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三星電子成功開發(fā)出了DDR5芯片

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XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
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據(jù)悉,三星電子利用具有夢幻新材料之稱的石墨烯(graphene)研制出了新的晶體管結(jié)構(gòu)。如果石墨烯晶體管開發(fā)獲得最終成功可提高運(yùn)算能力100倍。 三星電子18日表示,綜合技術(shù)院突破
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DS_K4B4G1646E-BY_Rev10-0三星DDR芯片手冊

三星DDR芯片手冊
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種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對比與應(yīng)用和DDR5芯片的設(shè)計(jì)

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2017-11-15 16:36:0348253

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出8Gb DDR4芯片

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
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“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強(qiáng)

三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
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三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
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現(xiàn)在有媒體報道稱,有知情人士透露,三星電子旗下半導(dǎo)體制造部門贏得了高通公司的5G芯片代工合同。 知情人士稱,三星電子將至少代工一部分高通X60調(diào)制解調(diào)器(Modem)芯片,該芯片能將智能手機(jī)等設(shè)備連接到5G無線數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)。
2020-02-20 10:32:381297

大多DRAM廠商DDR5相應(yīng)產(chǎn)品發(fā)售,DDR5能成為市場的主流嗎

目前,DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:433479

三星開發(fā)出了新型的高性能全固態(tài)鋰金屬電池

三星高級技術(shù)學(xué)院和日本三星研發(fā)研究所的研究人員已經(jīng)開發(fā)出了一種新型的高性能全固態(tài)鋰金屬電池,該電池首次使用銀碳(Ag- C)復(fù)合層作為陽極。
2020-03-14 11:55:393449

三星計(jì)劃2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,最高頻率可以達(dá)到6400 MT/s

EUV光刻和現(xiàn)在常用的DUV光刻不同,它使用波長短得多的極紫外光,這就讓更精細(xì)的光刻成為可能,允許制作更小的晶體管,提升工藝水平,并提升生產(chǎn)效率;三星預(yù)計(jì),使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍,讓產(chǎn)能不再是問題。
2020-03-26 14:54:224726

Intel和AMD明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺 三星2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存

據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。
2020-03-28 10:41:294593

DDR5內(nèi)存和DDR4內(nèi)存差異總結(jié)

DDR5的主要特性是芯片容量,不僅僅是更高的性能和更低的功耗,DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率,更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1718338

十銓成功開發(fā)出消費(fèi)級DDR5-4800內(nèi)存

根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,十銓開發(fā)出了其首個消費(fèi)級 DDR5 內(nèi)存工程樣品,正與主板廠商測試。 據(jù)介紹,目前,十銓正努力生產(chǎn)其第一批 DDR5 內(nèi)存,暫定規(guī)格為 16 GB 4800
2020-12-15 15:30:411917

十銓稱已成功開發(fā)DDR5 SO-SIMM內(nèi)存,希望率先與Intel、AMD的新平臺進(jìn)行驗(yàn)證合作

去年底,TEAMGROUP(十銓)宣布正開發(fā)DDR5內(nèi)存條(U-DIMM,用于臺式機(jī))?,F(xiàn)在,SO-DIMM形態(tài)的DDR5內(nèi)存也官宣了,筆記本、迷你機(jī)、NAS等將因此受益。 十銓稱已成功開發(fā)出
2021-01-26 16:43:213384

DDR3內(nèi)存突然漲價50% DDR5內(nèi)存將要上市

了,未來幾年被取代是水到渠成的,不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域,比如Wi-Fi路由等,它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存,相比DDR4便宜不少,可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能,現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:394195

三星電子宣布開發(fā)了業(yè)內(nèi)首款容量達(dá)到512GB的DDR5內(nèi)存模組

Intel副總裁Carolyn Duran確認(rèn),三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器(Sapphire Rapids藍(lán)寶石激流)兼容。根據(jù)路線圖,Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器,年底前登陸,除了DDR5,還會首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092885

三星發(fā)布3款DDR5內(nèi)存用電源管理芯片 高通推出驍龍X65/X62 5G M.2接口參考設(shè)計(jì)

三星發(fā)布3款DDR5內(nèi)存用電源管理芯片 外媒 TheElec 報道稱,在 5 月 19 日的時候,三星電子正式發(fā)布了 3 款 DDR5 內(nèi)存用電源管理芯片,可以做到高效直流降壓。 三星稱,最新的電源
2021-05-21 18:11:343850

DDR5放量元年 上游巨頭積極部署

近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱,英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142891

三星大力生產(chǎn)DDR5,加速DDR4向DDR5過渡

通過對硅層進(jìn)行研磨,三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%,并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實(shí)際上更薄,分別為1.0毫米和 1.2 毫米。
2022-06-28 15:10:251493

三星計(jì)劃在2023年初推出32Gb DDR5內(nèi)存芯片

“32Gb DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā),并計(jì)劃在明年初推出,”三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和三星網(wǎng)絡(luò)研討會上表示(見三星在下圖中的演示)?!盎?32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市?!?/div>
2022-08-22 10:21:192939

三星電子DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)HKMG工藝大規(guī)模應(yīng)用

該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:482099

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291206

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342

ChatGPT帶旺服務(wù)器需求,Rambus發(fā)布第DDR5 RCD芯片,提前卡位DDR5市場爆發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)隨著服務(wù)器CPU更多的開始支持DDR5,服務(wù)器的內(nèi)存也正向DDR5滲透,Rumbus公司預(yù)計(jì)服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。事實(shí)上,作為唯數(shù)不多的內(nèi)存接口芯片
2023-03-02 10:27:136269

明年存儲芯片恐缺貨 三星、SK海力士齊力能否扭轉(zhuǎn)乾坤

業(yè)界認(rèn)為,三星雖維持資本支出計(jì)劃,但主要是強(qiáng)化DDR5等新世代高階存儲芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點(diǎn)聚焦高階新世代產(chǎn)品,并釋出大幅減產(chǎn)信息,意味主流DDR4市況將更健康。
2023-05-24 11:37:23721

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535614

三星電子和SK海力士計(jì)劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量

 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5開發(fā)出10nm級第5代(1b)DDR5,供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計(jì),由于DDR5需求高漲,拉動產(chǎn)品平均銷售單價,SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈,公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16906

三星電子成立下一代芯片工藝研究部門

據(jù)gartner稱,人工智能芯片市場規(guī)模有望從今年的534億美元增長到2027年的1194億美元。但在hbm和ddr5 dram等先進(jìn)存儲芯片市場上,三星落后于競爭企業(yè)。
2023-11-30 09:42:18875

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險,同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297

DDR5 SDRAM規(guī)范

JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:5528

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片DDR5 RCD04)

近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片DDR5 RCD04),該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,
2024-01-04 09:26:581535

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代RCD芯片

瀾起科技,一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新,近日再次實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級,他們成功發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片DDR5 RCD04),進(jìn)一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:111768

瀾起科技:DDR5子代RCD芯片將隨新一代CPU平臺規(guī)模出貨

瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測,DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過第一子代RCD芯片。更進(jìn)一步,DDR5子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:351769

三星電子最新消息 成立AI芯片開發(fā)團(tuán)隊(duì) 出售所持ASML剩余股份

三星電子一直業(yè)界風(fēng)向標(biāo),我們來看看三星電子近期的最新消息。 三星電子在硅谷成立AI芯片開發(fā)團(tuán)隊(duì) 據(jù)外媒報道消息,有業(yè)內(nèi)人士透露出三星電子已經(jīng)在硅谷建立了一個人工智能芯片開發(fā)團(tuán)隊(duì)。三星電子AI芯片開發(fā)
2024-02-22 18:34:071631

三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211566

TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品

近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨(dú)家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:342168

DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線

DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細(xì)。不知道你開始使用DDR5沒有,你有關(guān)注過DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線嗎?
2024-07-16 17:47:136104

三星HBM3E批量出貨在即,DDR5市場或迎供應(yīng)緊張與價格上漲

消息不僅標(biāo)志著三星在高性能內(nèi)存技術(shù)上的又一重要里程碑,也預(yù)示著DDR5等存儲芯片市場即將迎來一波新的供需變化。
2024-07-17 15:19:411222

DDR5內(nèi)存面臨漲價潮,存儲巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)

近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:212772

DRAM大廠第DDR5價格大幅上調(diào)

近日,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第季度對DDR5內(nèi)存價格進(jìn)行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知,宣布DDR5內(nèi)存的單季價格將實(shí)現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:011224

SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5DDR4的主要區(qū)別

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品,提供更高
2024-11-22 15:38:037970

DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異

DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:405423

DDR5 暫停報價只是開始,PCB 行業(yè)的 “芯片依賴癥” 正在爆發(fā)?

三星、美光暫停 DDR5 合約報價引發(fā)的存儲芯片荒,正通過 AI 服務(wù)器需求鏈,悄然傳導(dǎo)至 PCB 行業(yè)。這場關(guān)聯(lián)的核心,并非簡單的 “芯片漲價帶動 PCB 漲價”,而是 AI 服務(wù)器對存儲芯片
2025-11-05 10:29:56585

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