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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>安捷倫推出12 GHz 差分晶圓探測(cè)解決方案

      安捷倫推出12 GHz 差分晶圓探測(cè)解決方案

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      華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造發(fā)布于 2025-09-18 14:29:56

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      2025-06-17 16:00:15498

      從SFP到OSFP：FCom差分晶振覆蓋全類(lèi)型光模塊的時(shí)鐘設(shè)計(jì)方案

      FCom富士晶振針對(duì)SFP、QSFP、OSFP等高速光模塊推出一系列穩(wěn)定可靠的差分晶體振蕩器，具備低抖動(dòng)、寬溫高精度等特性，滿(mǎn)足現(xiàn)代高速通信設(shè)備的時(shí)鐘需求。 應(yīng)用平臺(tái)與參數(shù)對(duì)照表 模塊類(lèi)型 平臺(tái)
      2025-06-16 15:03:42

      晶圓邊緣 TTV 測(cè)量的意義和影響

      摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義，分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的作用，為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
      2025-06-14 09:42:58551

      小型數(shù)據(jù)中心中的差分晶體振蕩器應(yīng)用與匹配方案

      FCom富士晶振在小型數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用方案，涵蓋差分晶體振蕩器在交換機(jī)、路由器、NIC、NAS/SAN和光纖通信中的匹配建議。
      2025-06-11 15:02:001391

      什么是晶圓貼膜

      貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱(chēng)為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
      2025-06-03 18:20:591179

      MG7050EAN存儲(chǔ)器6G應(yīng)用晶振,X1M0004110020,EPSON差分晶振

      產(chǎn)品簡(jiǎn)介MG7050EAN存儲(chǔ)器6G應(yīng)用晶振,X1M0004110020,EPSON差分晶振，日本進(jìn)口晶振，EPSON愛(ài)普生晶振型號(hào)：MG7050EAN，編碼為：X1M0004110020，頻率
      2025-05-22 11:31:320

      優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控

      摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
      2025-05-22 10:05:57509

      降低晶圓 TTV 的磨片加工方法

      摘要：本文聚焦于降低晶圓 TTV（總厚度偏差）的磨片加工方法，通過(guò)對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn)，有效控制晶圓 TTV 值，提升晶圓質(zhì)量，為半導(dǎo)體制造提供實(shí)用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：晶
      2025-05-20 17:51:391022

      RFID技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓卡塞盒中的應(yīng)用方案

      RFID技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓卡塞盒中的應(yīng)用方案。 一、產(chǎn)生背景 行業(yè)痛點(diǎn) 晶圓卡塞盒是用于運(yùn)輸、存儲(chǔ)與保護(hù)晶圓，但其傳統(tǒng)的管理方式存在著以下痛點(diǎn)： 信息滯后： 無(wú)法同步晶圓的批次、工藝信息等信息，流轉(zhuǎn)路徑跟蹤滯后，影響生產(chǎn)節(jié)奏。
      2025-05-20 14:57:31625

      減薄對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響

      前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行，直至芯片前制程
      2025-05-16 16:58:441109

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)晶圓減薄技術(shù)

      英寸晶圓厚度約為670微米，8英寸晶圓厚度約為725微米，12英寸晶圓厚度約為775微米。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行。直至芯片前制程完成后，晶圓才會(huì)進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行減薄處理。
      2025-05-09 13:55:511975

      愛(ài)普生SG2520HGN差分晶振測(cè)試與測(cè)量設(shè)備的精準(zhǔn)時(shí)鐘解決方案

      分晶振以卓越的性能和可靠的品質(zhì)，成為測(cè)試與測(cè)量設(shè)備的理想時(shí)鐘解決方案，為精確測(cè)量和可靠數(shù)據(jù)采集奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。愛(ài)普生SG2520HGN差分晶振的產(chǎn)品特性:1.超低相
      2025-04-25 11:24:10612

      差分晶振的輸出方式有哪幾種呢

      差分晶振通過(guò)差分信號(hào)輸出，在抗干擾、信號(hào)完整性、EMI抑制等方面有顯著優(yōu)勢(shì)，能夠提供更穩(wěn)定、更高速性能的時(shí)鐘信號(hào)。 因此差分晶振通常用于高速通信系統(tǒng)、光模塊、高速串行接口（如PCIe、USB 3.x）等場(chǎng)景。
      2025-04-16 16:43:061017

      愛(ài)普生SG2520VGN差分晶振5G基站的時(shí)鐘解決方案

      精準(zhǔn)穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)，正是保障5G基站高效、可靠運(yùn)行的關(guān)鍵所在。愛(ài)普生SG2520VGN差分晶振，憑借其卓越的性能和獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，成為5G基站時(shí)鐘解決方案的不二之選，為
      2025-04-15 17:46:38693

      半導(dǎo)體晶圓制造流程介紹

      本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
      2025-04-15 17:14:372155

      27MHz HCSL 差分晶體振蕩器在數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的應(yīng)用方案

      中的關(guān)鍵參考頻率。FCom富士晶振的FCO5L02700033HDY00為這些應(yīng)用提供了理想的差分晶體振蕩器解決方案。 該產(chǎn)品采用HCSL差分輸出，輸出頻率為27MHz，頻率穩(wěn)定度達(dá)±25ppm，典型
      2025-04-14 21:19:16

      差分晶振SG2520VHN(X1G005941)：網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的高性能時(shí)鐘解決方案

      愛(ài)普生差分晶振SG2520VHN(X1G005941)是一款高性能的差分晶體振蕩器，外部尺寸2.5×2.0×0.74 mm，頻率范圍為25 MHz至500 MHz，能夠滿(mǎn)足多種高速通信和數(shù)據(jù)處理設(shè)備
      2025-04-01 11:45:49665

      FPGA是什么？應(yīng)用領(lǐng)域、差分晶振作用及常用頻率全面解析

      FPGA是什么？了解FPGA應(yīng)用領(lǐng)域、差分晶振在FPGA中的作用、常用頻率、典型案例及FCom差分振蕩器解決方案，為高速通信、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制提供高性能時(shí)鐘支持。
      2025-03-24 13:03:013036

      EV集團(tuán)推出面向300毫米晶圓的下一代GEMINI?全自動(dòng)生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)，推動(dòng)MEMS制造升級(jí)

      全新強(qiáng)力鍵合腔室設(shè)計(jì),賦能更大尺寸晶圓高均勻性鍵合與量產(chǎn)良率提升 2025年3月18日,奧地利圣弗洛里安 —全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體創(chuàng)新工藝解決方案和專(zhuān)業(yè)知識(shí)提供商,為前沿和未來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和芯片集成方案
      2025-03-20 09:07:58889

      高精度晶圓劃片機(jī)切割解決方案

      高精度晶圓劃片機(jī)切割解決方案為實(shí)現(xiàn)高精度晶圓切割，需從設(shè)備精度、工藝穩(wěn)定性、智能化控制等多維度優(yōu)化，以下為關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)路徑及技術(shù)支撐：一、核心精度控制技術(shù)?雙軸協(xié)同與高精度運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)?雙工位同步切割技術(shù)
      2025-03-11 17:27:52797

      芯片制造的畫(huà)布：晶圓的奧秘與使命

      芯片制造的畫(huà)布 芯片制造的畫(huà)布：晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺(tái)上，晶圓（Wafer）扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫(huà)布，承載著無(wú)數(shù)工程師的智慧與夢(mèng)想，見(jiàn)證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
      2025-03-10 17:04:251542

      紅外探測(cè)器晶圓級(jí)、陶瓷級(jí)和金屬級(jí)三種封裝形式有什么區(qū)別？

      紅外探測(cè)器作為紅外熱像儀的核心部件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、安防、醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，紅外探測(cè)器的封裝形式也在不斷發(fā)展和完善。其中，晶圓級(jí)、陶瓷級(jí)和金屬級(jí)封裝是三種最常見(jiàn)的封裝形式，它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，適用于不同的場(chǎng)景。
      2025-03-05 16:43:221115

      深入探索：晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)

      實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)，探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。
      2025-03-04 10:52:574978

      ADRF5062 100MHz至13GHz、差分SPDT開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè)

      ADRF5062 是一款硅、非反射、差分、SPDT 開(kāi)關(guān)。 該ADRF5062的工作頻率范圍為 100 MHz 至 13 GHz，帶插入 損耗低于 1.0 dB，隔離度高于 40 dB。這
      2025-03-04 09:20:57937

      晶圓測(cè)試的五大挑戰(zhàn)與解決方案

      隨著半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性不斷提高，對(duì)精確可靠的晶圓測(cè)試解決方案的需求也從未像現(xiàn)在這樣高。從5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用，到先進(jìn)封裝和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)，在晶圓級(jí)確保設(shè)備性能和產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟。
      2025-02-17 13:51:161331

      詳解晶圓的劃片工藝流程

      在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
      2025-02-07 09:41:003048

      特氟龍夾具的晶圓夾持方式，相比真空吸附方式，對(duì)測(cè)量晶圓 BOW 的影響

      在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW（彎曲度）的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響
      2025-01-21 09:36:24520

      不同的真空吸附方式，對(duì)測(cè)量晶圓 BOW 的影響

      不同的真空吸附方式，作為晶圓測(cè)量環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵支撐技術(shù)，對(duì) BOW 測(cè)量結(jié)果有著千差萬(wàn)別的影響。 一、全表面真空吸附方式 全表面真空吸附是最為傳統(tǒng)且應(yīng)用廣泛的一種方式。其原
      2025-01-10 10:30:46632

      晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量晶圓 BOW/WARP 的影響

      在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對(duì)晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測(cè)量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測(cè)量過(guò)程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
      2025-01-09 17:00:10639

      安捷倫AgilentE4991A 阻抗分析儀

      1GHz的范圍，能提供完整的介電/磁性材料測(cè) 量解決方案。 ·晶圓測(cè)量：借助E4991A-010 探針臺(tái)連接套件，客戶(hù)可輕松地地將 Agilent E4991A 連接到射頻探頭系統(tǒng)（由 Cascade
      2025-01-07 11:37:15791

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