市場調(diào)查公司Yole Developpement（以下簡稱Yole）認(rèn)為，市場規(guī)模方面，2020年GaN器件市場整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從（2020年將支配市場的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領(lǐng)域，到UPS（不間斷電源）和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:18
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全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長率將
2021-05-21 14:57:182771 近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異?；馃幔瑖鴥?nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計(jì)，2021全球GaN功率器件市場規(guī)模為1.26億美元，預(yù)計(jì)
2023-06-08 09:40:304315 
的增長速度調(diào)整，但仍然保持著相對快速的發(fā)展態(tài)勢，預(yù)計(jì)行業(yè)市場規(guī)模將在2015年達(dá)到373億元。關(guān)鍵詞：[url=http://news.rfidworld.com.cn/search.aspx?keyws
2014-04-16 09:27:36
仍在于Wafer Cost，根據(jù)yole development測算，單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測到2025年SiC功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模有望達(dá)到30億美元。在未來的10
2019-05-06 10:04:10
應(yīng)用的發(fā)展功不可沒?！ ≡诠馄骷a(chǎn)業(yè)鏈，根據(jù)研究中心數(shù)據(jù)，2018年全球光器件行業(yè)市場規(guī)模103億美元，同比微增0.98%，受益于數(shù)據(jù)中心資本開支的增加和5G大規(guī)模的資本開支增加，預(yù)計(jì)
2020-03-24 15:44:18
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
不同廠商有不同的應(yīng)用場景，而適合構(gòu)架和解決方案也各不相同，如云側(cè)和端側(cè)處理構(gòu)架的設(shè)計(jì)導(dǎo)向差別較大。對于半導(dǎo)體領(lǐng)域，只要市場規(guī)模足夠大，有足夠多的客戶買單，那么就有足夠的動(dòng)力去做相應(yīng)的硬件定制。下面對以Nvidia和Intel為代表的半導(dǎo)體廠商方案進(jìn)行論述。
2019-08-09 07:40:59
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的選擇?！ ∩罡h(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì)，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
DARPA提出WBST計(jì)劃以來，氮化鎵已經(jīng)走過了較長的發(fā)展歷程，現(xiàn)在已成為微波和射頻行業(yè)的前沿。它的成本結(jié)構(gòu)已經(jīng)與傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)持平，當(dāng)兩種競爭性技術(shù)成本相同的時(shí)候，性能高者將主宰市場。MACOM等企業(yè)
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率
2025-12-12 09:40:25
，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報(bào)告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會(huì)隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會(huì)取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
作為功率半導(dǎo)體廠商，為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說，作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計(jì)好芯片，還要親自設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很多應(yīng)用方案供下游客戶參考或者直接采用，以便讓自己的芯片能快速通過
2023-02-01 14:52:03
人士表示半導(dǎo)體市場的慘淡恰是整個(gè)IT市場由于全球經(jīng)濟(jì)低迷而遭受巨大沖擊的真實(shí)寫照，2012年內(nèi)包括個(gè)人電腦經(jīng)銷商和閃存供給商在內(nèi)的相關(guān)行業(yè)的表現(xiàn)都不盡如人意。 IHS預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增幅最高
2013-01-30 09:56:19
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
` 本帖最后由 boeone 于 2016-12-8 15:54 編輯
未來5年無線充電設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)135億，你看好嗎？ 無線充電是近幾年的熱點(diǎn)技術(shù)，但卻一直因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的“三足鼎立”而放緩
2016-12-08 15:42:33
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場
2015-09-15 17:11:46
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
的商機(jī)。另外，X-Fab、漢磊及環(huán)宇也提供SiC及GaN的代工業(yè)務(wù)。隨著代工業(yè)務(wù)的帶動(dòng)，第三代半導(dǎo)體材料的市場規(guī)模也將進(jìn)一步擴(kuò)大。
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
鎵基MIMO天線，盡管價(jià)格較高，但功耗降低了40%，裸片面積減少94%。資料來源：國金證券根據(jù)Yole預(yù)測，2018年GaN射頻器件市場規(guī)模達(dá)到4.57億美元，未來5年復(fù)合增長率超過23%。在整個(gè)射頻
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
2010年車用半導(dǎo)體市場規(guī)模將成長16%
據(jù)研究機(jī)構(gòu)Semicast的報(bào)告指出，在汽車制造量復(fù)蘇的推動(dòng)下，2010年全球車用半導(dǎo)體市場規(guī)模可望較2009年成長16%，金額達(dá)到 184億美元
2010-01-15 09:33:52754 隨著氮化鎵（GaN）技術(shù)在射頻（RF）中的應(yīng)用逐漸增多以及LTE基站在中國的廣泛部署，射頻氮化鎵的市場規(guī)模在2015年增長將近50%。
2018-04-23 11:53:001608 功率半導(dǎo)體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。
2018-05-23 15:00:0510612 功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，市場規(guī)模高達(dá)數(shù)百億美元。
2019-07-05 16:23:515056 
半導(dǎo)體檢測市場的發(fā)展隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展的繁榮。2018年，我國半導(dǎo)體檢測市場規(guī)模已達(dá)到262.33億元的規(guī)模，其中設(shè)計(jì)驗(yàn)證市場規(guī)模約為26億元，前道量測檢測規(guī)模約為119.46億元，后道測試規(guī)模約116.87億元。
2020-01-09 11:05:089268 器件市場規(guī)模有望達(dá)到7.45 億美元；GaN功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到4.50億美元。 基于此，新材料在線特推出【2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告】，供業(yè)內(nèi)人士參考： 原文標(biāo)題：【重磅報(bào)告】2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告 文章出處：【微信公眾號：新材料在線】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請
2020-10-09 10:16:034445 半導(dǎo)體設(shè)備是在芯片制造和封測流程中應(yīng)用到的設(shè)備，廣義上也包括生產(chǎn)半導(dǎo)體原材料所需的機(jī)器設(shè)備。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2013-2019年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模呈現(xiàn)逐年增長態(tài)勢，增速波動(dòng)變化。2019年行業(yè)實(shí)現(xiàn)市場規(guī)模134.5億美元，同比增長2.6%，增速較2018年有所回落。
2020-11-02 16:10:514322 
由于晶圓生產(chǎn)附加值極高，因此半導(dǎo)體檢測設(shè)備在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位日益凸顯。2020年，我國半導(dǎo)體檢測設(shè)備市場規(guī)模達(dá)到176億元。隨著我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，我國半導(dǎo)體檢測設(shè)備市場規(guī)模有望接近400億元。
2021-01-14 16:47:087429 
模擬芯片無處不在，幾乎所有常見的電子設(shè)備都需要使用模擬芯片。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)的整體規(guī)模為4331億美元，模擬芯片的市場規(guī)模則達(dá)到540億美元，占比約為13%，是半導(dǎo)體行業(yè)中的重要組成部分。
2021-02-18 14:15:448683 
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:082074 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562302 氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大和電能轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，市場規(guī)模大于150億美元。那么
2023-02-05 11:43:472725 中國氮化鎵芯片市場占據(jù)全球約 %的市場份額，為全球最主要的消費(fèi)市場之一，且增速高于全球。2021年市場規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長率約為 %。
2023-02-05 13:30:115291 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 17:41:29999 氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。 GaN，中文名:氮化鎵，常溫常壓下是纖鋅礦結(jié)構(gòu)。
2023-02-17 14:18:2412178 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204101 增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實(shí)時(shí)智能傳感和保護(hù)，為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場帶來最
高效率和可靠性
11月8日，北京–氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)
2023-02-22 13:48:053 氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 10:14:391395 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:241214 
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453097 不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442506 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:123281 
來源：半導(dǎo)體綜研，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)6240億美元，同比增長16.8%。 2023年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模約5340億美元，同比下降10.9%。 根據(jù)
2023-12-20 09:25:522555 
對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進(jìn)行比較分析，幫助讀者了解不同型號芯片的特點(diǎn)和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵（GaN）是一種硅基半導(dǎo)體材料，具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強(qiáng)度，使其具備優(yōu)秀的高
2024-01-10 09:25:573841 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 英飛凌科技在2023年持續(xù)擴(kuò)大其在汽車半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先優(yōu)勢。TechInsights的最新研究顯示，2023年全球汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模增長16.5%，創(chuàng)下692億美元的記錄。
2024-04-18 11:29:491598 %，市場規(guī)模將達(dá)到2813億日元。預(yù)計(jì)到2035年，這一市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體市場的增長主要得
2024-05-28 10:53:321297 
本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
近年來，氮化鎵(GaN)技術(shù)以其在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢，迅速成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能源等新興領(lǐng)域的推動(dòng)下，氮化鎵正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇
2024-07-24 10:55:201573 
的快速增長。根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的《2024全球GaNPowerDevice市場分析報(bào)告》，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約為2.71億美元，
2024-08-15 10:39:241372 
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告揭示了全球GaN（氮化鎵）功率元件市場的強(qiáng)勁增長潛力。據(jù)預(yù)測，到2030年，該市場規(guī)模將從2023年的約2.71億美元激增至43.76億美元，復(fù)合年增長率
2024-08-15 17:28:421900 自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場持續(xù)升溫，成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購GaN技術(shù)公司，加速在這一領(lǐng)域的布局，旨在強(qiáng)化技術(shù)儲(chǔ)備并搶占市場先機(jī)。隨著快充
2024-08-26 16:34:331687 日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件，旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競爭激烈，但氮化鎵因其極低的功率損耗而備受矚目。
2024-10-22 15:10:021758 氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
近日，德州儀器（TI）宣布了一個(gè)重要的產(chǎn)能提升計(jì)劃。公司在日本會(huì)津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體已經(jīng)正式投產(chǎn)。
2024-11-01 18:03:401499 作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場規(guī)模正
2024-12-06 01:02:431400 
近日，根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)最新發(fā)布的市場預(yù)測報(bào)告，全球半導(dǎo)體市場在未來幾年將保持穩(wěn)健增長態(tài)勢。 具體而言，預(yù)計(jì)2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到6269億美元，相比前一年度實(shí)現(xiàn)19
2024-12-19 11:48:441633 GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046990 
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