完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:2993個(gè) 瀏覽:67310次 帖子:124個(gè)
超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...
華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會
近日,華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會,共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體華大半導(dǎo)體 951 0
SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象
結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有超過兩家Si...
2025年碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢,其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績...
電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇:國產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊
國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢,既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,也是中國電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。
碳化硅(SiC)技術(shù)正引領(lǐng)一場革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的...
納微半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看
近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣...
SiC模塊并聯(lián)ANPC拓?fù)湓?25kW儲能變流器中的方案優(yōu)勢
BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)SiC模塊BMF240R12E2G3并聯(lián)ANPC拓?fù)湓?25kW儲能變流器PCS中的損耗分...
國產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用分析
分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個(gè)SiC MOSFET型號(B3M040065Z和B3M040120Z)在T型三電平...
逆變器應(yīng)用中國產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管損耗計(jì)算對比
國產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管在125kW儲能變流器逆變損耗計(jì)算對比以及國產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管趨勢分析: 一、關(guān)鍵參數(shù)提取與對比 以下為...
英飛凌200mm SiC技術(shù)取得突破,2025年首供客戶
英飛凌在200mm碳化硅(SiC)產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展,計(jì)劃在2025年第一季度向客戶推出首批基于這一先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品。這些創(chuàng)新產(chǎn)品將在奧地利的菲拉赫生...
環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定
近日,環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底,盡管2025...
香港科技大學(xué)陳敬課題組揭示GaN與SiC材料的最新研究進(jìn)展
香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組,在第70屆國際電子器件大會(IEEE International Electron Devices Mee...
近日,英飛凌宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:將于本季度向客戶交付首批基于先進(jìn)的200mm(即8英寸)晶圓SiC(碳化硅)技術(shù)的產(chǎn)品。這一消息的發(fā)布,標(biāo)志著英飛凌在S...
眾所周知,幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的,使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵...
英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品
2月18日,英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)...
英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品
英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn),為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)2...
基于國產(chǎn)SiC模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
傾佳電子楊茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計(jì) ...
2025-02-23 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心SiC電源系統(tǒng) 867 0
華潤微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品
近日,西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品主要應(yīng)用...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |