回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰(zhàn)？

為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。

本期嘉賓是Qorvo?功率器件總監(jiān) / SiC 產(chǎn)品線經(jīng)理Ramanan Natarajan。

開發(fā)750V TOLL封裝SiC FET

進軍光儲充、動力總成等多個市場

行家說三代半：過去一年，貴公司主要做了哪些關(guān)鍵性工作？

Qorvo：Qorvo 是業(yè)內(nèi)唯一一家基于JFET技術(shù)打造行業(yè)標準SiC FET產(chǎn)品的公司；從而助力更豐富的功率轉(zhuǎn)換與電路保護應用。Qorvo提供業(yè)界最廣泛的分立式FET產(chǎn)品組合（涵蓋650-1700V、5-400mohms、SMD和TH封裝等）。

在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。

具體來看，TOLL封裝750V SiC FET，導通電阻范圍在5.4mΩ-60mΩ之間；另一款AEC級750V和1200V SiC FET，采用低電感SMD封裝D2PAK-7L。

行家說三代半：2023年貴公司取得了哪些成績？碳化硅在應用領(lǐng)域有哪些進展與案例？

Qorvo：Qorvo的SiC FET產(chǎn)品已廣泛應用于光伏和儲能、直流快速充電器、電動汽車動力總成、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心/工業(yè)PSU等多個市場。Qorvo的650-1200V SiC FET在任何特定封裝中都能提供電阻最低的產(chǎn)品。

SiC FET具備獨特優(yōu)勢

單晶圓芯片數(shù)多2-4倍

行家說三代半：相較于SiC MOS產(chǎn)品，貴公司的SiC FET的產(chǎn)品有哪些獨特之處和優(yōu)勢？還有哪些新的技術(shù)進展？

Qorvo：Qorvo SiC FET的特點：

● 在給定RDS(on)條件下，SiC芯片尺寸更小，從而實現(xiàn)對SiC襯底用量的最有效利用；

●?在給定封裝尺寸中具有最低的RDS(on)，同時結(jié)合最低的反向壓降，能在軟開關(guān)應用中實現(xiàn)最高效率；

●?與類似的SiC MOSFET相比，COSS（輸出電容）更低，帶來更快的開關(guān)速度，工作頻率更高，由此縮小了臃腫無源元件（電感器、電容器）的尺寸；

●?+/-20V柵極電壓能力：與所有競品技術(shù)的柵極驅(qū)動電路兼容；

●Qorvo SiC基于JFET技術(shù)，無SiC柵極氧化物可靠性問題；

此外，在與SiC MOS芯片尺寸相同的情況下，Qorvo SiC JFET技術(shù)實現(xiàn)了以下目標：

●650V電壓下，導通電阻比SiC MOSFET低3-4倍；

●1200V電壓下，導通電阻比SiC MOSFET低2倍；

對于相同的FET導通電阻，Qorvo的SiC JFET技術(shù)可實現(xiàn)：

●更小的芯片尺寸；每片晶圓上容納的芯片數(shù)量增加2-4倍，從而提升制造吞吐量；

●更低的器件“寄生”電容。

優(yōu)化產(chǎn)品組合

鞏固SiC FET領(lǐng)先地位

行家說三代半：未來8英寸產(chǎn)品的商用化進程是怎樣的？2024年貴司在產(chǎn)能或技術(shù)上有哪些規(guī)劃？

Qorvo：6英寸仍然是整個行業(yè)的主流平臺；越來越多的襯底供應商提供6英寸SiC晶圓，從而降低了成本。對于8英寸，目前仍存在良率較低、晶圓成本較高等挑戰(zhàn)。

2024年，SiC器件的需求呈增長趨勢，Qorvo將持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品組合，以充分利用在分立式SiC FET產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

審核編輯：黃飛

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