TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出完整、經(jīng)濟(jì)高效的 Ka 波段砷化鎵 (GaAs) 射頻芯片組
2012-10-17 15:10:46
2424 盡管存在硅的競爭，但無線通信的需求將繼續(xù)推動砷化鎵市場發(fā)展。
2016-01-07 08:19:552343 以莫倫科夫說法來看，代表高通旗下RF元件采用的PA制程，將由現(xiàn)行CMOS轉(zhuǎn)向砷化鎵，在這個架構(gòu)下，未來勢必還要調(diào)整代工廠，由目前的臺積電轉(zhuǎn)至穩(wěn)懋、宏捷科這類的砷化鎵代工廠。
2016-02-01 10:33:172061 全球無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體的市場預(yù)計將增長，從2011年的大約2.05億美元達(dá)到2015年約為3.2億美元。
2011-08-30 08:53:081270 微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術(shù)難點，本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術(shù)難點。
2019-06-26 08:09:02
多年來，微波器件公司一直為諸如核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)等醫(yī)療成像應(yīng)用提供器件。雖然成像應(yīng)用繼續(xù)提供了堅實的機(jī)會，但許多其它醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域也開始為無線微波和射頻技術(shù)敞開了大門。例如，遠(yuǎn)程監(jiān)控支持病人
2019-08-08 06:49:31
SiC器件的50%至70%?？捎眯?–砷化鎵作為一種材料已經(jīng)在射頻應(yīng)用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導(dǎo)體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術(shù)的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達(dá) 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率
2025-08-25 10:06:43
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產(chǎn)品介紹FHX45X詢價熱FHX45X現(xiàn)貨王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
特性 應(yīng)用領(lǐng)域 l 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)l 1000Ω-2000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動能力強(qiáng)l 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝l 器件盤裝
2013-11-13 10:56:14
和相位測量，低電平直流—交流轉(zhuǎn)換器，無觸點電位器等特性 應(yīng)用領(lǐng)域 l 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)l 650Ω-850Ω的極低的輸出阻抗，驅(qū)動能力強(qiáng)l 小型化
2013-11-13 10:54:57
轉(zhuǎn)換器，無觸點電位器等特性 應(yīng)用領(lǐng)域 l 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件l 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)l 1800Ω-3000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動能力強(qiáng)l 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝l 器件
2013-11-13 10:53:33
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
SGM6901VU砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGM6901VU報價SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級別。產(chǎn)品型號：TGF2040產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2160適合高效率的應(yīng)用。產(chǎn)品型號：TGF2160產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管TGF2160產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
讀者使用?！ 』?b class="flag-6" style="color: red">砷化鎵（GaAs）技術(shù)的微波單片集成電路（MMlC）具有體積小、性能優(yōu)越的主要特點，其應(yīng)用越來越廣泛。MMIC應(yīng)用的電子系統(tǒng)有：衛(wèi)星通信、相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)、電子戰(zhàn)、以及其他軍事系統(tǒng)，同時
2018-01-24 17:52:01
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
我的霍爾傳感器是砷化鎵，也是一種測量磁場的傳感器，兩個輸入端，兩個輸出端。我把十二個砷化鎵串聯(lián)使用，三個一組，輸入電流保持在1毫安。每一組測試的時候，所有的單個砷化鎵都對磁場有響應(yīng)，但是把四組串聯(lián)
2016-04-23 16:13:19
能水平非常接近SiC。重要的是，這些砷化鎵二極管的成本僅為同等SiC器件的70%左右，這為設(shè)計人員提供了一個理想的機(jī)會，可以在小幅性能降低和顯著成本節(jié)約之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-02-21 16:27:41
特性：1. 超高穩(wěn)定性砷化鎵霍爾器件2. 極佳的高頻性能，抗干擾能力強(qiáng)3. 1000Ω-2000Ω的較低的輸出阻抗，驅(qū)動能力強(qiáng)4. 小型化SOT-343封裝，四平腳伸展易安裝5. 器件盤裝
2013-05-20 11:41:47
的。除了高可靠性外，性能也必須具有最高水準(zhǔn)，在至少十年時間內(nèi)盡量減小性能的劣化(見圖)。在為太空應(yīng)用設(shè)計任何射頻/微波元件或子系統(tǒng)時確?？煽啃允呛苤匾囊徊剑@只是電子器件可以認(rèn)為是“合格太空”品之前
2019-06-21 07:36:54
。公司在0.25微米的pHEMT制程擁有領(lǐng)先技術(shù)，在制程縮微方面，也已經(jīng)切入0.1微米領(lǐng)域，高階制程持續(xù)領(lǐng)先同業(yè)。
穩(wěn)懋為全球第一大砷化鎵晶圓代工廠,制程與技術(shù)都自行開發(fā)而非客戶技轉(zhuǎn)( 宏捷科由
2019-05-27 09:17:13
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
了類似高電子遷移率晶體管（HEMT）的氧化鎵。這類器件通常由砷化鎵（GaAs）或氮化鎵制成，是手機(jī)和衛(wèi)星電視接收器的重要射頻支柱。這類器件不是通過體半導(dǎo)體的摻雜溝道導(dǎo)電，而是通過在兩個帶隙不同的半導(dǎo)體
2023-02-27 15:46:36
各位大神，目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
納秒級脈寬砷化鎵激光器陳列:報導(dǎo)砷化鎵激光器陣列的實驗結(jié)果。該陣列光束的脈寬約0.7~5ns，近場光斑面積約100mm×6mm;已被用于觸發(fā)高功率電磁脈沖發(fā)生器中的半導(dǎo)體
2009-10-27 10:05:34
11 XU1006-QB砷化鎵變送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 發(fā)射器在整個頻段具有 +17.0 dBm 輸出三階截距。該器件是一個平衡的電阻式 pHEMT 混頻器，后跟一個
2022-12-28 15:31:26
高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件-JM8630 替代HG-166A 產(chǎn)品描述：JM8630是一款高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件，可替代旭化成HG-166A。砷化鎵（GaAs
2023-03-09 17:42:14
本文在LabVIEW 8.2 開發(fā)環(huán)境下，通過對反射式高能電子衍射儀(RHEED)原理及樣品砷化鎵GaAs(001)_ａ(2×4)結(jié)構(gòu)模型的表面原子結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入探究，編程設(shè)計實現(xiàn)了理論情況下的GaAs(001)_
2009-12-14 15:48:5811 SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關(guān)
2023-04-18 15:19:22
ADL8106ACEZ：重塑微波領(lǐng)域的強(qiáng)大力量ADL8106ACEZ是一款突破性的砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)微波單片集成電路(MMIC)寬帶低噪聲放大器。其卓越的性能
2024-01-14 22:58:46
Strategy Analytics：砷化鎵和磷化銦支撐光纖網(wǎng)絡(luò)高增長，模擬芯片市場規(guī)模將增長至4.92億美元
Strategy Analytics 發(fā)布最新研究報告“光纖模擬芯片市場機(jī)會：2
2009-08-11 08:30:401063 模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十八節(jié):砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
4.2 砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
砷化鎵（G
2009-09-17 10:43:251376 
1、什么是砷化鎵三五族太陽能電池
太陽能電池(Solar Cell)可大致分為三代，第一代為硅晶電池，又可大致分為單晶硅與多晶硅兩種，商業(yè)應(yīng)用之歷史最悠久，已被廣泛應(yīng)用
2010-09-14 18:17:546080 全球最大的砷化鎵晶圓代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(3105)即將在12月13日上柜，由于主力客戶Avago是蘋果iPhone4S最大的贏家，法人預(yù)估穩(wěn)懋第四季EPS可望達(dá)到1元，訂單能見度到明年第一季，且明年營
2011-11-24 09:08:012130 美國伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實驗室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法
2012-01-07 11:47:281882 隨著微波半導(dǎo)體器件的成熟，工藝加工技術(shù)的改進(jìn)，以及砷化鎵材料設(shè)備的完善，器件成品率提高，使單片微波電路的研究已具備現(xiàn)實的條件。微波開關(guān)也被單片集成化。這使得微波開
2012-01-17 17:01:3760 敘述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的發(fā)展現(xiàn)狀。
2012-03-19 15:32:4343 （二）砷化鎵單晶制備方法及原理 從20世紀(jì)50年代開始，已經(jīng)開發(fā)出了多種砷化鎵單晶生長方法。目前主流的工業(yè)化生長工藝包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直
2017-09-27 10:30:4244 替代砷化鎵方案的新選擇。 近來矽基產(chǎn)品在技術(shù)上的突飛猛進(jìn)，再結(jié)合設(shè)計制程的改變，使其在高效能射頻（RF）及微波應(yīng)用中，已逐步展現(xiàn)做為砷化鎵替代方案的可行性。設(shè)備技術(shù)的快速進(jìn)展帶動的需求，通常可以引導(dǎo)發(fā)展出最佳設(shè)計，即使
2017-11-08 15:46:540 砷化鎵射頻（RF）元件憑藉著優(yōu)異的雜訊處理及高線性等特色，成為高效能通訊設(shè)備開發(fā)人員長久以來的首選方案；然而，近來隨著絕緣層覆矽（SOI）制程技術(shù)的突破，以矽材料為基礎(chǔ)的RF元件性能已大幅突破，成為替代砷化鎵方案的新選擇。
2018-04-22 11:51:002661 本文開始介紹了什么是微波器件以及微波器件的分類，其次介紹了微波器件的作用，最后介紹了微波器件的應(yīng)用及微波開關(guān)在微波無源器件自動化測試中的應(yīng)用案例。
2018-02-08 16:44:2716473 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料
2018-03-01 14:55:4545809 據(jù)悉，近日，漢能砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）認(rèn)證，漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到29.1%，再次刷新世界紀(jì)錄。
2018-11-19 15:31:477945 公司主要從事砷化鎵微波集成電路 （GaAs MMIC）晶圓之代工業(yè)務(wù)，提供HBT、pHEMT微波集成電路／離散元件與后端制程的晶圓代工服務(wù)，應(yīng)用于高功率基地臺、低雜訊放大器（LNA）、射頻切換器（RF Switch）、手機(jī)及無線區(qū)域網(wǎng)路用功率放大器 （ PA ）與雷達(dá)系統(tǒng)上。
2018-12-27 17:48:3112319 日前，在首屆“南湖之春”國際經(jīng)貿(mào)洽談會上，南湖區(qū)簽約45個項目，總投資超200億元，其中包括砷化鎵集成電路項目。
2019-05-13 16:20:405032 微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術(shù)難點，本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術(shù)難點。工作在微波波段（300～300000兆 赫）的器件。它
2020-08-14 18:52:000 我們現(xiàn)在之所以能夠通過Wi-Fi或移動數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)無線上網(wǎng)，就是因為手機(jī)上的無線通訊模組，而其中關(guān)鍵的射頻元件，則是以砷化鎵材料所制作的功率放大器（PA），甚至連發(fā)射到太空中的人造衛(wèi)星上，也都裝配著穩(wěn)懋半導(dǎo)體生產(chǎn)的砷化鎵芯片。
2020-08-31 10:45:578281 根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，2019年下游GaAs元件的市場總產(chǎn)值為88.7億美元，預(yù)計到2023年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模將達(dá)到142.9億美元，2019-2024年GAGR為10%。 此處下游GaAs
2020-10-09 10:34:425020 三安以近20年的化合物半導(dǎo)體制造經(jīng)驗，專業(yè)的設(shè)計支持團(tuán)隊，以及豐沛的產(chǎn)能，為微波射頻、功率電子以及光技術(shù)領(lǐng)域的客戶提供標(biāo)準(zhǔn)化及客制化的生產(chǎn)服務(wù)。
2020-10-14 16:03:253712 實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪
2020-12-30 10:27:582922 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供氮化鎵、砷化鎵和LDMOS將共存嗎？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:42:117 半導(dǎo)體合格測試報告：砷化鎵SD-A(QTR：2014-00094)
2021-04-24 19:00:0310 砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述
2021-08-09 16:39:520 GaAsFET（砷化鎵場效應(yīng)晶體管）是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:424809 、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鎵、銦、鋁、磷或砷。在這一點上，作為我們?nèi)A林科納研究的重點，GaAs晶圓是一個很好的候選，它可以成為二極管等各種技術(shù)器件中最常見的襯底之一。 襯底表面對實現(xiàn)高性能紅外器件和高質(zhì)量薄膜層起著重要作用
2022-01-19 11:12:222382 
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣，氮化鎵(GaN)是一項革命性技術(shù)，在實現(xiàn)未來的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨大作用。不過，它并不是一劑“靈丹妙藥”，其他技術(shù)仍然可以發(fā)揮重要作用。
2022-03-22 13:01:546364 在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過外延生長的手段長出不同的材料膜層結(jié)構(gòu)。
2022-04-07 15:32:577549 
砷化鎵集成單刀雙擲開關(guān)AS179-92LF英文手冊免費下載。
2022-04-12 15:00:575 砷化鎵可在一塊芯片上同時處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314399 對于做激光應(yīng)用的砷化鎵基板，晶向有很重要的應(yīng)用。關(guān)乎了激光芯片的成品質(zhì)量和合格率，通過在wafer上劃片，劈裂
2022-11-10 10:54:544757 砷化鎵是發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計，典型代表是VCSEL（垂直腔表面發(fā)射激光器），廣泛應(yīng)用在短距離數(shù)據(jù)中心光纖通信，TOF人臉識別等。
2022-11-30 09:35:3814208 HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關(guān)，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
2023-01-31 16:50:481591 幾十年來，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復(fù)合半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出來，具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的財產(chǎn)。例如，利用化合物半導(dǎo)體，開發(fā)了發(fā)光二極管（led）。一種類型由砷化鎵（GaAs）和砷化鎵（GaAsP）組成。其他的使用銦和磷。
2023-02-05 11:01:27960 卻可以實現(xiàn)更高的性能。那么氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些呢？ 而隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域。 新型電子器件 GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器
2023-02-05 14:30:084276 優(yōu)點，成為高溫、高頻、大功率微波器件的優(yōu)選材料之一，其目前主要用于功率器件領(lǐng)域，在高頻通信領(lǐng)域也將有極大應(yīng)用潛力。
2023-02-06 15:30:163871 砷化鎵太陽能電池最大效率預(yù)計可以達(dá)到23%～26%，它是目前各種類型太陽能電池中效率預(yù)計最高的一種。砷化鎵太陽能電池抗輻射能力強(qiáng)，并且能在比較高的溫度環(huán)境中工作。
2023-02-08 16:02:0718195 
砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導(dǎo)體材料。砷化鎵（化學(xué)式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導(dǎo)體材料，用來制作微波集成電路、紅外線發(fā)光二極管
2023-02-14 16:07:3810056 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點，因此在電子器件的制造中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-02-14 17:14:473761 砷化鎵二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由砷化鎵（GaAs）材料制成，具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應(yīng)速度。砷化鎵二極管的原理是，當(dāng)電壓施加到砷化鎵二極管的兩個極性時，電子和空穴就會在砷化鎵材料中遷移，從而產(chǎn)生電流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化鎵（GaAs）是一種半導(dǎo)體材料，它是由鎵（Ga）和砷（As）組成的化合物，具有較高的電子遷移率和較低的漏電流，因此在電子器件中有著廣泛的應(yīng)用。
2023-02-16 15:28:514881 砷化鎵是第三代半導(dǎo)體，它是在第二代半導(dǎo)體的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，具有更高的電子遷移率、更高的熱導(dǎo)率、更高的光學(xué)性能、更高的熱穩(wěn)定性、更高的電磁屏蔽性能和更高的耐腐蝕性。
2023-02-16 15:59:542891 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量。
2023-02-20 16:32:248892 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 占據(jù)強(qiáng)勢地位的IDM公司，比如Qorvo和Skyworks，持續(xù)丟失中國國內(nèi)和三星的射頻前端份額，必然會導(dǎo)致這類美系IDM公司縮小砷化鎵晶圓廠產(chǎn)出規(guī)模。
2023-02-22 15:03:181958 冠以“半導(dǎo)體貴族”之稱，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象，使芯片的晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)
2022-10-27 11:35:396454 
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810908 砷化鎵芯片的制造工藝相對復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單，可以使用大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)進(jìn)行批量制造。
2023-07-03 16:19:5310675 目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應(yīng)用于軍事、無線和空間通信系統(tǒng)。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔，這些MMICs的性能顯著提高。
2023-07-13 15:55:021320 
上海伯東美國 Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運輸以及儲存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
2023-12-14 16:30:151648 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 首期項目斥資15億人民幣，致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計在2025年7月開始試運行，此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)，年產(chǎn)量設(shè)置為6萬片。
2024-02-28 16:38:562860 氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進(jìn)，并不是一個簡單的二元對立問題，因為它們的先進(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場
2024-09-02 11:37:167233 CHA5659-98F/CHA5659-QXG是法國UMS公司推出的四級單片砷化鎵（GaAs）高功率放大器，專為36-43.5GHz毫米波頻段設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的0.15μm pHEMT工藝制造，在K波段衛(wèi)星通信和點對點無線電系統(tǒng)中展現(xiàn)卓越性能。
2025-03-07 16:24:081115 
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