中國(guó)北京 -?2022 年 5 月 17 日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅
2022-05-17 11:55:24
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德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:482140 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:341103 
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061450 1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592 
中國(guó) 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型
2024-01-31 15:19:343083 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。當(dāng)前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達(dá)100A
2018-12-04 10:09:17
“SmarTile”為中移動(dòng)研究院自研的緊湊型有源射頻天線模塊，集光纖接口到天線的完整鏈路，采用高集成，低功耗，低成本的類終端RFIC實(shí)現(xiàn)。SmarTile結(jié)構(gòu)緊湊美觀，各性能指標(biāo)均能達(dá)到
2019-06-13 06:59:04
哪些分類？產(chǎn)品集合如下： 一：2x4CHCCWDM緊湊型波分復(fù)用器 CCWDM產(chǎn)品使用易飛揚(yáng)專有的自由空間光學(xué)平臺(tái)的集成光學(xué)模塊，可以提高光學(xué)性能，同時(shí)降低制造成本，封裝小于傳統(tǒng)CWDM模塊尺寸的1
2018-05-10 14:24:07
高效率的緊湊型解決方案。主要特色緊湊的 45A PoL 解決方案，尺寸為 0.72 英寸 x 1.2 英寸 (18.3mm x30.5mm)適合 45A 單軌或 23A 雙軌的靈活配置在 1V/45A、400kHz 時(shí)達(dá)到 87.5% 的高效率提供 PMBUS 接口用于配置和遙測(cè)此設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)全面測(cè)試
2018-08-15 06:40:34
高效率的緊湊型解決方案。特性緊湊的 45A PoL 解決方案，尺寸為 0.72 英寸 x 1.2 英寸 (18.3mm x30.5mm)適合 45A 單軌或 23A 雙軌的靈活配置在 1V/45A、400kHz 時(shí)達(dá)到 87.5% 的高效率提供 PMBUS 接口用于配置和遙測(cè)此設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)全面測(cè)試`
2015-05-08 15:14:53
本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
TDK集團(tuán)隆重推出適合超聲波應(yīng)用的全新B78416A*系列緊湊型愛(ài)普科斯 （EPCOS） EP6變壓器。新系列元件為表面安裝 （SMD） 型，有五種型號(hào)供選擇，覆蓋1:1:8.42至1:1:15
2022-02-17 16:04:14
利用ARM7(LPC2210)與CMOS感光芯片(OV7620)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)緊湊型圈像采集、處理系統(tǒng);通過(guò)夸理利用LPC2210數(shù)據(jù)總線的工作方式，有效地消除了OV7620對(duì)系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的干擾
2020-04-28 06:38:33
我試圖使用以太網(wǎng)將成像器從spartan6 sp605轉(zhuǎn)移到pc。在基準(zhǔn)參考設(shè)計(jì)界面中，它顯示“鏈接已連接到fpga”，但以太網(wǎng)狀態(tài)LED未激活。我想從緊湊型閃存添加一個(gè)圖像，我想用以太網(wǎng)傳輸它。在
2019-09-16 09:52:13
你好，我正在使用XUPV5-LX110T評(píng)估平臺(tái)，我想將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取到一個(gè)緊湊型閃存（CF），CF存儲(chǔ)器插槽就在平臺(tái)上。關(guān)于如何實(shí)現(xiàn)它的任何想法？謝謝，普拉卡什。
2019-08-19 07:59:53
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
了市場(chǎng)的許可和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。ROHM公司推出了SML-M13和SML-MN2系列帶反射器的緊湊型LED，其中SML-M13系列LED型號(hào)包括
2019-03-29 03:56:31
是德緊湊型可調(diào)協(xié)激光器
2019-08-07 06:44:55
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器，其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過(guò)程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通過(guò)采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨(dú)特的共源共柵電路，常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，形成常關(guān)SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25
Centralsem推出采用緊湊型SMD封裝的5A肖特基橋CBRSDSH5-40
CBRSDSH5-40是首個(gè)40V/5A全波橋式整流器，封裝在一個(gè)表面貼裝SMDIP外殼內(nèi)。VF為0.37V，IR為40µA，該器件適合應(yīng)用于各
2009-11-06 08:34:05901 IR針對(duì)汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Fox Electronics Asia Ltd.現(xiàn)已推出緊湊型XpressO XO HCMOS振蕩器的2.5V電壓型款，全新FXO-HC32系列豐富了XpressO振蕩器系列
2011-08-18 09:50:273169 RS SFC緊湊型測(cè)試 調(diào)制器 提供了這樣一種解決方案：支持幾乎所有的調(diào)制標(biāo)準(zhǔn)，擁有極高的性價(jià)比，基于創(chuàng)新而獨(dú)特的設(shè)計(jì)，SFC僅占有半個(gè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架寬度，十分緊湊。目前RS SFC緊湊型調(diào)
2011-09-15 09:51:351458 Avago Technologies ( AVGO)今日推出兩系列緊湊型LED，可減少數(shù)碼相機(jī)設(shè)計(jì)中對(duì)自動(dòng)對(duì)焦輔助閃光功能的空間要求。
2012-02-01 09:17:42882 5月27日，美超微推出新的緊湊型高密度服務(wù)器解決方案，為英特爾備受期待的Xeon處理器E3-1200 V3產(chǎn)品系列提供支持。
2013-05-27 10:14:381666 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發(fā)布首個(gè)1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161717 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498625 1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天
2017-01-08 14:36:35
7 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 光模塊是光通信傳輸系統(tǒng)中非常重要的有源器件，是進(jìn)行光電和電光轉(zhuǎn)換的光電子模塊，能夠在光通信中起到光電信號(hào)轉(zhuǎn)換的作用。隨著通信市場(chǎng)的高速發(fā)展，光模塊也在隨之不斷演進(jìn)，如今，以小型封裝為主的緊湊型光模塊已經(jīng)獲得了廣泛普及。
2020-12-25 16:25:321555 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:514444 采用緊湊型封裝的新款 6A 和 12A DC/DC 微型模塊可提供即時(shí)電源
2021-03-18 20:16:4811 雙通道微型模塊接收器子系統(tǒng)在緊湊型封裝中兼有高速 ADC 和驅(qū)動(dòng)器
2021-03-21 12:16:379 本部分概述非管理緊湊型交換機(jī)模塊 CSM 1277 的功能。
2021-05-17 10:48:1229 ）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料正憑借其優(yōu)越的性能和巨大的市場(chǎng)潛力，成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的焦點(diǎn)。借此契機(jī)，東芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。 01特征屬性分析 TW070J120B采用第2代內(nèi)置碳化硅SBD芯片設(shè)計(jì)，TO-3P(N)封裝，具有高
2021-06-04 18:21:234508 
?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 2022年5月11日 –移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。
2022-05-12 11:22:572457 
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系
2022-05-25 10:46:532203 作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:572382 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于K32L2B的緊湊型開發(fā)板酷創(chuàng)板.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-06 10:12:102 國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC模塊（丹弗斯DCM1200V800A）ASC800N1200DCS12/https://pan.baidu.com/s/1EwhD3deePtU2v4w8rgmlsg提取碼eizx
2023-02-13 17:02:3212 超緊湊型瞬態(tài)電壓抑制器-PTVS5V0Z1BSC
2023-02-20 20:12:230 超緊湊型瞬態(tài)電壓抑制器-PTVS3V3Z1BSC
2023-02-20 20:12:360 超緊湊型瞬態(tài)電壓抑制器-PTVS3V3D1BAL
2023-02-21 19:22:210 超緊湊型瞬態(tài)電壓抑制器-PTVS5V5D1BL
2023-02-23 18:50:080 超緊湊型瞬態(tài)電壓抑制器-PTVS4V5D1BL
2023-02-23 19:14:330 TDK | 超緊湊型傳感器模塊i3微模塊,在故障發(fā)生之前預(yù)測(cè)異常
2023-03-19 09:58:492475 
2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:333850 
RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44707 新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)
2023-07-31 16:57:591729 
2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:261670 
Qorvo，全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商，近日發(fā)布了其全新車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:061404 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:351504 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽(yáng)能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2024-03-06 11:43:191402 近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
2024-04-17 14:02:491619 
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規(guī)與工規(guī)不同等級(jí)的需求。
2024-05-06 15:20:521273 在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力，推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354 納芯微近期發(fā)布了其首款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品——NPC060N120A系列，該系列產(chǎn)品的RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-05-13 15:27:391829 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 認(rèn)證；同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。
2024-06-24 09:13:201944 
新品采用1200VSiCM1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展1200V的62mmCoolSiCMOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了M1H芯片技術(shù)，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移
2024-06-26 08:14:271230 TE Connectivity（以下簡(jiǎn)稱“TE”）新推出的緊湊型防水連接器可以助您掃除上述煩惱。
2024-08-19 14:18:151776 1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V，工作頻率可達(dá)30kHz，輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢(shì)，性價(jià)比超國(guó)外產(chǎn)品，適用于電動(dòng)汽車、氫能源汽車、高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。
2024-09-18 17:18:171724 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級(jí)。
2024-10-29 13:54:371064 
采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機(jī)LV100封裝中實(shí)現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-11-14 14:59:192865 
Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）產(chǎn)品；其采用緊湊型無(wú)引腳表面貼裝（TOLL）封裝，可帶來(lái)卓越的斷路器設(shè)計(jì)和性能。
2024-11-15 16:04:401228 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測(cè)試樣品，供客戶評(píng)估。
2024-11-21 18:10:251354 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn)，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效，組裝時(shí)能自動(dòng)化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201444 
近日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試。
2025-03-11 15:22:521253 
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以滿足
2025-04-17 11:23:54723 
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強(qiáng)型1代、集成NTC溫度傳感器
2025-04-17 17:05:15805 新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù)，電流等級(jí)涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461315 ，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-05-14 17:55:021063 從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國(guó)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步，具體體現(xiàn)在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707 
新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強(qiáng)型1代M1H芯片、集成NTC
2025-06-10 17:06:211301 近期，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場(chǎng)景場(chǎng)景。圖片
2025-07-29 06:21:51683 
新品針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過(guò)AQG324認(rèn)證。一個(gè)模塊采用
2025-07-31 17:04:34837 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035 基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03983 
菱電機(jī)集團(tuán)昨日（2025年9月11日）宣布，將于9月22日開始供應(yīng)針對(duì)家用及工業(yè)設(shè)備（如柜式空調(diào)、熱泵采暖及熱水系統(tǒng)）的新緊湊型DIPIPM功率半導(dǎo)體模塊。新的Compact DIPIPM系列產(chǎn)品
2025-09-24 10:39:48916 
6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658
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