這里我們這里按555電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)進(jìn)行分類和歸納,把 555 電路分為3大類、8種、共18個(gè)單元電路。每個(gè)電路除畫(huà)出它的標(biāo)準(zhǔn)圖型,指出他們的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)或識(shí)別方法外,還給出了計(jì)算公式和他
2011-09-13 13:44:32
4349 
提出一種新型的6管SRAM單元結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)采用讀/寫(xiě)分開(kāi)技術(shù)，從而很大程度上解決了噪聲容限的問(wèn)題
2011-11-22 14:50:1516697 
Reconfigurable Cell Array）結(jié)構(gòu)測(cè)試FPGA邏輯單元PLB（Programmable Logic Block）的方法，該方法對(duì)邏輯單元PLB 進(jìn)行了分類、分階段的測(cè)試，同時(shí)進(jìn)行電路模擬實(shí)驗(yàn)。
2018-11-28 09:02:005013 
邏輯單元在FPGA器件內(nèi)部，用于完成用戶邏輯的最小單元。
2023-10-31 11:12:123301 
DynamIQ? 共享單元（DSU）包括支持DynamIQ的L3存儲(chǔ)系統(tǒng)、控制邏輯和外部接口? 簇DynamIQ? 集群微體系結(jié)構(gòu)將一個(gè)或多個(gè)核心與DSU集成，以形成一個(gè)集群，該集群實(shí)現(xiàn)為指定的配置
2023-08-08 06:48:05
ETMv4跟蹤單元通過(guò)生成跟蹤元素來(lái)跟蹤處理元素或PE的執(zhí)行。
ETMv4體系結(jié)構(gòu)定義了從PE的執(zhí)行生成這些跟蹤元素。
ETMv4跟蹤單元可以生成兩個(gè)跟蹤元素流：
·指令跟蹤元素流。
·如果實(shí)現(xiàn)并
2023-08-11 07:59:35
CLB和IOB是邊界單元嗎？最好的祝福，邁克爾
2020-04-14 09:37:29
CM2830MIM23 - 300mA CMOS LDO - Champion Microelectronic Corp.
2022-11-04 17:22:44
CM2830MIM23 - 300mA CMOS LDO - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
CM2830MIM25 - 300mA CMOS LDO - Champion Microelectronic Corp.
2022-11-04 17:22:44
CM2830MIM25 - 300mA CMOS LDO - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
CM2830MIM89 - 300mA CMOS LDO - Champion Microelectronic Corp.
2022-11-04 17:22:44
CM2831MIM25 - 300mA CMOS LDO WITH ENABLE - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
CM2832MIM25 - 300mA CMOS LDO WITH ENABLE - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
CM2833MIM25 - 300mA CMOS LDO WITH ENABLE - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
前言 ′???`微機(jī)系統(tǒng)的構(gòu)成外設(shè)CPU結(jié)構(gòu)執(zhí)行單元BIU寄存器存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu) 尋址方式總結(jié) ′?`
2021-12-10 07:56:32
體系結(jié)構(gòu)包括當(dāng)計(jì)數(shù)器達(dá)到閾值時(shí)產(chǎn)生中斷的機(jī)制。
在CoreSight性能監(jiān)視單元體系結(jié)構(gòu)中，事件計(jì)數(shù)器是單調(diào)增加的。但是，在某些情況下，PMU提供監(jiān)控器來(lái)測(cè)量組成部分例如，監(jiān)控器可能在分配資源時(shí)遞增
2023-08-09 07:20:43
組成，它們是 VHDL 程序的設(shè)計(jì)單元。其中實(shí)體、配置和程序包屬于初級(jí)設(shè)計(jì)單元，主要的功能是進(jìn)行端口、行為、函數(shù)等的定義。結(jié)構(gòu)體和程序包體是次級(jí)設(shè)計(jì)單元，包含了所有行為以及函數(shù)的實(shí)現(xiàn)代碼。其中，程序包和程序包
2018-09-07 09:11:08
一、FPGA的基本結(jié)構(gòu) FPGA由6部分組成，分別為可編程輸入/輸出單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式摸塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入式功能單元和內(nèi)嵌專用硬核等。 每個(gè)單元簡(jiǎn)介如下： 1.
2019-09-24 11:54:53
一、FPGA的基本結(jié)構(gòu) FPGA由6部分組成，分別為可編程輸入/輸出單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式摸塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入式功能單元和內(nèi)嵌專用硬核等。 每個(gè)單元簡(jiǎn)介如下： 1.
2016-07-16 15:32:39
一、FPGA的基本結(jié)構(gòu) FPGA由6部分組成，分別為可編程輸入/輸出單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式摸塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入式功能單元和內(nèi)嵌專用硬核等。 每個(gè)單元簡(jiǎn)介如下： 1.
2016-08-23 10:33:54
一、FPGA的基本結(jié)構(gòu) FPGA由6部分組成，分別為可編程輸入/輸出單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式摸塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入式功能單元和內(nèi)嵌專用硬核等。 每個(gè)單元簡(jiǎn)介如下： 1.
2016-09-18 11:15:11
一、FPGA的基本結(jié)構(gòu) FPGA由6部分組成，分別為可編程輸入/輸出單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式摸塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入式功能單元和內(nèi)嵌專用硬核等。 每個(gè)單元簡(jiǎn)介如下： 1.
2016-10-08 14:43:50
Gowin 可配置功能單元(CFU)手冊(cè)主要描述了可配置功能單元的結(jié)構(gòu)、工作模式和原語(yǔ)。
2022-09-28 08:23:36
H橋IGBT功率單元及試驗(yàn)裝置的母線結(jié)構(gòu)
2019-11-05 06:25:44
方式邊界對(duì)齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器 SRAM靜態(tài)MOS存儲(chǔ)單元靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器 DRAM四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)元的工作原理
2021-07-28 07:59:20
Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來(lái)解釋，比較容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
基本了解。STM32各系列的定時(shí)器結(jié)構(gòu)和框架基本是一樣的，時(shí)基單元也一樣。下面時(shí)基單元是以STM32F3系列為參考。時(shí)基單元中的TIMx_PSC、TIM_ARR兩個(gè)寄存器加上捕捉比較...
2022-01-05 06:05:45
STM32芯片系統(tǒng)結(jié)構(gòu)四個(gè)驅(qū)動(dòng)單元 Icode、Dcode、System、DMA指令總線 Icode數(shù)據(jù)總線 Dcode將Cortex-M3和Flash、SRAM進(jìn)行連接 加載用const修飾（若用
2021-12-14 07:39:22
TS80C51RD2-MIM - High Performance 8-bit Microcontroller - ATMEL Corporation
2022-11-04 17:22:44
TS83C51RD2-MIM - High Performance 8-bit Microcontroller - ATMEL Corporation
2022-11-04 17:22:44
TS87C51RD2-MIM - High Performance 8-bit Microcontroller - ATMEL Corporation
2022-11-04 17:22:44
VI-J1MIM - DC-DC Converters 25 to 100 Watts - Vicor Corporation
2022-11-04 17:22:44
VI-J4MIM - DC-DC Converters 25 to 100 Watts - Vicor Corporation
2022-11-04 17:22:44
VI-J6MIM - DC-DC Converters 25 to 100 Watts - Vicor Corporation
2022-11-04 17:22:44
的性能得到整體的提升,本文提出了讀寫(xiě)裕度同時(shí)提升的新型10TSARM單元電路結(jié)構(gòu),可以很大程度上抑制傳統(tǒng)6T存儲(chǔ)單元讀操作時(shí)"0"節(jié)點(diǎn)的分壓?jiǎn)栴},提高SRAM存儲(chǔ)單元的讀靜態(tài)
2020-04-01 14:32:04
如何改變單元格字體的COLOR和單元格底色？
2021-10-13 07:25:15
功耗。特別是對(duì)手持式設(shè)備、利用電池供電的設(shè)備都功耗要求比較高。一、時(shí)鐘系統(tǒng)與內(nèi)部結(jié)構(gòu)四個(gè)驅(qū)動(dòng)單元Cortex-M3內(nèi)核ICode總線（I-bus）.DCode總線（D-bus）.和系統(tǒng)總線（S...
2021-08-06 08:05:06
緊急呼叫單元和無(wú)線連接單元
2020-12-23 06:29:41
聚苯胺一種發(fā)現(xiàn)最早的共軛導(dǎo)電聚合物，其電導(dǎo)率在5～10S/cm之間。在酸性介質(zhì)中，苯胺單體經(jīng)電化學(xué)或化學(xué)氧化聚合成導(dǎo)電聚苯胺。它由還原單元和氧化單元構(gòu)成，其比值在0～1之間，不同比值對(duì)應(yīng)于不同的結(jié)構(gòu)、組分、顏色以及電導(dǎo)率。
2019-09-10 10:42:55
之前只用過(guò)tsmc 65nm的，在設(shè)置電感時(shí)候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒(méi)有了嗎？只能自己掃描參數(shù)一個(gè)一個(gè)試？28nm下是沒(méi)有MIM電容了嗎？相關(guān)的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
帶像素讀掩摸寄存器的像素處理單元的工作和結(jié)構(gòu):
2009-06-11 13:17:51
8 微結(jié)構(gòu)氣敏傳感器由于其微型化、低功耗、易陣列化和易批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)而受到國(guó)內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注。利用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 加工技術(shù),制備Si 基膜片型微結(jié)構(gòu)單元,并分析其熱學(xué)
2009-07-13 08:16:1818 MIM液晶顯示技術(shù):隨著液晶顯示(LCD)技術(shù)的飛速發(fā)展， 目前， 已研制出了各種高分辨率、高信息容譬的有源矩陣液晶顯示器(AM—LCD s)。已有商品的AM—LCD s主要是TFT(薄膜晶體鋒)和MIM(
2010-01-08 18:11:1629 ：空間相機(jī)結(jié)構(gòu)的加強(qiáng)筋，工程分析常常采用的是殼單元來(lái)模擬。本文研究了梁元在空間相機(jī)上的適用性，并采用梁單元來(lái)模擬加強(qiáng)筋建立有限元模型。從而使計(jì)算速度更快，
2010-01-11 11:11:5913 以航天光學(xué)工程中實(shí)際的相機(jī)模型為例，重點(diǎn)研究了超單元在模態(tài)分析和動(dòng)力學(xué)分析中的適用性。結(jié)果表明，超單元在大型復(fù)雜航天相機(jī)結(jié)構(gòu)中具有良好的適用性，為實(shí)際的工程
2010-01-22 14:10:0311 本文介紹了一種基于單片機(jī)與觸摸屏的水下機(jī)器人便攜式遙控單元設(shè)計(jì)方法,主要包括便攜式遙控單元硬件結(jié)構(gòu)、單片機(jī)與觸摸屏之間的通信以及遙控單元軟件設(shè)計(jì)等內(nèi)容。通過(guò)該便
2010-02-23 13:53:4720 ARM 內(nèi)存管理單元MMU詳細(xì)圖解資料
本文描述基于存儲(chǔ)器管理單元的系統(tǒng)結(jié)構(gòu), 包含以下內(nèi)容：· 關(guān)于存儲(chǔ)器管理單元的結(jié)構(gòu)· 存儲(chǔ)器訪問(wèn)的順序
2010-03-03 16:22:3797 1、單元表征
單元族：單元名字里
2010-08-13 17:37:200 小功率電機(jī)產(chǎn)品單元劃分原則： 電動(dòng)機(jī)類型、用途相同的系列產(chǎn)品劃分為一個(gè)單元。但其結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、絕緣等級(jí)、工作制等亦應(yīng)相同。單元劃分如下：
2010-09-24 16:07:2525 慣性測(cè)量單元（IMU）是一種測(cè)量物體三軸姿態(tài)角（或角速度）和加速度的裝置。陀螺儀和加速度計(jì)是慣性導(dǎo)航系統(tǒng)（INS）的核心設(shè)備。通過(guò)內(nèi)置的加速度計(jì)
2024-12-24 14:29:52
MIM遞斷作用
2010-01-09 15:47:00824 H橋IGBT功率單元
本文中的實(shí)驗(yàn)裝置是一臺(tái)單相 H 橋IGBT 功率單元，其拓?fù)浣Y(jié)
2010-02-22 10:18:384150 
ABS ECU控制單元是什么意思
控制單元ECU的結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括：①微控制器，包括MC68HC9S12DP256和MC68HC08GZ32，分別用于控制和故障處理
2010-03-11 17:24:0516073 基于標(biāo)準(zhǔn)單元ASIC設(shè)計(jì)
基于標(biāo)準(zhǔn)單元的設(shè)計(jì)是指把一些基本單元乃至具有相當(dāng)強(qiáng)功能的模塊預(yù)先設(shè)計(jì)好,作為標(biāo)準(zhǔn)單元存入CAD 系統(tǒng)中,
2010-03-26 17:12:431347 美國(guó)奧勒岡州立大學(xué)(Oregon State University，OSU)的研究人員宣布，已經(jīng)利用金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal，MIM
2010-11-15 09:23:311131 MIM是由金屬、絕緣體、金屬三層薄膜組成的夾心結(jié)構(gòu)。用于液晶顯示的MIM結(jié)構(gòu)，MIM元件的特點(diǎn)是其伏安特性的非線性變化。液晶顯示正是利用了MIM的這個(gè)特點(diǎn)。
2011-11-28 10:15:4020330 
自適應(yīng)單元轉(zhuǎn)換器拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度、 帶功率因數(shù)校正之通用輸入AC-前端的恒定效率
2016-01-07 10:31:050 本單元通過(guò)擴(kuò)展單元電纜連接SPB基本單元（除了20點(diǎn)單元外），模擬輸入時(shí)，將模擬的輸入值變換數(shù)字值，輸入PC，模擬輸出時(shí)，將數(shù)字值變換成模擬值，從PC機(jī)輸出?；?b class="flag-6" style="color: red">單元最多可以連接3臺(tái)擴(kuò)展單元，但是不能連載在20點(diǎn)基本單元上。
2017-09-26 15:05:001 ，在RISC結(jié)構(gòu)中整合了一個(gè)密碼運(yùn)算單元，并且這些運(yùn)算單元是基于可重構(gòu)的，對(duì)它配置不同的信息可以完成不同的算法，該運(yùn)算單元與算術(shù)運(yùn)算單元ALU并行工作，并訪問(wèn)同一個(gè)寄存器文件[1]。RISC體系結(jié)構(gòu)作為計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)策略的一種類型己愈來(lái)
2017-12-01 09:27:01909 
針對(duì)基于非結(jié)構(gòu)網(wǎng)格方法的飛行器多體分離數(shù)值模擬中的局部網(wǎng)格重構(gòu)問(wèn)題，提出了一種基于單元相鄰關(guān)系的重構(gòu)區(qū)域構(gòu)造方法。首先，根據(jù)單元半徑比檢查網(wǎng)格質(zhì)量并標(biāo)記重構(gòu)單元；其次，通過(guò)網(wǎng)格單元的相鄰關(guān)系對(duì)重
2017-12-18 10:57:160 助力外骨骼是以人為控制主體，機(jī)械結(jié)構(gòu)為動(dòng)力主體，人機(jī)高度耦合的復(fù)雜力隨動(dòng)系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)助力外骨骼長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定可靠運(yùn)行的目的，必須解決其動(dòng)力單元的部分問(wèn)題。基于外骨骼系統(tǒng)整體結(jié)構(gòu)，著重于助力外骨骼的液壓
2018-03-01 15:24:301 的分析結(jié)果，對(duì)不同大小和形狀的水泵進(jìn)出口結(jié)構(gòu)形式進(jìn)行仿真，與當(dāng)前結(jié)構(gòu)形式進(jìn)行對(duì)比，并考慮現(xiàn)有安裝空間的限制，得出優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，從而解決水泵單元存在的振動(dòng)和噪聲問(wèn)題。
2018-03-19 11:41:070 處理單元有哪些？
2018-04-09 16:08:271 分析完激勵(lì)器單元，我們?cè)賮?lái)看整機(jī)結(jié)構(gòu)。激勵(lì)器之所以沒(méi)有被稱為“聽(tīng)筒”或“受話器”，因?yàn)閺倪@個(gè)名字上，我們就可以了解到，它起到的是激勵(lì)其他結(jié)構(gòu)，從而產(chǎn)生振動(dòng)實(shí)現(xiàn)發(fā)聲的功能。那么它是如何跟其他結(jié)構(gòu)配合的呢？
2018-08-02 08:59:2018033 鎧俠株式會(huì)社（Kioxia Corporation）近日宣布將使用專門(mén)設(shè)計(jì)的半圓形浮置柵極（FG）單元開(kāi)發(fā)全球首個(gè)［1］三維（3D）半圓形分柵型閃存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。
2019-12-14 12:03:571784 近日，鎧俠株式會(huì)社（Kioxia Corporation）宣布開(kāi)發(fā)出創(chuàng)新的儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲(chǔ)單元的柵電極分割為半圓形來(lái)縮小單元尺寸以實(shí)現(xiàn)高集成化。
2019-12-24 16:35:303913 微帶天線是應(yīng)用最廣泛的天線之一，它具有體積小、重量輕、低剖面、能與載體共形等優(yōu)點(diǎn)，目前已成為天線領(lǐng)域中研究的熱點(diǎn)之一。采用層疊貼片天線結(jié)構(gòu)可以有效增加微帶天線帶寬；采用口徑耦合的饋電方式可以減少饋電網(wǎng)絡(luò)對(duì)天線輻射單元的耦合。
2020-01-21 17:16:004991 
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上，在一些
2020-05-14 09:19:474400 
制程工藝是非常重要的基礎(chǔ)。在今年“架構(gòu)日”上，英特爾推出了創(chuàng)新的晶體管技術(shù)SuperFin。這項(xiàng)技術(shù)擁有行業(yè)顛覆意義，英特爾在底層晶體管設(shè)計(jì)上做了優(yōu)化，降低了電阻，提高了電流，同時(shí)在電容層級(jí)采用了Super MIM的大幅優(yōu)化技術(shù)，電容量提高了5倍，同時(shí)降低了壓降。
2020-08-27 11:14:582869 ? 集微網(wǎng)報(bào)道，近年來(lái)，全球智能手機(jī)逐漸從單攝像頭向兩個(gè)或更多攝像頭轉(zhuǎn)向。在華為MateP系列，三星Galaxy旗艦系列以及VivoPro系列等智能手機(jī)多重?cái)z像頭推動(dòng)下，MIM攝像頭支架的滲透率也
2021-01-06 10:14:013334 數(shù)據(jù)必須首先在計(jì)算機(jī)內(nèi)被表示，然后才能被計(jì)算機(jī)處理。計(jì)算機(jī)表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲(chǔ)設(shè)備；而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的具體單位是存儲(chǔ)單元；因此，了解存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。
2021-01-08 10:03:553383 單元測(cè)試是整個(gè)軟件開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié) ,執(zhí)行一個(gè)完備的單元測(cè)試方案能夠提高整個(gè)開(kāi)發(fā)過(guò)程的時(shí)間效率,確保軟件的實(shí)際功能與詳細(xì)設(shè)計(jì)說(shuō)明的一致性，使軟件開(kāi)發(fā)的效率和軟件產(chǎn)品的質(zhì)量得到最好的保障
2021-04-28 17:21:5010778 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供32位CPU中執(zhí)行單元總體結(jié)構(gòu)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-07 08:46:129 基于虛擬沖突陣列的路由單元體系結(jié)構(gòu)
2021-06-27 16:41:0111 當(dāng)持續(xù)時(shí)間更長(zhǎng)的 EOS 事件發(fā)生時(shí)，沖擊 ESD 保護(hù)單元的能量就會(huì)更多，常常超出 ESD 保護(hù)單元的最大沖擊能量承受能力，這樣就會(huì)在 ESD 保護(hù)單元中積累太多的熱量，最終導(dǎo)致嚴(yán)重的毀滅性結(jié)果。
2022-04-20 09:22:393620 R、G、B三色的色濾波器集中放在玻璃基板上，依次排好。每個(gè)像素由三種顏色的單元(或叫次像素成分)組成。當(dāng)光通過(guò)放在前面的玻璃基板上的一個(gè)彩色濾色系統(tǒng)時(shí)就可獲得彩色。靠給每個(gè)單元供給能量來(lái)改變其強(qiáng)度
2022-05-11 10:57:171649 RT-Thread上的單元測(cè)試：什么是單元測(cè)試？單元測(cè)試的作用是什么？ ? ? ? ? ? 審核編輯：彭靜
2022-05-27 16:06:202306 
邏輯單元（Logic Element，LE）在FPGA器件內(nèi)部，用于完成用戶邏輯的最小單元。一個(gè)邏輯陣列包含16個(gè)邏輯單元以及一些其他資源， 在一個(gè)邏輯陣列內(nèi)部的16個(gè)邏輯單元有更為緊密的聯(lián)系，可以實(shí)現(xiàn)特有的功能。
2022-06-15 16:50:215924 功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu)，如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門(mén)子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列。
2022-08-04 15:35:074330 這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該從cpu、寄存器和內(nèi)存單元的物理結(jié)構(gòu)來(lái)看。
2022-09-05 11:17:195613
整流單元涵蓋功率范圍為 22kW、45kW、110kW、160kW、355kW，共有五個(gè)外型結(jié)構(gòu)，分書(shū)本型單元
結(jié)構(gòu)和立式單元，整流單元 22kW~160kW 為等高深書(shū)本型結(jié)構(gòu)共有 4 種寬度設(shè)計(jì)（50mm、100mm、
200mm、300mm），整流單元 355kW 為立式單元，寬度為 18
2022-09-07 14:26:3612 功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu)，如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門(mén)子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列
2022-10-07 10:39:001351 這兩個(gè)層面給我們的啟示是，這里的晶體結(jié)構(gòu)基元堆砌幾何和尺寸，對(duì)鐵基超導(dǎo)電性有重要作用。
2022-10-21 15:12:202447 單元電路與版圖** ** ·CMOS門(mén)電路** ** ·CMOS的功耗表示** 老實(shí)說(shuō)，CMOS比較偏微電子器件，微電子器件還真難...這里我就說(shuō)一些做數(shù)字設(shè)計(jì)或許要了解的東西吧（以后要是有必要，會(huì)補(bǔ)充）。 1、MOS晶體管結(jié)構(gòu)與工作原理簡(jiǎn)述 我們或多或少知道，晶體管在數(shù)字電路中的主要作用就是
2023-01-28 08:16:003210 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒(méi)有JFET效應(yīng)，寄生電容更小，開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:013341 
這樣的一種操作方法或建模方法，我們稱之為超單元法，或者叫直接矩陣輸入法；這些“表示”即為所謂的超單元。而整體模型除去超單元的部分稱為殘余結(jié)構(gòu)（剩余結(jié)構(gòu)）。將超單元與殘余結(jié)構(gòu)組合進(jìn)行求解，得到相應(yīng)的工況結(jié)果。
2023-05-31 14:58:144650 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 當(dāng)前硅電容器在結(jié)構(gòu)上多半采用三層式“金屬／絕緣體／金屬”（Metal-Insulator-Metal，MIM）形式，另外也有多MIM 結(jié)構(gòu)的硅電容器，其每一個(gè)MIM 結(jié)構(gòu)都負(fù)責(zé)蓄存一部分的靜電電容，多個(gè)MIM 堆疊可以增加總靜電電容值。
2023-09-19 17:32:353012 
通聯(lián)精密專業(yè)從事高精密，高密度，復(fù)雜形狀，外觀精巧的精密配件的研發(fā)，設(shè)計(jì)，生產(chǎn)及銷售。目前，公司的mim、cnc、激光加工等精密制造技術(shù)的研發(fā)和制造能力都已得到國(guó)內(nèi)外一流客戶的認(rèn)可。
2023-10-16 14:28:191053 MIM的工藝過(guò)程MIM工藝主要分為四個(gè)階段，包括制粒、注射、脫脂和燒結(jié)，以及隨后的機(jī)械加工或拉絲，如果需要的話、電鍍等二次加工技術(shù)。
2023-12-26 14:53:4213122 
ZYNQ PL 部分等價(jià)于 Xilinx 7 系列 FPGA，因此我們將首先介紹 FPGA 的架構(gòu)。簡(jiǎn)化的 FPGA 基本結(jié)構(gòu)由 6 部分組成，分別為可編程輸入/輸出單元、基本可編程邏輯單元、嵌入式塊RAM、豐富的布線資源、底層嵌入功能單元和內(nèi)嵌專用硬核等。
2024-10-25 16:50:234629 
CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的電容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。PIP 主要應(yīng)用在0.35μm及以上的亞微米及微米工藝技術(shù)，MIM 主要應(yīng)用在0.35μm 及以下
2024-12-04 16:14:172564 
在巖土工程與大型結(jié)構(gòu)物(如大壩、橋梁、隧道、邊坡等)的安全監(jiān)測(cè)中，精準(zhǔn)、可靠的數(shù)據(jù)采集是保障工程安全的核心。南京峟思工程儀器有限公司推出的MCU自動(dòng)測(cè)量單元，憑借其智能化、模塊化設(shè)計(jì)及多場(chǎng)景適配能力
2025-06-20 09:55:36519 
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