記憶科技
服務(wù)器開發(fā)和公司研發(fā)副總裁Ding Wang續(xù)道：“安森美完全賦能我們VR13.HC平臺(tái)的開發(fā)，我們深信他們將為記憶科技的
下一代VR14
服務(wù)器平臺(tái)開發(fā)提供同類最佳的技術(shù)?！?/div>
2021-09-14 10:46:40
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近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-25 08:00:0011599 隨著服務(wù)器和個(gè)人電腦制造商相繼發(fā)布支持DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，越來越多的系統(tǒng)正在轉(zhuǎn)向新一代內(nèi)存模塊，2022年也成為了DDR5的啟用年。特別是在數(shù)據(jù)中心，處理器內(nèi)核數(shù)量的增加所帶動(dòng)的內(nèi)存帶寬和容量需求
2022-11-02 15:16:191278 
與Gen1 DDR5設(shè)備相比，數(shù)據(jù)速率和帶寬提高了33% 為未來的服務(wù)器平臺(tái)提供運(yùn)行速度高達(dá)6400 MT/s的DDR5 RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存 擴(kuò)展了領(lǐng)先的DDR5內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品陣容，該系
2023-02-22 11:45:481258 
MRDIMM產(chǎn)品的研發(fā)，并發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品方案。DDR5 MRDIMM將為下一代高性能計(jì)算、AI應(yīng)用提供動(dòng)力。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)提到，DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（Multiplexed
2024-07-31 18:26:546965 
通過豐富的服務(wù)器內(nèi)存專業(yè)知識(shí)滿足臺(tái)式和筆記本PC日益增長(zhǎng)的AI、游戲和內(nèi)容創(chuàng)作需求 新推出的客戶端產(chǎn)品，包括 DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器和 SPD Hub 支持先進(jìn)的DDR5客戶端 DIMM，最高運(yùn)行
2024-08-29 10:45:511443 
PC處理器對(duì)DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計(jì)算的全新電源
2025-05-29 09:11:208128 
下一代SONET/SDH設(shè)備
2019-09-05 07:05:33
下一代定位與導(dǎo)航系統(tǒng)
2012-08-18 10:37:12
HD XT[2]制作服務(wù)器是EVS的新一代平臺(tái)。它的高清架構(gòu)可以兼容標(biāo)清，完美地適應(yīng)標(biāo)清和高清市場(chǎng)不斷發(fā)展的市場(chǎng)需求。它建立在XT系列產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)的成功應(yīng)用基礎(chǔ)之上，包括：多機(jī)位錄制，慢動(dòng)作
2011-03-13 22:58:17
DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps.
DDR5內(nèi)存測(cè)試系統(tǒng)
2024-08-06 12:03:07
的內(nèi)存需求。我們?cè)跇I(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了5600 MT/s的性能，現(xiàn)在我們?cè)俣韧黄疲瑢⒌谌?b class="flag-6" style="color: red">代DDR5 RCD的性能提升到6400 MT/s，為新一代RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存保駕護(hù)航?！盜DC內(nèi)存半導(dǎo)體部門副總裁
2023-02-22 10:50:46
亞洲/ -- Supermicro 電腦公司（NASDAQ：SMCI），服務(wù)器技術(shù)創(chuàng)新和綠色計(jì)算的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布推出其基于 INTEL 新P67，Q67芯片組的下一代，高性能，單路（單處理器）平臺(tái)
2011-01-05 22:41:43
隨著移動(dòng)行業(yè)向下一代網(wǎng)絡(luò)邁進(jìn)，整個(gè)行業(yè)將面臨射頻組件匹配，模塊架構(gòu)和電路設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)。射頻前端的一體化設(shè)計(jì)對(duì)下一代移動(dòng)設(shè)備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
在DDR5內(nèi)存剛成為主流不久，如今三星又已經(jīng)率先開始了下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)，并預(yù)計(jì)在2024年之前完成設(shè)計(jì)。據(jù)悉，在近日召開的研討會(huì)上，三星負(fù)責(zé)測(cè)試和系統(tǒng)封裝（TSP）的副總裁透露，隨著未來
2022-10-26 16:37:40
單片光學(xué) - 實(shí)現(xiàn)下一代設(shè)計(jì)
2019-09-20 10:40:49
雙向射頻收發(fā)器NCV53480在下一代RKE中的應(yīng)用是什么
2021-05-20 06:54:23
如何利用低成本FPGA設(shè)計(jì)下一代游戲控制臺(tái)？
2021-04-30 06:54:28
怎樣去設(shè)計(jì)GSM前端中下一代CMOS開關(guān)？
2021-05-28 06:13:36
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
面向下一代電視的低功耗LED驅(qū)動(dòng)IC是什么？
2021-06-04 06:36:58
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，周一泄露的一篇論文顯示，英特爾下一代服務(wù)器芯片Westmere-EX將采用10核設(shè)計(jì)。
Westmere-EX是Nehalem-EX的下一代產(chǎn)品，后者包含8個(gè)核心，而且被認(rèn)為是英特
2010-06-23 08:08:23766 據(jù)VR報(bào)道，英特爾將推出支持DDR4的高端CPU產(chǎn)品，預(yù)計(jì)到2015年我們才會(huì)在桌面系統(tǒng)看到下一代的DDR4產(chǎn)品。Haswell四核系統(tǒng)目前已經(jīng)可以達(dá)到3000速度等級(jí)，而將于2014年推出的DDR4 Haswell-EX四插
2012-04-05 09:29:002267 下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203633 蘋果研發(fā)強(qiáng)攻五大下一代創(chuàng)新技術(shù); 集微網(wǎng)消息，蘋果公司積極研發(fā)新技術(shù)，從自駕車3D偵測(cè)、智能布料、心電檢測(cè)、光學(xué)辨識(shí)到液態(tài)金屬，都可以看見蘋果專利布局的用心。 臺(tái)灣中央社報(bào)導(dǎo)，iPhone為蘋果公司
2018-03-25 07:25:003448 
DDR4內(nèi)存目前還是絕對(duì)主流，不斷被深入挖潛，頻率已經(jīng)突破5GHz，不過下一代DDR5也已經(jīng)蠢蠢欲動(dòng)了。
2018-05-11 11:48:325844 Intel將在今年晚些時(shí)候推出下一代Xeon至強(qiáng)服務(wù)器平臺(tái)，代號(hào)“Cascade Lake”，仍然是14nm工藝，仍然是最多28核心56線程，相比于激進(jìn)的AMD EPYC霄龍?jiān)诓糠株P(guān)鍵規(guī)格上并無(wú)優(yōu)勢(shì)，不過在內(nèi)存方面，Intel要發(fā)飆了。
2018-07-10 16:10:002580 以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)。通過支持廣泛種類接口，MP1900A一體化方案精確測(cè)量包括M2M及IoT應(yīng)用用到的下一代高速電器件及光器件、高端服務(wù)器使用的光收發(fā)器、通信設(shè)備以及光通信模塊及收發(fā)器
2018-08-19 09:47:002660 10月18日消息 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，今年早些時(shí)候，Cadence和美光進(jìn)行了業(yè)界首次公開演示下一代DDR5內(nèi)存。
2018-10-19 16:48:297747 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 虛擬現(xiàn)實(shí)頭顯在過去五年中取得了明顯的改進(jìn)，并且在未來五年內(nèi)，由于計(jì)算機(jī)圖形和顯示技術(shù)的進(jìn)步，將向前邁出更大的一步。下一代無(wú)線技術(shù)是VR下一代發(fā)展的缺失環(huán)節(jié)，因?yàn)楫?dāng)代無(wú)線VR硬件無(wú)法滿足用戶期望的流暢沉浸。
2019-08-11 10:46:201006 SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個(gè)五代雙倍速率（DDR5） DRAM， 達(dá)到了電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì)（Joint Ele ctron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱JEDEC） 標(biāo)準(zhǔn)， 這項(xiàng)技術(shù)正在DRAM市場(chǎng)開拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:374434 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:245503 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:383418 
驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長(zhǎng)，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:0010655 今年，小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品中應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。
2020-03-30 15:18:134897 Intel昨天正式宣布了2020年會(huì)推出多款10nm處理器，面向服務(wù)器10nm處理器是Ice Lak-SP系列的，再下一代則是Sapphire Rapids，規(guī)格更無(wú)敵了，PCIe 5.0、DDR5一次集齊。
2020-04-10 16:08:532340 今年，小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品中
2020-07-30 15:27:123275 亮相。同樣，開發(fā)也是分階段進(jìn)行的：內(nèi)存控制器、接口、電氣等效測(cè)試IP和模塊。SK Hynix已經(jīng)進(jìn)行到了最后一個(gè)階段，或者至少是這些模塊中的芯片。 DDR5是下一代用于大多數(shù)主要計(jì)算平臺(tái)的平臺(tái)內(nèi)存。該規(guī)范（于2020年7月發(fā)布）將主電壓從1.2
2020-10-23 15:11:013409 
第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要等等呢
2021-02-27 12:13:5420208 
DDR5是下一代用于大多數(shù)主要計(jì)算平臺(tái)的平臺(tái)內(nèi)存。該規(guī)范(于2020年7月發(fā)布)將主電壓從1.2 V降至1.1 V，將最大硅芯片密度提高了4倍，最大數(shù)據(jù)速率翻倍，存儲(chǔ)數(shù)量翻倍。
2020-11-13 15:00:235674 
，2021 年將在深圳坪山率先實(shí)現(xiàn) DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)。 參數(shù)方面，新一代的內(nèi)存 DDR5，一個(gè) DIMM，兩個(gè)通道，將具備更快的速度，有望達(dá)到 4.8Gbps 的速度，比 DDR4 的 3.2Gbps
2020-12-02 16:04:362487 DDR5的量產(chǎn)。 有知情人透露，嘉合勁威目前正積極與芯片廠商溝通，引入和研發(fā)最新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，并且已經(jīng)開始籌備DDR5生產(chǎn)線，最快將在2021年的第二季度推出單條16GB的DDR5內(nèi)存條。 雖然，嘉合勁威不太可能是全球最早推出DDR5內(nèi)存條的廠商，不過很有可能
2020-12-08 17:14:253346 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:513254 在今年的內(nèi)存與存儲(chǔ)日活動(dòng)上，Intel不但推出了基于144層QLC NAND閃存的企業(yè)級(jí)SSD D7-P5510/D5-P5316、消費(fèi)級(jí)SSD 670p，基于新一代傲騰介質(zhì)的企業(yè)級(jí)SSD P5800X、混合式SSD H20，還帶來了新一代傲騰持久內(nèi)存（PMem）的消息。
2020-12-18 15:05:114975 于近日舉行的2020騰訊云Techo Park開發(fā)者大會(huì)期間，英特爾聯(lián)合騰訊正式發(fā)布搭載下一代英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器（代號(hào)“Ice Lake”）的騰訊云星星海新一代自研雙路服務(wù)器。該服務(wù)器作為云
2020-12-22 09:07:142740 在今天的年度生態(tài)大會(huì)上，飛騰不僅正式發(fā)布了全新的桌面消費(fèi)級(jí)處理器騰銳D2000系列，還預(yù)告了下一代數(shù)據(jù)中心處理器。 今年7月份，飛騰宣布了全新的產(chǎn)品線組合，其中騰云S系列面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的首發(fā)
2020-12-30 11:02:592832 CES 2021期間，存儲(chǔ)大廠威剛“拿”出了他們的下一代DDR5內(nèi)存，不過不是實(shí)物，只是渲染圖。
2021-01-15 09:44:333056 出DDR5 SO-SIMM內(nèi)存，希望率先與Intel、AMD的新平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證合作。 規(guī)格方面，首批DDR5 SO-SIMM內(nèi)存單條16GB容量，頻率4800MHz，電壓低至1.1V，也就是說，新一代筆記本在
2021-01-26 16:43:213384 Intel副總裁Carolyn Duran確認(rèn)，三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（Sapphire Rapids藍(lán)寶石激流）兼容。根據(jù)路線圖，Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會(huì)首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092885 Intel在CES 2021展會(huì)對(duì)第12代酷睿Alder Lake做了官方預(yù)熱，除了引入全新內(nèi)核微架構(gòu)和大小核設(shè)計(jì)外，最為重要的是支持下一代DDR5內(nèi)存。目前各大主板廠也已開始設(shè)計(jì)下一代Intel
2021-04-15 13:24:421741 
，JEDEC發(fā)布了DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著整個(gè)行業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM）過渡。DDR5內(nèi)存帶來了一系列重要改進(jìn)，有望幫助下一代服務(wù)器實(shí)現(xiàn)更好的性能和更低的功耗。以下是DDR5內(nèi)存的五大亮點(diǎn)。
2021-05-01 09:31:002974 近日，英特爾和微星分別官宣，Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布，這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出，將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱，英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142890 行業(yè)客戶以及廣大用戶對(duì)產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望，早在今年3月份就已經(jīng)發(fā)布DDR5 U-DIMM內(nèi)存條產(chǎn)品，并率先進(jìn)行實(shí)際測(cè)試。 目前Longsys DDR5內(nèi)存條順利開發(fā)出包括U-DIMM和SO-DIMM
2021-11-02 10:09:393928 
與前幾代 DDR 存儲(chǔ)器接口產(chǎn)品一樣，瑞薩的器件在性能和可靠性方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。瑞薩擁有完整的 IC 系列來開發(fā)高性能 DDR5 DIMM，包括 - RDIMM、LRDIMM、NVDIMM、UDIMM、SODIMM、游戲 DIMM 以及用于服務(wù)器和客戶端內(nèi)存下降應(yīng)用的內(nèi)存接口產(chǎn)品。
2022-04-26 09:10:324700 
合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺(tái)的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:573042 該機(jī)構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:482099 “溫度傳感器（TS）則負(fù)責(zé)在DIMM的不同位置提供高精度的溫度信息。”John Eble解釋說，他進(jìn)一步指出，這兩款芯片都是Rambus行業(yè)領(lǐng)先的DDR5 RCD的補(bǔ)充，以提供最先進(jìn)的帶寬和容量。
2022-09-30 12:59:342920 下一代?IBM LinuxONE?服務(wù)器系統(tǒng)的關(guān)鍵詞將是「 可持續(xù)計(jì)算 」。 最近一段時(shí)間，全球消費(fèi)類電子市場(chǎng)需求出現(xiàn)了下滑，但是在服務(wù)器市場(chǎng)上，各類機(jī)構(gòu)的需求仍然保持著快速的增長(zhǎng)。 今年?9?月
2022-11-24 17:08:181616 2022年12月1日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱RCD或DDR5 RCD03）工程樣片，并已向業(yè)界主流內(nèi)存廠商送樣，該產(chǎn)品將用于新一代服務(wù)器內(nèi)存模組。
2022-12-01 13:03:201409 JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲(chǔ)器架構(gòu)，認(rèn)為它的出現(xiàn)標(biāo)志整個(gè)產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）過渡。
2022-12-05 11:59:265536 * 業(yè)界最快的DDR5服務(wù)器，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作，SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開發(fā)? * 努力尋求技術(shù)突破，鞏固在服務(wù)器DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位 韓國(guó)首爾
2022-12-09 20:40:312118 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在服務(wù)器面臨的內(nèi)存容量和帶寬限制下，不少新設(shè)計(jì)的服務(wù)器都選了集成多個(gè)DIMM內(nèi)存插槽，將單個(gè)服務(wù)器的最高內(nèi)存擴(kuò)充至TB級(jí)，力求打破“內(nèi)存墻”。DIMM這種內(nèi)存模塊
2022-12-12 07:10:061539 * 獲得近期上市的英特爾CPU“Sapphire Rapids”兼容存儲(chǔ)器認(rèn)證? * 以DDR5積極應(yīng)對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)，提早克服存儲(chǔ)器半導(dǎo)體低迷期? * 第二代10納米級(jí)也一同認(rèn)證，以多種產(chǎn)品群應(yīng)對(duì)
2023-01-12 21:32:261496 ?
內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個(gè)人計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE?Connectivity（以下簡(jiǎn)稱“TE”）經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代發(fā)展。為了更好地助力數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸挘?b class="flag-6" style="color: red">DDR5 DIMM插槽應(yīng)運(yùn)而生。
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2023-02-16 10:31:162020 發(fā)展。為了更好地助力數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸挘?b class="flag-6" style="color: red">DDR5 DIMM插槽應(yīng)運(yùn)而生。 早先這款升級(jí)產(chǎn)品即將面世消息一出，我們收到了非常多客戶詢問，好消息是，現(xiàn)在DDR5 DIMM插槽已全面開放訂購(gòu)！大家可以即刻下單，先人一步暢享更快的數(shù)據(jù)傳輸體驗(yàn)。 TE的DDR DIMM插槽連接器從第一代發(fā)展至今，每次升級(jí)都
2023-02-19 16:13:011464 
為了更好地助力數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸挘?b class="flag-6" style="color: red">DDR5 DIMM插槽應(yīng)運(yùn)而生。
2023-02-19 23:04:561127 
供應(yīng)商，Rumbus在第一代和第二代DDR5 RCD產(chǎn)品已經(jīng)取得先機(jī)。最近，Rumbus推出第三代DDR5 RCD產(chǎn)品，這也是為了順應(yīng)服務(wù)器CPU性能和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷升級(jí)的趨勢(shì)。Rambus內(nèi)存互連
2023-03-02 10:27:136269 
DDR5在服務(wù)器市場(chǎng)的滲透率正在進(jìn)一步提高，進(jìn)入放量期。
2023-04-15 10:23:173999 發(fā)展。為了更好地助力數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸挘?b class="flag-6" style="color: red">DDR5 DIMM插槽應(yīng)運(yùn)而生。 早先這款升級(jí)產(chǎn)品即將面世消息一出，我們收到了非常多客戶詢問，好消息是， 現(xiàn)在DDR5 DIMM插槽已全面開放訂購(gòu) ！大家可以即刻下單，先人一步暢享更快的數(shù)據(jù)傳輸體驗(yàn)。 TE的DDR DIMM插槽連接器從第一代發(fā)展至今，每次升級(jí)都能
2023-05-06 17:33:422227 
數(shù)據(jù)中心、存儲(chǔ)、汽車和其他新興市場(chǎng)應(yīng)用的增長(zhǎng)正在推動(dòng)下一代內(nèi)存技術(shù)（DDR5、LPDDR5）的發(fā)展。與其前輩一樣，最新的內(nèi)存技術(shù)也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標(biāo)準(zhǔn)接口DFI，以降低集成成本并提
2023-05-26 11:13:404679 
驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。 DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒
2023-06-29 18:15:031614 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535586 2023年10月27日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03，該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨在進(jìn)一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:411770 DDR5加速更高速、更高效、更智能的數(shù)字化未來
2023-12-07 15:07:34805 DDR5 模塊解決方案，其內(nèi)存帶寬提高了 50%。它支持服務(wù)器主內(nèi)存性能的快速提升，以滿足生成式人工智能和其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作
2023-12-28 11:21:571133 LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:067773 將隨著支持內(nèi)存速率6400MT/S的新一代服務(wù)器CPU平臺(tái)的發(fā)布而開始規(guī)模出貨。此外，DDR5第四子代RCD芯片的工程樣片已經(jīng)送樣給主要的內(nèi)存廠商進(jìn)行評(píng)估。
2024-02-02 10:27:351769 提供業(yè)界領(lǐng)先的 DDR5 服務(wù)器 PMIC，滿足AI及其他高級(jí)工作負(fù)載對(duì)最高性能與容量內(nèi)存模塊的需求 通過全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務(wù)器 為 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存模塊提供完整
2024-06-20 15:13:131586 提供業(yè)界領(lǐng)先的 DDR5 服務(wù)器 PMIC，滿足AI及其他高級(jí)工作負(fù)載對(duì)最高性能與容量內(nèi)存模塊的需求 通過全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務(wù)器 為 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存模塊提供完整
2024-06-21 11:29:45744 
DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時(shí)代基本內(nèi)存條上時(shí)鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對(duì)而言比較細(xì)。不知道你開始使用DDR5沒有，你有關(guān)注過DDR5內(nèi)存條上的時(shí)鐘走線嗎？
2024-07-16 17:47:136103 
在追求極致性能與效率的科技浪潮中，Rambus再次引領(lǐng)行業(yè)前行，正式宣布推出面向下一代高性能臺(tái)式電腦與筆記本電腦的DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）。這一創(chuàng)新舉措標(biāo)志著Rambus將其在服務(wù)器領(lǐng)域的先進(jìn)內(nèi)存接口技術(shù)成功擴(kuò)展至廣闊的客戶端市場(chǎng)，為PC用戶帶來前所未有的性能飛躍。
2024-09-03 15:26:131252 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037932 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405418 近日，存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)佰維存儲(chǔ)推出了其新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X。這款內(nèi)存產(chǎn)品采用了先進(jìn)的1bnm制程工藝，相較于上一代產(chǎn)品，其數(shù)據(jù)傳輸速率有了顯著提升，高達(dá)8533Mbps，提升了33
2024-12-16 13:52:121766 TPS53830是 D-CAP+ ? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于 DDR5 on-DIMM 電源。它為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 電壓，具有可配置的電流能力
2025-04-24 11:31:02867 
TPS53832是 D-CAP+ ? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于 DDR5 on-DIMM 電源。它為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 電壓，具有可配置的電流能力
2025-04-24 13:41:441061 
瀾起科技今日正式宣布，已完成DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（RCD04）的量產(chǎn)。該芯片是高性能服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心內(nèi)存系統(tǒng)的核心組件，將為下一代計(jì)算平臺(tái)帶來顯著的內(nèi)存性能提升。
2025-10-30 11:37:54443 TE Connectivity DDR5 DIMM插槽是專為高性能計(jì)算和服務(wù)器平臺(tái)設(shè)計(jì)的下一代內(nèi)存硬件產(chǎn)品。這些插槽支持高達(dá)6.4GT/s（每秒千兆傳輸）的帶寬，并提供空間間距特性，可在元件之間獲得
2025-11-07 11:04:27410 
隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，CPU核心數(shù)量不斷增加，數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，傳統(tǒng)DDR4內(nèi)存的帶寬和能效已逐漸成為系統(tǒng)性能的瓶頸。DDR5作為下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)運(yùn)而生，旨在滿足數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算及高端
2025-12-01 15:28:04165 
Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，內(nèi)存連接器的性能對(duì)于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12315 7月15日，JEDEC正式公布了全新的DDR5標(biāo)準(zhǔn)，劍指下一代高性能計(jì)算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱，DDR5是為了滿足高效率高性能的多種需求所設(shè)計(jì)的，不僅包括客戶端系統(tǒng)，還有高性能服務(wù)器，為未來的數(shù)據(jù)中心和計(jì)算機(jī)改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。
2020-07-22 09:50:518746 
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