四強(qiáng)投資動(dòng)作暗潮洶涌 欲爭奪3D NAND市場

包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有...

2015-10-09 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè) 972 0

受5G的影響 DRAM與NAND將迎來增長

12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬...

2019-12-23 標(biāo)簽：DRAMNAND 967 0

全球半導(dǎo)體變天！中國反超韓國位居全球第二

近日，韓國科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院前瞻技術(shù)中心（KISTEP）發(fā)布的《全球半導(dǎo)體技術(shù)競爭力評(píng)估報(bào)告》引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。報(bào)告顯示，中國半導(dǎo)體技術(shù)已超越韓國...

2025-09-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體NAND 961 0

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈建立過多庫存的問題特別明顯

外資摩根士丹利認(rèn)為，存儲(chǔ)器于2015年遭遇產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)時(shí)，至少持續(xù)了三個(gè)季度，而這次的產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)，從交貨時(shí)間、重復(fù)下單、庫存等觀察指標(biāo)來看，現(xiàn)在都比2015年...

2018-11-27 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 958 0

內(nèi)存市場報(bào)價(jià)不確定 存儲(chǔ)器原廠嚴(yán)控出貨！

據(jù)三星電子最新公布的財(cái)報(bào)，第三季度利潤超出預(yù)期一倍之多。該公司在9月當(dāng)季的凈利潤下降40%，至5.5萬億韓元（合41億美元），遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過分析師所預(yù)期的2....

2023-11-22 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 957 0

鎧俠擱置10月IPO計(jì)劃

日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布，已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開募股（IPO）計(jì)劃暫時(shí)擱置。這一決定背后，是鎧俠在競爭激烈的...

2024-09-25 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)芯片鎧俠 956 0

東芝計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存芯片30%

東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。

2012-07-24 標(biāo)簽：東芝NAND閃存芯片 955 0

如何以每個(gè)人都能理解的方式解釋閃光

　　閃存控制器將對(duì)閃存上的數(shù)據(jù)執(zhí)行相同的操作，利用磨損均衡 （WL）、垃圾收集 （GC）、動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)刷新 （DDR） 和讀取干擾管理 （RDM） 等功能來...

2022-11-30 標(biāo)簽：控制器NAND 953 0

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重...

2024-03-14 標(biāo)簽：閃存NAND三星 950 0

全球NAND市場觀察：NAND下旬合約價(jià)續(xù)跌6－9％

　　5月下旬NANDFlash價(jià)格仍未見止跌跡象，根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)查，5月下旬合約價(jià)仍下跌6％至9％，由于總體經(jīng)濟(jì)仍舊是最大變數(shù)，加上云...

2012-06-05 標(biāo)簽：NANDNANDFlashNAND市場 950 0

NAND芯片價(jià)格或?qū)⑸蠞q40%以上

根據(jù)Omdia調(diào)查數(shù)據(jù)，全球儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash）市場中，韓國三星占據(jù)34.3%的份額領(lǐng)跑，日本鎧俠緊隨其后（占比19.5%），美國威...

2024-01-03 標(biāo)簽：芯片DRAMNAND 950 0

美光232層NAND產(chǎn)品支持設(shè)備更加智能化

時(shí)光飛逝，又是一年畢業(yè)季，是每個(gè)莘莘學(xué)子踏入職場的開始。作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍者，多年來，美光始終致力于推廣 STEM 教育與人才培養(yǎng)...

2024-06-25 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)智能化 947 0

在為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備時(shí)提出正確的問題

　　為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備或固態(tài)硬盤 （SSD） 非常復(fù)雜。性價(jià)比比較沒有多大用處，因?yàn)樾枨篁?qū)動(dòng)的績效定義取決于許多因素。

2022-10-24 標(biāo)簽：NANDSSD電池 946 0

NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)將再次上漲6%

市場主流的eMMC/eMCP和SSD產(chǎn)品，本周（6月7日）eMMC/eMCP價(jià)格維持平穩(wěn)走勢，240GB/480GB TLC SSD價(jià)格有所下滑。

2016-06-11 標(biāo)簽：閃存NAND半導(dǎo)體芯片 944 0

2017下半年NAND型快閃存儲(chǔ)器下半年持續(xù)缺貨

盧志遠(yuǎn)分析，NOR型快閃存儲(chǔ)器市場有同業(yè)退出，整體供給保守，需求又明顯成長下，明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴(kuò)產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場，對(duì)旺宏不會(huì)有所影響。

2017-07-26 標(biāo)簽：nand存儲(chǔ)器 942 2