比特位的技術），實現(xiàn)了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數據。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術與64層堆棧和QLC（四層單元）技術相結合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發(fā)的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產內部設計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 SanDisk于日前表示，正與東芝（Toshiba）合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導體制造工廠（Fab 5）第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米（nm）節(jié)點面臨微縮瓶頸，預做準備。
2013-07-16 09:17:151351 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
國際芯片巨頭頻頻抱團，整合產業(yè)鏈資源，無疑將激化市場競爭，加速行業(yè)優(yōu)勝劣汰。暗潮洶涌，“中國芯”要想在大浪中站穩(wěn)腳跟，還有許多功課要做。
2015-06-12 10:32:281261 近日中國半導體業(yè)最引人關注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產48層3D NAND，及它的投資240億美元的計劃。
2016-05-24 10:29:501676 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產品上。如今的問題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優(yōu)勢的產品？
2016-09-12 13:40:252173 據海外媒體報道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519 3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號，若能整合好跨領域人才和技術，中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:129182 
據海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND，但3D NAND生產良率不如預期，2D NAND供給量又因產能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739 
自動駕駛方面也不例外，歐洲在2009年就展開了自動駕駛的科研項目——Sartre (Safe Road Trains for the Environment)，嘗試研究如何運用自動駕駛技術。但美國對于商業(yè)化的果斷讓他們再一次跑在了歐洲人前面——在2013年就把自動駕駛的正式合法化，并給出了推動測試的建議。
2018-06-25 09:17:595571 集微網消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經理楊士寧博士以“創(chuàng)新Xtacking?架構：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking?架構的技術優(yōu)勢和長江存儲3D NAND新進展。
2018-09-20 10:22:075992 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:293528 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
這段時間以來，最熱的話題莫過于iPhone X的Face ID，關于用它刷臉的段子更是滿天飛。其實iPhone X 實現(xiàn)3D視覺刷臉是采用了深度機器視覺技術(亦稱3D機器視覺)。由于iPhone X的推動，3D視覺市場或許將被徹底的激活。
2019-07-25 07:05:48
`3D打印建模時壁厚設置四要 3D模型對設計猶如3D打印的血液，一旦這個環(huán)節(jié)出了問題，打印機工作起來一定也不順利。在模型設計過程中，相信大家經常會遇到一個問題：不知道壁厚究竟設置為多少。日前，法國
2016-05-05 14:31:56
基于soildwork繪制的3D機器人模型，要求實際的機器人在運動時，將3D的模型加載在LABVIEW中，與實際機器人同步動作，做運動演示。
2013-02-28 16:51:41
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數據、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
和Neytiri對世界美好的愿望和共同的追求，使雙方互相看到了地球人和納威人之間不可分割的聯(lián)系，而觀眾則通過先進的3D視頻處理技術，觀賞到了3D電影的逼真效果，感受到這部電影帶來的震撼。那么有誰知道，為什么說FPGA主導了3D視頻處理市場呢？
2019-08-06 08:26:38
效果。3D建筑投影燈光秀畫面非常龐大，形式新奇有趣，科技技術感強，城市和地區(qū)展示方式非常新穎有趣?？梢晕煌巳旱挠^眾，長期保持人氣，同時也可以帶領顧客深度的了解文化宣傳主題的傳播。3D建筑投影秀技術
2021-06-01 13:58:57
減少NAND閃存產能投資，以便減少NAND供應，緩解市場對降價的預期。 64層和96層堆棧閃存命運各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
，降低功率消耗已經成為了廠商爭奪這個市場的關鍵考量。本文將介紹當前使用的3 D主動快門式結構，并和現(xiàn)有的新一代解決方案進行對比。As consumer adoption rates for 3D
2012-06-18 13:56:44
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
芯片的3D化歷程摩爾定律遇到發(fā)展瓶頸，但市場對芯片性能的要求卻沒有降低。在這種情況下，芯片也開始進行多方位探索，以尋求更好的方式來提升性能。通過近些年來相關半導體企業(yè)發(fā)布的成果顯示，我們發(fā)現(xiàn)，芯片
2020-03-19 14:04:57
通用電氣（GE）一直對金屬3D打印情有獨鐘。在過去的幾年中，GE 明顯表現(xiàn)出想要用3D打印實現(xiàn)其航空領域的飛天夢。他們不僅在3D打印領域取得了重大突破，而且將投資擴散到3D打印教育領域。 GE頻頻
2016-12-09 16:04:11724 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術將會在今年成為閃存領域的卓越性技術。
2017-05-03 01:02:501621 的廠商競爭，以及日經貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據
2017-10-13 20:33:26
6 2018年是3D NAND產能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 集微網消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚鑣。今日臺灣DIGITIMES報道指出，業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場，不僅
2018-01-10 19:43:16679 基于 3D NAND 的 microSD卡將有望再次改變視頻監(jiān)控行業(yè)的格局，推動所有參與者實現(xiàn)新一輪發(fā)展。
2018-01-13 11:15:455138 
上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
關于四級單元閃存糾錯問題的潛在解決方法。 與此前的平面NAND相比， 3D NAND 技術的運用將使得錯誤檢查代碼更易于實現(xiàn)，這也進一步確定了容量提升的四級單元技術的可行性。 錯誤檢查代碼（ECC
2018-01-25 22:30:39596 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產品外，2018年將進一步提升3D NAND生產比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 隨著3D打印概念的擴大，不斷有2D廠商躍躍欲試，準備進軍3D市場。近日，聯(lián)想3D打印機就在北京正式亮相，聯(lián)想由此成為國內一線打印品牌中首家推出3D打印機的主流廠商。聯(lián)想打印業(yè)務總經理牟震介紹說，目前
2018-04-16 05:45:005353 3D NVM主要廠商產品路線圖近階段，3D非易失性存儲（NVM）領域動作頻頻，例如Western Digital（西部數據）收購了SanDisk，中國政府在存儲領域的大舉投資，以及Intel宣布Micron/Intel的合作將分道揚鑣，以進一步發(fā)展3D NAND。
2018-04-27 14:45:165236 
無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術走向實用化，國際廠商正在加快推進技術進步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術上的變革。而且不同于基于微縮技術
2018-06-20 17:17:495087 半導體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術的數據中心級固態(tài)盤，加強擴大3D NAND供應。
2018-08-01 17:44:541237 2018上半年3D NAND市場供應量大幅增加，使得NAND Flash價格持續(xù)下滑，據中國閃存市場ChinaFlashMarket報價，2018上半年NAND Flash綜合價格指數累計跌幅達35
2018-08-09 15:56:18843 
2017年，全球人工智能領域單輪融資最高紀錄一次次被人臉識別四大獨角獸刷新，你追我趕，火藥味十足。11月底，商湯科技或將獲阿里15億投資的消息，再次讓人臉識別市場上的火藥味到達高濃度。從人臉識別領域高密集的融資消息，可以聽到人臉識別獨角獸囤兵買馬的匆匆腳步聲，更能看到緊追不放背后的暗潮洶涌。
2018-08-21 14:28:221360 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注
2018-08-22 16:25:462599 隨著64層/72層3D NAND產出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術快速發(fā)展，NAND Flash在經歷2年漲價后，2018年市場行情從缺貨轉向供應過剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預計2018年全球SSD出貨量將超過1.9億臺，甚至有望沖刺2億臺。
2018-08-31 16:15:002745 在價格和競爭壓力期間，3D NAND供應商正準備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競爭下一代技術。
2018-08-27 16:27:189528 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
2018-09-16 10:38:14759 非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預計2018年或2019年量產，并進軍固態(tài)硬盤（SSD）市場。
2018-09-17 16:30:302159 至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級市場的。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術不同，堆棧的層數
2018-10-08 15:52:39780 推出64層/72層3D NAND，預計從下半年開始將陸續(xù)進入量產階段，屆時3D NAND產能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 在3D NAND Flash大行其道的21世紀，當Intel和美光在2015年首次介紹3D Xpoint的時候，市場掀起了軒然大波。據當時的介紹，3D Xpoint會比NAND Flash快1000倍，且壽命也會比其長1000倍。
2019-01-19 09:41:381340 回顧2018年，整個智能手機市場暗潮洶涌，不論是對終端還是產業(yè)鏈而言，都是頗為動蕩的一年。
2019-02-11 17:09:295295 Energias市場研究公司發(fā)布報告稱，到2024年，全球3D打印市場預計將達到389.5億美元，復合年增長率為21.68％。市場增長的主要原因是易于開發(fā)使用3D打印的定制產品，政府對3D打印項目的投資不斷增加，以及工業(yè)領域3D打印的采用率不斷提高。
2019-03-09 08:03:001004 由于 3D NAND 存儲器市場出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產以穩(wěn)定價格。
2019-07-30 14:29:393096 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經開始批量生產采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業(yè)內展示了用于數據中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:321180 3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低，但
2019-11-14 15:52:181166 2019年9月25日 – 全球工控儲存大廠宜鼎國際，將推出針對高階市場應用的儲存方案3TS5-P，采用3D NAND TLC ，并符合JESD219負載標準，特別針對高速讀寫和長時間運作進行耐用測試
2019-11-18 15:28:451054 根據AnandTech的報道，三星計劃投資數十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產設施。
2019-12-18 10:38:203458 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 NAND 采用緊湊型設計，裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近 30%。 據悉，美光 176 層三層單元 （TLC） 3D NAND 已在美光
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 雖然與美國Stratasys公司、美國3D Systems公司、德國EOS等老牌3D打印巨頭相比，我國3D打印企業(yè)競爭實力仍有較大差距。但是隨著我國政府對于3D產業(yè)的政策支持力度不斷加大，以及企業(yè)對于3D打印技術的不斷研發(fā)，市場應用程度不斷深化。3D打印已成為國內各大企業(yè)爭相投資的熱點。
2020-11-13 16:23:032802 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:444306 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 電子發(fā)燒友網報道（文/黃山明）如今芯片的缺貨漲價似乎已是常態(tài)，許多業(yè)內玩家也開始習以為常，大家都在做好充足的準備來應對如今的局面。不過隨著時間的推進，芯片市場卻開始涌出了一股暗流，一個過去常被忽略
2021-09-03 14:17:384579 3D TLC NAND 代表了存儲介質的轉折點，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場擴展到嵌入式行業(yè)，該技術需要提供一套可持續(xù)的、可擴展的比特糾錯解決方案。
2022-06-10 07:41:002309 
通過實施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來基于 3D TLC NAND 的設備可以保證 SSD 質量和數據完整性。
2022-08-17 11:54:142743 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝，這與學術論文提出和內存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993 
3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209 
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團援引業(yè)界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 據悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
在3D NAND的制造過程中，一般會有3個工序會用到干法蝕刻，即：臺階蝕刻，channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
2024-04-01 10:26:552343 
? 在過去幾十年里，動作捕捉（MoCap）技術經歷了顯著的發(fā)展，廣泛被應用于電影、游戲、虛擬現(xiàn)實、醫(yī)療等多個領域。近期，奧比中光合作客戶Moverse使用Orbbec Femto系列3D相機，打造出
2024-06-25 16:37:242001 電子發(fā)燒友網報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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工商網監(jiān)
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