資與堅定承諾，包括面向云、人工智能和網(wǎng)絡邊緣應用，為客戶提供獨特的英特爾傲騰技術以及英特爾3D NAND 解決方案。
2019-10-02 14:36:00660 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 發(fā)布兩個月后，英特爾終于在今日正式放出了第二代 QLC 固態(tài)硬盤新品，它就是采用了新一代 96 層 3D QLC NAND 的 Intel SSD 665p 。作為對比，上一代 Intel SSD
2019-11-26 15:20:383769 根據(jù)AnandTech的報道，三星計劃投資數(shù)十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設施。
2019-12-18 10:38:203458 在此前高調地宣布“分道揚鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:142525 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 5月11日消息，近日，英特爾初步介紹第二代傲騰固態(tài)硬盤細節(jié)，該公司使用3DXpoint打造的傲騰系列存儲產(chǎn)品都有著相當強大的性能，新一代傲騰144層3D NAND固態(tài)硬盤將支持PCIe 4.0，最大容量可達3TB。
2020-05-13 14:08:046684 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構。 美光科技表示，與美光的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比，176 層 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上。美光的 176 層
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級技術研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關演講，詳細介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內的半導體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 長江存儲基于Xtacking架構的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態(tài)品牌致鈦存儲于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關于致鈦存儲的技術，而就在近日，長江存儲通過
2020-11-24 09:56:484526 NAND應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 12 月 16 日消息 根據(jù)英特爾官方的消息，在今天的 2020 英特爾內存存儲日活動上，英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤 670p，采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:223066 的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤。 根據(jù)外媒 AnandTech 的消息，基于 TLC 的 P5510 和基于 QLC 的 P5316 都使用與英特爾今年早些時候發(fā)布的 P5000 系列 SSD 相同的主控，支持
2020-12-17 09:33:037860 根據(jù)英特爾官方的消息，在今天的 2020 英特爾內存存儲日活動上，英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤 670p，采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家了解到，670p 是繼
2020-12-17 10:04:273586 本次大會上，英特爾還宣布推出三款采用144層存儲單元的全新NAND固態(tài)盤，包括適用于主流計算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態(tài)盤——英特爾固態(tài)盤670p；全球首個推向市場的144層
2020-12-17 14:15:201606 新一代3D NAND技術已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 的創(chuàng)新，設計人員可以將他們的系統(tǒng)集成至單個封裝內，封裝內的芯片通過精選的制程技術來優(yōu)化特定功能。 新興系統(tǒng)要求極高的互聯(lián)帶寬和極小的接口功耗/位。為了實現(xiàn)它，英特爾提供了兩個關鍵要素 - 超短程接口標準和 3D 集成封裝技術。 高級
2021-03-22 09:27:532982 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團援引業(yè)界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 英特爾在封裝技術方面取得了重大突破，并已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3D Foveros技術的產(chǎn)品。這項技術使得英特爾能夠在單個封裝中整合多個小芯片（Chiplets），從而提高了芯片的性能、尺寸和設計靈活性。
2024-01-26 16:04:501281 英特爾最近宣布，他們已經(jīng)實現(xiàn)了基于業(yè)界領先的半導體封裝解決方案的大規(guī)模生產(chǎn)，其中包括具有劃時代意義的3D封裝技術Foveros。
2024-01-26 16:53:242081 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
2024-04-01 10:26:552343 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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