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手機(jī)快充實(shí)地降壓芯片方案H6501 60V轉(zhuǎn)5V2A 動(dòng)態(tài)負(fù)載良好

H6501手機(jī)快充實(shí)地降壓芯片,采用開關(guān)電源技術(shù)實(shí)現(xiàn)降壓。其內(nèi)部開關(guān)管周期性導(dǎo)通、截止,導(dǎo)通時(shí)輸入電壓為電感充電儲(chǔ)能,截止時(shí)電感經(jīng)二極管給負(fù)載供電,電容濾波平滑輸出電壓。芯片通過反饋引腳監(jiān)測輸出電壓
2025-06-04 15:58:36

RZC 瑞之辰科技 MPNYDA650KP-3522-01 壓力傳感器

MPNYDA650KP-3522-01型壓力傳感器是是一款I(lǐng)2C數(shù)字輸出的壓力敏感元件,采用LGA封裝形式,內(nèi)部集成了高精度24位ADC調(diào)理芯片,對傳感器偏移、溫漂、非線性等參數(shù)進(jìn)行數(shù)字補(bǔ)償,輸出標(biāo)準(zhǔn)I2C數(shù)字信號。
2025-05-28 14:57:190

650-950 MHz 寬帶、應(yīng)用可配置高增益和線性度分集下變頻混頻器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()650-950 MHz 寬帶、應(yīng)用可配置高增益和線性度分集下變頻混頻器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有650-950 MHz 寬帶、應(yīng)用可配置高增益和線性度分集下變頻混頻器的引腳
2025-05-22 18:32:17

650 – 900 MHz 高增益和線性度分集下變頻混頻器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()650 – 900 MHz 高增益和線性度分集下變頻混頻器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有650 – 900 MHz 高增益和線性度分集下變頻混頻器的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-05-22 18:29:33

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901

新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 系列

新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比,提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-05-21 17:07:11601

面向多電機(jī)系統(tǒng)的磁編解決方案:MT6501的12bit分辨率同步采樣

MT6501磁編碼芯片以12bit分辨率、三路同步采樣架構(gòu)突破多電機(jī)協(xié)同控制瓶頸,將時(shí)序誤差壓縮至50ns,全溫區(qū)精度達(dá)±0.5°,在強(qiáng)干擾環(huán)境中實(shí)現(xiàn)零故障運(yùn)行,重新定義工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制的精度邊界。
2025-05-19 16:50:59788

60G呼吸心跳檢測雷達(dá)模塊 最大探測距離 1.5m

HLK-LD6002,實(shí)現(xiàn)對人體呼吸、心率的無接觸感知,最大探測距離1.5m。產(chǎn)品介紹/HLK-LD6002HLK-LD6002是基于ADT6101P芯片開發(fā)的雷達(dá)感應(yīng)模組
2025-05-19 12:07:071017

芯伯樂XBL6501/02/03在POE設(shè)備上的應(yīng)用方案

文章前言:在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代,POE(PoweroverEthernet)設(shè)備因其能夠通過以太網(wǎng)線同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)和電力而被廣泛應(yīng)用。為了滿足這些設(shè)備日益增長的電源需求,芯伯樂推出了XBL6501/02
2025-05-09 19:05:14744

中遠(yuǎn)海運(yùn)港口阿布扎比碼頭新增西井科技Q-Truck車輛

近期,阿聯(lián)酋阿布扎比旗艦港口哈利法港在智能化升級與可持續(xù)發(fā)展轉(zhuǎn)型進(jìn)程中,實(shí)現(xiàn)又一里程碑式突破。早在 2021 年,中遠(yuǎn)海運(yùn)港口阿布扎比碼頭(CSP ADT)引入西井科技新能源無人駕駛集卡
2025-05-09 14:46:24771

艾畢勝電子MT6501磁性編碼芯片為汽車行業(yè)發(fā)展提供助力

MT6501磁性編碼芯片的成功印證了中國半導(dǎo)體企業(yè)在汽車電子賽道的突圍能力。其價(jià)值不僅體現(xiàn)在單個(gè)產(chǎn)品性能的提升,更在于推動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)對核心零部件自主可控的認(rèn)知升級。隨著智能網(wǎng)聯(lián)汽車向縱深發(fā)展,這類具備"硬科技"屬性的基礎(chǔ)元件,將持續(xù)釋放更大的產(chǎn)業(yè)賦能效應(yīng)。
2025-04-30 17:13:15711

國產(chǎn)磁編碼器逆襲:MT6501在智能家居電機(jī)中的本土化替代實(shí)踐

AS5048、TI DRV5053),但近年來,以麥歌恩MT6501為代表的國產(chǎn)磁編碼器芯片,憑借高性價(jià)比、定制化服務(wù)與快速響應(yīng)能力,正逐步實(shí)現(xiàn)本土化替代。本文通過技術(shù)解析與案例實(shí)證,探討MT6501如何突破外資壟斷,賦能智能家居電機(jī)升級。 艾畢勝
2025-04-29 17:00:171188

Microchip ATA650X微型CAN FD系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片概述

ATA650X 是一款CAN FD系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片(SBC),具有完全集成的高速CAN FD收發(fā)器,可連接控制器局域網(wǎng)(CAN)協(xié)議控制器與物理雙線CAN總線和低壓差穩(wěn)壓器(5V/150 mA)。
2025-04-23 16:13:09968

MAX2031高線性度、650MHz至1000MHz上變頻/下變頻混頻器技術(shù)手冊

MAX2031高線性度、無源上變頻或下變頻混頻器在650MHz至1000MHz的RF頻段具有+36dBm IIP3, 7dB NF和7dB變頻損耗,支持GSM/蜂窩基站發(fā)射器或接收器應(yīng)用。該混頻器LO頻率范圍為650MHz至1250MHz,適用于高端LO注入結(jié)構(gòu)。
2025-03-31 13:49:15735

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945

新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列

新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比,提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-03-18 17:04:16877

內(nèi)置650V小功率非隔離電源管理芯片-PN8008

內(nèi)置650V小功率非隔離電源管理芯片-PN8008  一 概述PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET,用于外圍元器件精簡的小功率非隔離開關(guān)電源.PN8008
2025-03-10 10:59:05

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 16:45:55748

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812

內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890

超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053

無法在DLP650NIR上面顯示8位灰度圖嗎?

購買了一個(gè)DLP Discovery 4100套件,該套件支持DLP7000、DLP9500、以及DLP650NIR型號的DMD,我們購買了DLP650NIR,我在官網(wǎng)查閱數(shù)據(jù)的時(shí)候發(fā)現(xiàn)
2025-02-28 06:12:37

ADT1-1WT 貼片SMD-6 400kHz~800MHz RF射頻信號變壓器

特性出色的幅度不平衡度,典型值 0.1 分貝;在 1 分貝帶寬內(nèi),相位不平衡度典型值為 1 度。具備水可洗特性,美國專利號 6,133,525。受美國專利 6,133,525 保護(hù)。應(yīng)用阻抗匹配平衡放大器 最大額定值工作溫度:-20℃至 85℃存儲(chǔ)溫度:-55℃至 100℃射頻功率:0.5W直流電流:30mA若超出上述任何限制,可能會(huì)造成永久性損壞
2025-02-27 14:54:21

使用DLPC4422+DLP650NE+三色LED,原理設(shè)計(jì)DLPC4422的LMPSTAT這個(gè)管腳懸空未接,會(huì)不會(huì)有什么影響?

設(shè)計(jì)投影儀,使用DLPC4422+DLP650NE+三色LED,原理設(shè)計(jì)DLPC4422的LMPSTAT這個(gè)管腳懸空未接,會(huì)不會(huì)有什么影響
2025-02-26 06:57:24

請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少?

您好!請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量級的功率密度?
2025-02-26 06:16:47

DLP650NE手冊上支持顯示1080P分辨率,可以向下兼容更小的分辨率嗎?

如題,DLP650NE使用1080P輸入的圖像可以顯示,1024*768,800*600可以顯示嗎
2025-02-26 06:09:44

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844

技術(shù)文檔:LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987

DLP650LNIR芯片安裝部分的三維機(jī)械模型在哪兒下載?

請問,想設(shè)計(jì)DLP650LNIR部分的板卡,DLP650LNIR芯片安裝部分有一些結(jié)構(gòu)件,在哪能下載到這些三維機(jī)械模型?
2025-02-24 07:25:56

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758

LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23727

萬力達(dá)MGPR-650Hb發(fā)電機(jī)接地保護(hù)裝置可替換更換

珠海萬力達(dá)電氣MGPR-650Hb微機(jī)發(fā)電機(jī)接地保護(hù)裝置適用于中小容量發(fā)電機(jī),具備多種保護(hù)功能及通訊能力,采用32位DSP技術(shù),支持GPS對時(shí),可替換,方便維護(hù)及使用。
2025-02-20 14:22:32702

NXF6501-Q100用于隔離電源的低噪聲、1.2A變壓器驅(qū)動(dòng)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NXF6501-Q100用于隔離電源的低噪聲、1.2A變壓器驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-18 17:22:390

NXF6501-Q100用于隔離電源評估板的低噪聲、1.2A變壓器驅(qū)動(dòng)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NXF6501-Q100用于隔離電源評估板的低噪聲、1.2A變壓器驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-18 16:23:340

珠海萬力達(dá)電氣MTPR-650Hb微機(jī)主變后備保護(hù)裝置可替換

珠海萬力達(dá)電氣MTPR-650Hb微機(jī)主變后備保護(hù)裝置,適用于110KV及以下電壓等級變壓器中性點(diǎn)不接地側(cè)的后備保護(hù)、測量和控制。MTPR-650Hb主要功能:三段式復(fù)合電壓閉鎖方向過流保護(hù)、零序
2025-02-18 11:37:42711

ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191

DLP650LNIR可以實(shí)現(xiàn)120度以上的廣角投影嗎?

如果我需要做一個(gè)小型的紅外的結(jié)構(gòu)光設(shè)備,我需要的設(shè)備是DLP650LNIR嗎,它可以實(shí)現(xiàn)120度以上的廣角投影嗎?如果可以,要實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)光設(shè)備,我還需要哪些設(shè)備,這都可以在Ti買到嗎,可以推薦一下相關(guān)型號嗎
2025-02-18 08:36:35

DLP650LNIR可否用于FOV為120度以上的廣角結(jié)構(gòu)光設(shè)計(jì)?

DLP650LNIR可否用于FOV為120度以上的廣角結(jié)構(gòu)光設(shè)計(jì)?如果可以,還需要哪些設(shè)備,可否在Ti買到?
2025-02-18 07:04:36

啟源芯動(dòng)力打造晉冀綠色動(dòng)脈:650公里長黃干線賦能新能源電動(dòng)重卡的清潔運(yùn)力

穿越晉冀大地,又一條縱貫650公里的跨省充換電干線——由滄州黃驊港礦石港務(wù)有限公司、滄州中鐵裝備制造材料有限公司聯(lián)合啟源芯動(dòng)力打造的長治-武安-黃驊干線正式貫通!這條連接中國最大噴吹煤產(chǎn)區(qū)與渤海灣
2025-02-17 15:27:58851

請問DLP650NE系列1910-623AE和1910-6237E型號之間是否有差異?

我們在使用DLP650NE系列1910-623AE使用過程中出現(xiàn)過:亮點(diǎn)、紅邊、臟污,燒壞等不良現(xiàn)象,實(shí)際使用不良率高達(dá)30%以上; 而DLP650NE系列1910-6237E極少出現(xiàn),正常使用,請問1910-623AE和1910-6237E型號之間是否有差異?出現(xiàn)紅邊,亮點(diǎn)可能原因?
2025-02-17 07:35:19

ADS4149采集后的量化數(shù)字幅度結(jié)果不正常是哪里出了問題?

1.選用14bit-ADS4149芯片。 2.使用ADS4149數(shù)據(jù)手冊中推薦的2級變壓器(選用ADT1-1WT)及推薦的外圍阻容網(wǎng)絡(luò)的輸入結(jié)構(gòu),ADS4149的數(shù)字輸出端采用LVDS輸出接口直接
2025-02-14 07:26:03

GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 16:10:220

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:192

部署DeepSeek R1于AX650N與AX630C平臺(tái)

背景 春節(jié)前,國產(chǎn)大模型 DeepSeek 橫空出世,迅速成為AI領(lǐng)域的焦點(diǎn)。作為端側(cè)AI能效比優(yōu)異的 AX650N、AX630C 芯片平臺(tái)早已在節(jié)前完成 DeepSeek R1 蒸餾版本 1.5B
2025-02-09 09:32:142013

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

解碼TW6501:4K LDPC技術(shù)如何讓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)更可靠?

解碼TW6501:4K LDPC技術(shù)如何讓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)更可靠?
2025-01-21 16:33:32829

國內(nèi)首顆!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片

國內(nèi)首顆!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片
2025-01-21 16:33:05914

解碼TW6501:ONFI 5.0協(xié)議如何令存儲(chǔ)通訊更高效

解碼TW6501:ONFI 5.0協(xié)議如何令存儲(chǔ)通訊更高效
2025-01-21 14:51:33823

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081124

ADT2-1T+ 貼片SMD-6 通道射頻信號變壓器

特點(diǎn)應(yīng)用范圍工作溫度 -20°C 至 85°C存儲(chǔ)溫度 -55°C 至 100°C射頻功率 0.25W直流電流 30mA  工作溫度 -20°C 至 85°C存儲(chǔ)溫度 -55°C 至 100°C射頻功率 0.25W直流電流 30mA
2025-01-11 15:44:02

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能,防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261543

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