Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 和每個單元更多的存儲空間，這可以顯著提高每個單元的存儲密度。 Kioxia（原為東芝存儲）創(chuàng)造了3D NAND閃存存儲的潛在繼任者 上周四，Kioxia宣布了世界上第一個三維半圓形分裂柵閃存單元結(jié)構(gòu)，稱為
2019-12-23 10:32:215035 Western Digital和Kioxia宣布成功開發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產(chǎn)，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 據(jù)外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 目前東芝已經(jīng)提出了創(chuàng)紀錄的96層堆疊3D閃存——第四代BiCS閃存。它的內(nèi)部是如何工作的？一顆閃存芯片又是,如何演變成我們能看到的閃存顆粒？
2017-09-20 09:39:1426286 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392049 
Intel的傲騰系列閃存上因為使用了最新的3D XPoint閃存所以其速度和耐用性都給人留下了深刻的印象。而當年和Intel一起合作開發(fā)3D XPoint的美光在昨天也終于正式宣布推出自己的首款3D XPoint產(chǎn)品——X100。
2019-11-27 17:01:071214 Kioxia（鎧俠）和西部數(shù)據(jù)宣布，雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先進的3D NAND技術(shù)。 Kioxia首席技術(shù)
2021-02-20 15:30:152832 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312 全新硬盤采用第6代BiCS FLASH? 3D閃存；2048GB的固態(tài)硬盤保持M.2 2230的外形規(guī)格 ? 2023 年 5 月 23 日，東京 - 鎧俠株式會社今天宣布其PCIe?4.0固態(tài)硬盤
2023-05-25 17:31:561775 
全新的256GB、512GB和1TB閃存設(shè)備允許智能手機和移動應(yīng)用程序充分利用5G網(wǎng)絡(luò)的高速率 為了繼續(xù)推動通用閃存(1)（UFS）技術(shù)的發(fā)展，全球存儲器解決方案的領(lǐng)導者鎧俠株式會社近日宣布，具有
2023-06-06 14:30:192042 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）生成式AI是最近行業(yè)最火的話題，作為存儲芯片國際大廠的鎧俠，對于閃存在生成式AI時代的技術(shù)和應(yīng)用有著前瞻的理解和舉措。與此同時，鎧俠也一直引領(lǐng)著PCIe Gen5
2024-04-02 18:03:0910763 
提升到一個全新的水平，將推動包括人工智能在內(nèi)的多個應(yīng)用領(lǐng)域的增長。 ? ? 鎧俠的BiCS FLASH是一種三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)。鎧俠的TLC 3位/單元1Tb （128GB） BiCS
2024-07-17 00:17:004491 
年，近一半的NAND需求將與人工智能相關(guān)。Kioxia旨在通過先進的SSD產(chǎn)品和技術(shù)，以支持人工智能系統(tǒng)不斷變化的需求。鎧俠正在開發(fā)鎧俠CM9系列、鎧俠LC9系列和其他系列，作為其使用第8代BiCS FLASH的最新SSD產(chǎn)品線。KIOXIA CM9系列是用于AI系統(tǒng)的高性能SSD，
2025-06-12 09:14:222729 
KIOXIA LC9系列成為容量最大的PCIe 5.0企業(yè)級固態(tài)硬盤；采用32 Die堆疊的 BiCS FLASH QLC 3D閃存 ? 全球存儲解決方案領(lǐng)導者鎧俠株式會社宣布，推出業(yè)界首款 （1
2025-07-28 16:24:5613573 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，Kioxia鎧俠公司宣布開發(fā)出高性能晶體管技術(shù)，該技術(shù)將使得高密度、低功耗 3D DRAM 的實現(xiàn)成為可能。這項技術(shù)在 12月 10 日于美國舊金山舉行的電子器件會議
2025-12-19 09:36:061906 
PCIe? 64 GT/s接口（第四代x 4通道），并通過鎧俠第五代BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)實現(xiàn)加速，旨在為普通游戲玩家和PC用戶帶來性能、成本和功耗的適當平衡。作為支持虛擬
2021-11-18 10:08:03
的半圓形的區(qū)域.3.創(chuàng)建一個PCB的庫，將剛剛的半圓區(qū)域復制到Pcb庫里面的Top Layer層。然后放貼片 Pad，將pad放在半圓的區(qū)域， 同時在Top paster 和Top Solder 里面
2015-01-27 09:57:56
TC58BVG2S0HBAI6閃存芯片TC58BVG2S0HTA00鎧俠推出 BG5系列 M.2 2230 SSD，采用PCIe 4.0以及鎧俠最新的 BiCS5 NAND，整體性能較前代產(chǎn)品更加
2022-01-25 08:48:08
SK海力士雖然并未有擴產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主，NAND閃存顆粒根據(jù)存儲原理分為SLC、MLC、TLC和QLC，從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06
、512GB和1TB，主控和閃存都按照規(guī)范要求封裝在11.5 x 13mm的尺寸之內(nèi)。去年12月，鎧俠還宣布，其已開發(fā)出一種名叫“Twin BiCS FLASH”的新式半圓形 3D 存儲單元結(jié)構(gòu)。據(jù)悉，與傳統(tǒng)
2020-03-19 14:04:57
元器件的實體。不需要匹配。但是有個問題就是，元器件的定位信息沒有了，比如固定孔沒有圓形。沒法捕捉了。也不方便裝配。請問大家關(guān)于AD格式導出3D文件給結(jié)構(gòu)工程師有什么好的方法？
2019-03-26 07:36:21
Delphi教程如何生成半圓形窗口，很好的Delphi資料，快來下載學習吧。
2016-03-16 14:49:09
5 東芝近日公布聚焦能源、社會基礎(chǔ)設(shè)施、半導體存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴大在存儲業(yè)務(wù)上的投資。為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠（三重縣四日市市）的區(qū)域建造新廠房以及引進生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會批準。
2016-04-06 13:42:22563 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 東芝日前發(fā)布世界首個基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對于閃存技術(shù)的未來發(fā)展而言，這可謂是相當重大的消息。
2017-07-04 16:30:52997 
）BiCS FLASH?存儲器，為電腦游戲玩家和DIY愛好者提供公司首款采用64層3D閃存的升級版SSD。
2018-07-25 17:11:251201 NAND Flash控制IC大廠群聯(lián)日前宣布，PCI-e規(guī)格的固態(tài)硬碟（SSD）晶片已經(jīng)通過3D NAND Flash BiCS3測試，下半年將成為PC／NB OEM的SSD市場主流規(guī)格，將可望擴大SSD市占率。
2018-08-03 16:08:212411 簡單的平面內(nèi)存堆棧，這只是其中的一種，還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結(jié)構(gòu)。?3D NAND閃存有什么優(yōu)勢？?在回答3D NAND閃存有什么優(yōu)勢的時候，我們先要了解平面NAND遇到什么問題
2018-10-08 15:52:39780 作為NAND閃存技術(shù)發(fā)明人、全球第二大閃存供應(yīng)商，從東芝獨立出來之后的鎧俠（Kioxia）從2020年開始已經(jīng)不能再使用東芝品牌了。鎧俠的技術(shù)實力無可置疑，但打造全新品牌之路依然不容易，傳聞稱4月份鎧俠會推出全新的消費級SSD品牌，從閃存到主控再到固件都是自主研發(fā)的。
2020-01-14 20:45:001140 XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)，每單元1比特SLC，將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨，預(yù)計將于2020年開始量產(chǎn)。
2019-08-06 15:21:364416 作為NADN閃存技術(shù)的發(fā)明者，鎧俠（原來的東芝存儲）在新一代閃存研發(fā)上再次甩開對手，率先推出了Twin BiCS FLASH閃存技術(shù)，有望成為PLC閃存的最佳搭檔。
2019-12-18 14:54:124128 近日，鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實現(xiàn)高集成化。
2019-12-24 16:35:303913 鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實現(xiàn)高集成化。
2019-12-24 17:01:223790 NAND閃存無疑是當下乃至未來最主流的存儲技術(shù)，但也有不少新的存儲技術(shù)在探索和推進，Intel 3D XPoint（傲騰）就是典型代表（曾與美光合作研發(fā)如今已分手），產(chǎn)品也是多點開花，Intel對它頗為倚重。
2020-01-02 09:17:173281 未來十年，存儲市場仍將繼續(xù)追求存儲的密度、速度和需求的平衡點。盡管各個廠家的技術(shù)側(cè)重點不盡相同，但鎧俠（原東芝存儲器）對 3D XPoint 之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。
2020-01-02 16:02:115268 
2020年閃存市場有可能從前兩年的降價轉(zhuǎn)向漲價，漲幅甚至高達40%，六大閃存廠商好日子來了。鎧俠（原來的東芝存儲）2018年投資建設(shè)的K1工廠即將在2020年上半年量產(chǎn)，由于投資帶動了當?shù)氐木蜆I(yè)，當?shù)卣o予鎧俠50億日元的補貼。
2020-01-03 17:42:353639 1月7日上午，全球第2大NAND Flash廠商鎧俠(Kioxia，舊稱東芝存儲器)位于日本四日市的第6廠房(Fab 6)的內(nèi)部設(shè)備發(fā)生火警。據(jù)日經(jīng)新聞8日報道，針對火災(zāi)一事，鎧俠預(yù)計不會對生產(chǎn)造成影響。
2020-01-09 11:49:093422 作為NAND閃存技術(shù)發(fā)明人、全球第二大閃存供應(yīng)商，從東芝獨立出來之后的鎧俠（Kioxia）從2020年開始已經(jīng)不能再使用東芝品牌了。鎧俠的技術(shù)實力無可置疑，但打造全新品牌之路依然不容易，傳聞稱4月份鎧俠會推出全新的消費級SSD品牌，從閃存到主控再到固件都是自主研發(fā)的。
2020-01-13 17:43:4015743 作為NAND閃存技術(shù)發(fā)明人、全球第二大閃存供應(yīng)商，從東芝獨立出來之后的鎧俠（Kioxia）從2020年開始已經(jīng)不能再使用東芝品牌了。
2020-01-14 14:08:051346 存儲公司 Kioxia(原東芝存儲)近日宣布，將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片，這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲芯片。
2020-02-03 15:44:222735 前幾天西數(shù)、鎧俠(原東芝存儲)各自宣布了新一代BiCS5技術(shù)的3D閃存，堆棧層數(shù)也從目前的96層提升到了112層，IO接口速度提升40%，同時QLC型閃存核心容量可達1.33Tb，目前是世界最高水平的。
2020-02-04 15:23:071081 
根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠（原來的東芝存儲）聯(lián)合開發(fā)的，在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧。
2020-02-06 15:13:363554 憑借領(lǐng)先一代的PCM相變存儲技術(shù)3D XPoint，Intel的傲騰系列內(nèi)存/SSD在企業(yè)級市場上占了上風，延遲超低，壽命也遠超閃存。
2020-03-05 11:28:453656 前幾天，原來的東芝存儲更名后的鎧俠存儲發(fā)布了13款新品，借著這次機會，鎧俠也在不經(jīng)意間徹底淘汰了OCZ品牌。
2020-04-20 09:21:285068 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 西部數(shù)據(jù)公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有
2020-07-24 15:09:132151 全球第二大NAND型閃存廠商鎧俠（Kioxia）于官網(wǎng)宣布，其已于27日獲得上市許可，將在10月6日首次掛牌上市。這將是日本今年最大的IPO案，在鎧俠宣布得到上市許可后，其股東同天宣布擬出售部分
2020-09-09 17:04:462541 日刊工業(yè)新聞報道，全球第二大NAND Flash廠鎧俠（Kioxia，原東芝存儲器）近期將重新申請上市，預(yù)計最早將于今年12月在東京證券交易所掛牌上市。此外，生產(chǎn)主力的日本四日市工廠擴建計劃也將提前
2020-10-13 11:39:412620 在Intel將閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士之后，全球六大原廠就剩下五家了，韓國三星及SK海力士位列第一、第二?，F(xiàn)在日本鎧俠、美國西數(shù)也要加碼了，雙方宣布投資1萬億日元新建一座閃存工廠。
2020-10-29 17:17:282017 高要求的 PC 環(huán)境建造，相較于上代 XG6 系列 SSD 提供了兩倍的順序讀取速度和大約 1.6 倍的順序?qū)懭胨俣取４送?，該系?SSD 配置了全新的控制器，搭載了 BiCS FLASH 3D 閃存
2020-11-11 16:28:565795 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-19 18:03:412917 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:582714 株式會社 (Toshiba Memory) 從東芝公司剝離。鎧俠致力于以存儲器來提升世界，提供的產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng)可為用戶創(chuàng)造選擇，同時為社會創(chuàng)造基于存儲器的價值。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技術(shù)BiCS FLASH
2021-02-22 18:28:362974 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 將成為全球一流的制造運營工廠之一，專門生產(chǎn)其專有的BiCS FLASHTM?3D閃存。新廠一期施工計劃于2022年春季完工。施工將分為兩個階段，旨在確保尖端閃存產(chǎn)品的持續(xù)生產(chǎn)和出貨，以滿足持續(xù)的市場需求。 Fab7工廠將采用吸震結(jié)構(gòu)和環(huán)保設(shè)計，并使用最新的節(jié)能生產(chǎn)設(shè)備。Fab7工廠位于
2021-10-20 16:18:241519 “Best in Show”大獎的鎧俠E3.S開發(fā)樣品為構(gòu)建基礎(chǔ)，增加了每塊硬盤的閃存密度，并優(yōu)化了電源效率和機架空間占用[2]。? EDSFF E3系列擺脫了2.5英
2021-11-11 09:16:22888 
（128吉字節(jié)）BiCS FLASH? 3D閃存，目前正向OEM客戶提供樣品。受更高的分辨率圖像、5G網(wǎng)絡(luò)、4
2022-01-20 12:26:52510 )專為現(xiàn)代IT基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計，有效帶寬比12Gb/s SAS (SAS-3)增加了一倍。PM7系列采用了鎧俠第五代BiCS FLASH? 3D閃存，可提供每
2022-03-09 16:06:512258 從1月份開始，鎧俠因調(diào)查原材料污染及設(shè)計問題關(guān)閉3D NAND閃存生產(chǎn)線。
2022-04-01 15:27:312904 鎧俠（Kioxia）動工興建新廠房、增產(chǎn)3D NAND Flash產(chǎn)品，而鎧俠預(yù)估今后NAND Flash需求將以每年30%左右的速度呈現(xiàn)增長，今后必須擴產(chǎn)、以應(yīng)對需求。
2022-04-08 09:32:437277 用于選擇從0到180的角度的半圓形搜索欄視圖。 Gradle 依賴 添加依賴： 添加依賴： 方式一： 添加har包到lib文件夾內(nèi) 在entry的gradle內(nèi)添加如下
2022-04-11 10:13:521 垂直堆疊、XY方向縮放、CMOS電路每比特減少這三種方法對于未來3D NAND的高密度化具有重要意義。
2022-06-22 11:32:404750 
存儲器解決方案的全球領(lǐng)導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布推出第二代XL-FLASH?。這是一種基于其BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)的存儲級存儲器(SCM)解決方案
2022-08-03 09:11:51851 這個問題應(yīng)該從cpu、寄存器和內(nèi)存單元的物理結(jié)構(gòu)來看。
2022-09-05 11:17:195613 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用DLP 3D結(jié)構(gòu)光軟件開發(fā)套件的3D打印機.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:24:185 全球領(lǐng)先的內(nèi)存解決方案供應(yīng)商鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天發(fā)布了業(yè)界首個[1]?2TB microSDXC內(nèi)存卡工作原型。憑借其創(chuàng)新的BiCS FLASHTM 3D閃存
2022-09-29 09:11:371143 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 2022年9月30日，鎧俠發(fā)布通知表示將對閃存生產(chǎn)進行調(diào)整。公司從10月起將其兩家日本工廠（Yokkaichi與Kitakami）用于生產(chǎn)閃存芯片的晶圓投入量削減約 30％。不過，鎧俠也表示將繼續(xù)引領(lǐng)新產(chǎn)品開發(fā)，對閃存市場的中長期增長前景充滿信心。
2022-10-08 15:32:223379 
KIOXIA鎧俠中國近日宣布，今年其最新發(fā)布的業(yè)界首款支持MIPI M-PHY v5.0的通用閃存Universal Flash Storage (以下簡稱：UFS) 嵌入式閃存器件，目前已率先批量
2022-12-09 18:21:493464 
3D Flash 激光雷達測繪和手勢識別
2023-01-05 09:43:442223 2023年3月23日，中國閃存市場峰會（CFMS）在深圳寶安前?！W萬豪酒店隆重召開，本次峰會以“探討未知·探索未來”為主題，匯聚全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè)，共同探討存儲行業(yè)的發(fā)展和未來。鎧俠
2023-03-24 16:55:481232 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)和西部數(shù)據(jù)公司(Western Digital Corp., NASDAQ: WDC)今天公布了雙方合作開發(fā)的新3D閃存技術(shù)的細節(jié)，展示了兩家
2023-04-03 09:52:371028 的3D閃存技術(shù)，展示了雙方持續(xù)攜手創(chuàng)新的成果。該技術(shù)采用先進的縮放和晶圓鍵合技術(shù)，能夠以更低的成本提供具備卓越容量、性能和可靠性的解決方案，以滿足各行業(yè)呈指數(shù)級增長的數(shù)據(jù)存儲需求。 西部數(shù)據(jù)公司技術(shù)與戰(zhàn)略高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“全新的3D閃存
2023-04-03 17:56:411143 來源：KIOXIA鎧俠中國 為展示先進閃存技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，鎧俠株式會社與西部數(shù)據(jù)公司今日（3月31日）發(fā)布了他們最新的3D閃存技術(shù)的細節(jié)，該技術(shù)目前正在備產(chǎn)中。該3D閃存采用先進的微縮和晶圓鍵合技術(shù)
2023-04-04 16:39:431318 眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設(shè)想并準備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:031930 。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲卡提供更強大的性能和更大的容量，讓用戶能夠記錄和存儲更多內(nèi)容?！?】。 ? 借助專利制造技術(shù)，包括創(chuàng)新的BiCS FLASH? 3D閃存和自研
2023-12-22 16:23:451447 去年，鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠，提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980 存儲器解決方案的全球領(lǐng)導者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:511586 據(jù)最新報道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:351207 目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù)，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項產(chǎn)品能達到的傳輸速度高達3200MT/s。
2024-04-07 15:21:571351 近日，據(jù)日本媒體報道，知名半導體企業(yè)鎧俠（Kioxia）已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產(chǎn)線開工率提升至100%。這一舉措標志著鎧俠在經(jīng)歷了長達20個月的減產(chǎn)周期后，其NAND閃存生產(chǎn)已正式恢復正?；?。
2024-06-18 16:48:511208 隨著存儲器市場的逐步復蘇，日本半導體巨頭鎧俠（Kioxia）已正式結(jié)束其NAND閃存減產(chǎn)策略。這一戰(zhàn)略調(diào)整基于市場需求增長和公司財務(wù)狀況的改善。
2024-06-20 11:29:091449 在全球半導體行業(yè)的激烈競爭中，日本知名存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅定決心。在結(jié)束了長達20個月的NAND閃存減產(chǎn)計劃后，鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開工率已提升至100%，同時上周還公布了其令人矚目的3D NAND閃存技術(shù)路線圖計劃。
2024-06-29 09:29:371369 在存儲技術(shù)日新月異的今天，鎧俠株式會社再次以卓越的創(chuàng)新實力震撼業(yè)界，正式宣布其采用第八代BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)的2Tb四級單元（QLC）存儲器開始送樣。這一里程碑式的成就不僅標志著存儲器容量的飛躍性提升，更預(yù)示著人工智能、大數(shù)據(jù)處理等多個前沿應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒂瓉砬八从械陌l(fā)展機遇。
2024-07-08 12:53:141325 存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布了一項重要進展：其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠（Fab 2，簡稱K2）已圓滿竣工。此次竣工標志著鎧俠在擴大產(chǎn)能、滿足市場日益增長需求方面邁出了堅實的一步。
2024-08-06 09:27:311333 日本NAND Flash巨頭鎧俠近日發(fā)布了其2024財年第一財季（對應(yīng)2024年第二季度）的財務(wù)報告，展現(xiàn)出了強勁的增長勢頭。該季度內(nèi)，鎧俠的合并營收同比激增71%，環(huán)比更是暴漲106.4%，達到4,285億日元，不僅連續(xù)兩個季度保持增長態(tài)勢，還一舉創(chuàng)下了季度營收的歷史新高。
2024-08-10 16:49:141858 近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn)，并預(yù)計根據(jù)市場狀況分階段實施。
2024-10-30 16:18:46970 近日，鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元（4LC）技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS，擁有更高的位密度，使其在存儲需求日益增長的移動應(yīng)用程序領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用前景。
2024-10-31 18:22:003418 近日，鎧俠公司宣布其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已被日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）的“加強后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目/先進半導體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。這一消息標志著鎧俠在新型存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得了重要進展。
2024-11-11 15:54:30941 存儲芯片大廠鎧俠近日發(fā)表了一項令人矚目的預(yù)測，稱在人工智能需求的強勁推動下，到2028年，全球?qū)AND Flash的需求將增加2.7倍。這一預(yù)測不僅展示了存儲市場的巨大潛力，也預(yù)示著鎧俠將在未來幾年迎來前所未有的發(fā)展機遇。
2024-11-12 14:40:461037 存儲大廠鎧俠近日宣布，計劃在2024年12月實施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對當前NAND Flash市場的嚴峻挑戰(zhàn)，并有望促使價格止跌回升。
2024-12-03 17:36:041224 兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù)，為性能、能效和位密度設(shè)立新標準舊金山,國際固態(tài)電路會議（ISSCC）——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技術(shù)，憑借4.8Gb/sNAND接口速度、卓越
2025-02-25 11:31:38862 
融合現(xiàn)有存儲單元與先進的 CMOS 技術(shù)，實現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領(lǐng)導者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲器已開始送樣 （1
2025-07-28 15:30:20574 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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