?(SiC) MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。 ? TOLL 封裝的尺寸僅為?9.90
2022-05-11 11:45:30
4087 
(SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車
2022-05-17 11:55:242853 
科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)
2022-03-31 18:10:575864 
中國 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型
2024-06-14 15:29:581291 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
了鐵－鎳、鉛酸蓄電池為動力源的各種電動汽車。但由于蓄電池的容量小、充電時間長等一時解決不了的問題，使電動汽車在性能和價格上落后于燃油汽車。第二次世界大戰(zhàn)以來，隨著環(huán)境問題日益嚴(yán)重，許多國家對電動汽車又
2013-05-14 10:50:16
機驅(qū)動技術(shù)國際發(fā)展趨勢，電動汽車行業(yè)前景來這幾個方面來分析研究電動汽車電動機驅(qū)動技術(shù)及其發(fā)展?fàn)顩r。通過了解以下內(nèi)容目的是發(fā)現(xiàn)我國電動汽車車用電機存在的問題，提升我國電動汽車的車用電機及其驅(qū)動系統(tǒng)的技術(shù)，從而更好的與世界接軌。關(guān)鍵詞：混合電動汽車，電動機，驅(qū)動技術(shù)
2016-09-08 19:23:28
汽車是現(xiàn)代生活中不可或缺的交通工具，但隨著能源危機和環(huán)境污染問題日益嚴(yán)峻，傳統(tǒng)燃油汽車的發(fā)展面臨著越來越大的壓力。電動汽車憑借其在環(huán)保和節(jié)能等方面的優(yōu)勢，已成為汽車工業(yè)發(fā)展的必然趨勢。然而，電動汽車
2020-04-20 06:54:10
，隨著純電動汽車（BEV）的電池電壓增加（400V及以上），以及車載充電器和車外直流充電器（50kW及以上）的電力等級增加（>10kW），采用SiC用作電子電力開關(guān)將越來越重要。如表1所示，與硅相比
2019-03-11 06:45:02
詳情見附件在內(nèi)燃機車輛中，熱管理系統(tǒng)確保動力傳動系（發(fā)動機）、后處理（排氣系統(tǒng)）和空調(diào)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的性能，在電動車和混合動力電動汽車中同樣重要，它還與安全和消除里程焦慮相關(guān)。熱管理系統(tǒng)(TMS
2021-04-23 16:36:27
求一個芯片，電動汽車里用的，8V-36V轉(zhuǎn)成12V的DC/DC芯片，要求輸出電流大于50mA,求高手指教，謝謝！
2016-09-02 19:52:00
and Elcar corp. ，American Motor Company 等公司利用這一需求推出了電動汽車和汽車。2000年的最后十年，許多國家采取了一些立法和監(jiān)管措施，如排放標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)、清潔空氣法修正案(美國
2022-04-28 16:27:19
電動汽車變革進行時，芯片IP供應(yīng)商扮演著怎樣的角色？
2021-01-13 06:25:54
對整個電動車性能的提升是積極重要的。而湖南銀河電氣有限公司研發(fā)的EV4000新能源汽車驅(qū)動系統(tǒng)測試儀是專業(yè)針對電動汽車動力系統(tǒng)測試的高精度綜合儀器，可以為電動汽車電機以及驅(qū)動器提供全方位的測量
2018-11-09 11:09:20
FCI為混合動力及電動汽車推出大功率連接器設(shè)計
2021-05-10 06:18:51
的設(shè)計者自從市場形成以來就已經(jīng)實現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新，隨著汽車不斷的數(shù)字化，未來將會出現(xiàn)更多變化。未來的電動汽車將更酷、更快、更小，為駕駛員（和自動駕駛員）帶來驚人的性能提升，用更少的能源行使更長的里程。`
2018-07-19 16:30:38
電動汽車充電領(lǐng)域的研究，想借助發(fā)燒友論壇完成項目的設(shè)計。項目計劃：1）研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理；2）下載器件模型在ADS上搭建仿真電路，同時設(shè)計SiC管的驅(qū)動策略；3）采用耐壓1200V
2020-04-24 18:11:27
優(yōu)化電動汽車的結(jié)構(gòu)性能以提高效率和安全性迅速增長的全球電動汽車（EV）市場預(yù)計到2027年將達到8028億美元。在電池和高壓電子設(shè)備的驅(qū)動下，電動汽車的運行和維護成本往往低于傳統(tǒng)汽車，幾乎不會產(chǎn)生
2021-09-17 08:10:07
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
獨立負載（V2L）和補充電網(wǎng)功率（V2G）。因此，EV OBC 的設(shè)計趨勢是向雙向運行能力過渡。為了優(yōu)化電動汽車的空間和重量，OBC設(shè)計需要高功率密度和最大化效率。雙向 OBC 由一個雙向 AC-DC
2023-02-27 09:44:36
/混合動力汽車半導(dǎo)體領(lǐng)袖，緊跟市場趨勢，提供全面的高性能方案，包括超級結(jié)SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門極驅(qū)動器、電流檢測放大器、快恢復(fù)二極管，滿足電動汽車充電樁市場需求并推動創(chuàng)新。
2019-08-06 06:39:15
推出電動汽車（EV）的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動車輛皆可與基于內(nèi)燃機的車輛媲美。
2019-08-06 08:39:13
電動汽車能源管理的重要性是什么？怎么實現(xiàn)基于CAN總線的電動汽車電源管理通信的設(shè)計？
2021-05-12 06:14:51
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
可以縮短充電時間。第 2 種不實傳言：所有電動汽車充電站均使用同一種充電技術(shù)電動汽車充電站使用多種技術(shù)。有的充電器會通過利用車載充電器將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，實現(xiàn)直接用交流電為電動汽車充電。但是，有的
2022-11-03 07:45:06
日益嚴(yán)格的能效及環(huán)保法規(guī)推動汽車功能電子化趨勢的不斷增強和混合電動汽車/電動汽車(HEV/EV)的日漸普及，這加大了對高能效和高性能的電源和功率半導(dǎo)體器件的需求。安森美半導(dǎo)體作為汽車功能電子化的領(lǐng)袖
2019-07-23 07:30:07
電池堆棧監(jiān)控器大幅提高混合動力汽車和電動汽車的鋰離子電池性能
2021-01-21 06:13:22
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。
2018-06-04 08:31:002708 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是芯片的TO263和D2PAK封裝尺寸原理圖免費下載。
2019-09-30 08:00:00
189 晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。
2022-05-11 11:29:333580 UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:082356 許多人選擇“七”這個數(shù)字是因為它的“幸運”屬性，而UnitedSiC選擇它則當(dāng)然是因為七個引腳非常適合D2PAK半導(dǎo)體封裝。
2022-08-01 14:42:361548 -7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:351201 
被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 在電源轉(zhuǎn)換這一語境下，性能主要歸結(jié)為兩個互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:011046 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、10 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R9-100BSE
2023-02-17 19:15:540 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、3.95 mΩ、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、4.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R8-100BSE
2023-02-22 18:50:030 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 7.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN7R6-100BSE
2023-02-22 18:50:250 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、3.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R4-30BLE
2023-02-23 18:37:050 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、1.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-30BLE
2023-02-23 18:39:490 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 1.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMNR90-30BL
2023-02-23 18:41:091 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-100BS
2023-02-23 18:44:381 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 7.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R0-40BS
2023-03-03 18:49:590 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.9 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R8-40BS
2023-03-03 18:50:290 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 2.1 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30BL
2023-03-03 18:50:470 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 9.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R5-100BS
2023-03-03 18:52:320 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 8.7 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN8R7-80BS
2023-03-03 18:53:010 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 7.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN7R6-60BS
2023-03-03 18:53:110 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 46 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN6R5-80BS
2023-03-03 18:53:440 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 5.6 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN5R6-100BS
2023-03-03 18:53:570 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、5.1 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN5R0-80BS
2023-03-03 18:54:090 D2PAK 中的 N 溝道 60 V、4.4 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R6-60BS
2023-03-03 18:54:350 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 4.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R5-40BS
2023-03-03 18:54:460 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、4.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R4-80BS
2023-03-03 18:55:000 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 4.1 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R3-30BL
2023-03-03 18:55:320 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 3.9 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R8-100BS
2023-03-03 18:55:570 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 3.3 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R4-30BL
2023-03-03 18:56:180 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、3.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80BS
2023-03-03 18:56:360 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 3.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R0-60BS
2023-03-03 18:56:490 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、3 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 FET-PSMN2R8-80BS
2023-03-03 18:57:110 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 3.0 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R7-30BL
2023-03-03 18:57:420 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 2.2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40BS
2023-03-03 18:57:590 D2PAK 中的 N 溝道 30 V、1.8 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R8-30BL
2023-03-03 18:58:100 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R7-60BS
2023-03-03 18:58:270 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 1.9 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R6-30BL
2023-03-03 18:58:420 D2PAK 中的 N 溝道 40 V 1.3 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R1-40BS
2023-03-03 18:59:000 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 46 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN050-80BS
2023-03-03 18:59:500 D2PAK 中的 N 溝道 100 V 34.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN034-100BS
2023-03-03 19:00:100 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 22.6 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN022-30BL
2023-03-03 19:00:400 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 17 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-80BS
2023-03-03 19:00:570 D2PAK 中的 N 溝道 30 V 17 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN017-30BL
2023-03-03 19:01:390 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 14.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60BS
2023-03-03 19:02:090 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 11 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-80BS
2023-03-03 19:02:251 來源：Qorvo 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低
2023-03-22 16:13:201192 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線（TOLL）封裝技術(shù)，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)
2023-04-11 15:55:091329 英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:271227 Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴大了公司的性能地位，并擴大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產(chǎn)品組合
2023-08-07 14:47:171137 
（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無疑已經(jīng)做到了這一點。 與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術(shù)用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發(fā)，并擴大了其領(lǐng)先優(yōu)勢。
2023-08-29 18:10:011064 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8018 D2PAK:SMD 13的卷盤包裝.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:53:250 上期EV焦點欄目 我們聊了聊電動汽車為什么要上800V，也大致了解了SiC和800V互相成就的關(guān)系。今天這期，我們相對放大一下，聊聊SiC在電動汽車上的應(yīng)用。
2024-01-02 13:43:172020 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《塑料，單端表面安裝封裝（D2PAK R2P）SOT8018程序包信息.pdf》資料免費下載
2024-02-01 09:43:050 Qorvo，全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商，近日發(fā)布了其全新車規(guī)級碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:061404 在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
2024-02-21 14:40:52646 SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現(xiàn)。
2024-03-18 18:12:342390 
中國 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型
2024-06-12 14:04:44950 Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）產(chǎn)品；其采用緊湊型無引腳表面貼裝（TOLL）封裝，可帶來卓越的斷路器設(shè)計和性能。
2024-11-15 16:04:401229 為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強等特點，讓系統(tǒng)設(shè)計更緊湊、更高效，組裝時能自動化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201445 
新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性能
2025-01-17 17:03:271225 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8018 D2PAK SMD卷盤包裝.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:40:430 )封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1
2025-03-20 11:18:11964 
汽車應(yīng)用場景，例如電動汽車(EV)的車載充電器(OBC)、牽引逆變器，以及DC-DC轉(zhuǎn)換器、暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)等。這些器件采用愈發(fā)流行的D2PAK-7表面貼裝封裝，相
2025-05-09 19:42:5351713 新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111322 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎(chǔ)設(shè)施及儲能系統(tǒng)等市場的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強的散熱性能、可靠性和設(shè)計靈活性。
2025-12-11 17:48:49742
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