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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>Navitas納微半導(dǎo)體將在2019 CPSSC上展示GaNFast技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位

Navitas納微半導(dǎo)體將在2019 CPSSC上展示GaNFast技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位

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蘇州華林科半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司招賢

公司名稱:蘇州華林科半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司公司地址:蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)公司電話:0512-62872541蘇州華林科半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備
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半導(dǎo)體閃亮登場(chǎng)慕尼黑上海電子展,氮化鎵最新工業(yè)級(jí)應(yīng)用產(chǎn)品首次公開亮相

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氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體(“”)的股票,正式開始在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易,股票代碼為“NVTS”。
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全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體,在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
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半導(dǎo)體誠(chéng)邀您參與 2022 年 CES ,參與特斯拉抽獎(jiǎng)

在即將召開的 2022 年的CES,氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體(納斯達(dá)克交易代碼:NVTS)將展示其業(yè)務(wù)拓展計(jì)劃,其業(yè)務(wù)范圍將從目前排名第一的氮化鎵移動(dòng)快速充電器領(lǐng)域,進(jìn)入到包括太陽(yáng)能、數(shù)據(jù)中心以及電動(dòng)汽車在內(nèi)的更高功率的市場(chǎng)。
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英飛凌將投資逾20億歐元在馬來(lái)西亞居林前道工廠擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能,進(jìn)一步增強(qiáng)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴(kuò)大寬禁帶(碳化硅和氮化鎵)半導(dǎo)體的產(chǎn)能,進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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全球首款160W氮化鎵充電器亮相MWC 2022,半導(dǎo)體GaNFast??技術(shù)進(jìn)入realme GT Neo 3智能手機(jī)供應(yīng)鏈。
2022-03-01 16:34:371331

半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾

氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù),集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管(GaN Power[FET])、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132198

半導(dǎo)體再次進(jìn)入vivo手機(jī)供應(yīng)鏈

半導(dǎo)體近期正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold所標(biāo)配的80W有線閃充充電器內(nèi)。
2022-04-27 10:56:422501

半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場(chǎng)

氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級(jí)以提高效率和功率密度,將加速進(jìn)入更多類型的快充市場(chǎng)。
2022-05-05 10:32:562299

NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼
2022-05-05 11:13:573058

半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化鎵平臺(tái)NV6169功率芯片

美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169,這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片,可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312749

半導(dǎo)體發(fā)生新人事任命

氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布已任命 Ron Shelton 為新任高級(jí)副總裁、首席財(cái)務(wù)官和財(cái)務(wù)主管。同時(shí),臨時(shí)首席財(cái)務(wù)官 Todd Glickman 將繼續(xù)擔(dān)任財(cái)務(wù)高級(jí)副總裁。
2022-06-02 10:32:512010

半導(dǎo)體通過(guò)全球首家CarbonNeutral?公司認(rèn)證

氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體宣布,正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Natural Capital Partners頒發(fā)的CarbonNeutral?公司認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
2022-06-06 14:48:112763

半導(dǎo)體助力小米旗下Redmi系列首款筆記本電腦標(biāo)配100W氮化鎵充電器發(fā)布

下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實(shí)現(xiàn)輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布
2022-07-01 14:39:402312

半導(dǎo)體CEO強(qiáng)勢(shì)助陣Anker GaNPrime?全球發(fā)布會(huì),GaNSense?技術(shù)助力Anker重新定義氮化鎵

Anker,重新定義氮化鎵! ? “半導(dǎo)體是氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,自 2017 年以來(lái)一直與安克緊密合作。作為半導(dǎo)體的首批投資者,安克見證了從成立初期到 2021 年在納斯達(dá)克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產(chǎn)品中,采用了新一代增加GaNSense??技術(shù)
2022-07-29 16:17:441027

半導(dǎo)體宣布收購(gòu)碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC

氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體宣布收購(gòu)碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC,成為唯一專注下一代功率半導(dǎo)體公司 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 8 月 15日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片
2022-08-16 14:03:062747

半導(dǎo)體發(fā)布采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片

半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新一代產(chǎn)品,其集成了兩個(gè)GaN FETs 和驅(qū)動(dòng)器,以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能 ,其適用于手機(jī)移動(dòng)、消費(fèi)和工業(yè)市場(chǎng)中100-300W應(yīng)用。
2022-09-09 14:44:532505

淺談半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)地位的挑戰(zhàn)

2021年,全球半導(dǎo)體銷售總額為5560億美元。半導(dǎo)體設(shè)計(jì),包括物理集成電路和相關(guān)軟件的設(shè)計(jì),約占所有行業(yè)研發(fā)投資和增值總額的一半。
2022-12-02 10:44:05678

半導(dǎo)體完成對(duì)硅控制器公司的收購(gòu)

芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布與廣東希荻微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱希荻)達(dá)成協(xié)議: 半導(dǎo)體以2,000萬(wàn)美元等值的股票獲取希荻控股的硅控制器合資企業(yè)的剩余少數(shù)股權(quán)。 2021年,半導(dǎo)體與希荻成立合資
2023-02-02 16:17:44813

雙碳時(shí)代的芯片可以在氮化鎵

半導(dǎo)體如何在氮化鎵造芯片? 作者丨 周雅 剛剛過(guò)去的10月底,半導(dǎo)體Navitas Semiconductor)成功在納斯達(dá)克上市,上市當(dāng)天企業(yè)價(jià)值10億美元。1個(gè)月后,半導(dǎo)體再進(jìn)
2023-02-21 14:57:110

半導(dǎo)體推出智能GaNFast氮化鎵功率芯片

領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體Navitas Semiconductor)(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣 布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路, 進(jìn)一步提高了半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性,同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:053

半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布旗下
2023-02-28 17:57:131763

半導(dǎo)體即將納入羅素3000?指數(shù)

憑借下一代高成長(zhǎng)性,高功率半導(dǎo)體 氮化鎵和碳化硅,樹立新興市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯,2023年5月15日訊:下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)正式宣布
2023-05-23 14:15:34926

慕尼黑電子展火熱現(xiàn)場(chǎng):GaNFast+GeneSiC全系亮相!

7月11日,備受矚目的慕尼黑上海電子展在國(guó)家會(huì)展中心“四葉草”隆重開幕。本次展示了全部最新GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用demo,由亞太,北美和歐洲團(tuán)隊(duì)共同帶來(lái)的展品系列帶領(lǐng)觀眾走進(jìn)
2023-07-12 15:00:50559

GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

從三星S22到S23,下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布再度
2023-11-03 14:06:311663

半導(dǎo)體斬獲三項(xiàng)功率器件行業(yè)大獎(jiǎng)

近日,半導(dǎo)體在第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”大放異彩,不僅展出了多款大小功率的杰出展品,還發(fā)表了以電動(dòng)汽車充電為主題的重磅演講。更令人矚目的是,半導(dǎo)體憑借其卓越的技術(shù)和產(chǎn)品實(shí)力,一舉斬獲了三項(xiàng)行業(yè)重磅大獎(jiǎng)!
2024-01-03 16:01:541093

適用于超小尺寸半導(dǎo)體芯片的激光加工技術(shù)有哪些?

近年來(lái),隨著科技的不斷發(fā)展,加工技術(shù)逐漸成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要工具。
2024-01-23 10:43:283854

半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌

半導(dǎo)體,作為全球唯一全面專注于下一代功率半導(dǎo)體公司,氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一合作旨在加速全球新能源汽車的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展。
2024-01-30 11:08:201499

半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合打造新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

半導(dǎo)體,作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動(dòng)電動(dòng)汽車電源系統(tǒng)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2024-01-30 11:13:021695

十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

在功率半導(dǎo)體行業(yè),半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,半導(dǎo)體回顧了其一路走來(lái)的輝煌歷程,并對(duì)未來(lái)展望了無(wú)限期待。
2024-02-21 10:50:321467

半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476

半導(dǎo)體攜GaNFas和GeneSi技術(shù)亮相APEC 2024

功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者,半導(dǎo)體在此次展會(huì)上大放異彩,向觀眾展示了其搭載GaNFast?和GeneSiC?技術(shù)的全系列應(yīng)用和解決方案。
2024-03-12 09:30:241123

半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進(jìn),下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升 加利福尼亞州托倫斯2024年3月11日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體
2024-03-13 13:48:331419

半導(dǎo)體發(fā)布最新AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)頭羊,近日公布了其針對(duì)AI人工智能數(shù)據(jù)中心的最新電源技術(shù)路線圖。此舉旨在滿足未來(lái)12至18個(gè)月內(nèi),AI系統(tǒng)功率需求可能呈現(xiàn)高達(dá)3倍的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2024-03-16 09:39:551722

半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展。屆時(shí),半導(dǎo)體將設(shè)立一個(gè)獨(dú)特而富有未來(lái)感的“芯球”展臺(tái),充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術(shù),引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來(lái)世界。
2024-03-16 09:40:581411

半導(dǎo)體聯(lián)手Virtual Forest實(shí)現(xiàn)農(nóng)業(yè)碳凈零

半導(dǎo)體宣布,其先進(jìn)的GaNFast?氮化鎵功率芯片已被Virtual Forest公司采納,該公司是印度市場(chǎng)上消費(fèi)類電器、流體運(yùn)動(dòng)和移動(dòng)領(lǐng)域的佼佼者。此次合作旨在開發(fā)一款零排放、功率強(qiáng)勁的太陽(yáng)能灌溉泵,擁有高達(dá)3匹馬力(2,250W)的出色性能。
2024-05-06 15:32:01845

功率半導(dǎo)體廠商半導(dǎo)體2024年第一季度收入業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)達(dá)73%

1 得益于移動(dòng)快充、AI數(shù)據(jù)中心對(duì)氮化鎵的持續(xù)采用,以及碳化硅在電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長(zhǎng),半導(dǎo)體2024年第一季度收入同比增長(zhǎng)達(dá)73%。 2 全新的GaNSlim技術(shù)將提升氮化鎵基
2024-05-10 18:35:412437

半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024

加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)誠(chéng)邀觀眾參加6月11日-13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“芯球”展臺(tái),
2024-05-24 15:37:331345

半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域,半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171

英特爾CEO誓言?shī)Z回芯片領(lǐng)導(dǎo)地位

英特爾CEO帕特·基辛格近日在采訪中堅(jiān)定表示,公司的首要任務(wù)是奪回芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。近年來(lái),隨著臺(tái)積電和三星電子的崛起,英特爾在全球芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位受到挑戰(zhàn)。
2024-06-07 09:23:121207

半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441716

半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充

加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670

聯(lián)想新品充電器搭載半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片,革新快充體驗(yàn)

在科技日新月異的今天,充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日,半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用,為消費(fèi)者帶來(lái)了前所未有的快充體驗(yàn)。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787

為灣區(qū)強(qiáng)“芯”!廣東半導(dǎo)體加工中試平臺(tái)正式通線

7月11日,凝聚“芯”動(dòng)能,共筑“芯”高地——廣東中科半導(dǎo)體制造技術(shù)研究院(以下簡(jiǎn)稱“廣東院”)半導(dǎo)體加工中試平臺(tái)通線暨項(xiàng)目簽約儀式在佛山南海舉行。會(huì)上,廣東半導(dǎo)體加工中試平臺(tái)
2024-07-12 15:28:331511

半導(dǎo)體發(fā)布全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案

加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日發(fā)布全新CRPS185
2024-07-26 14:15:293244

SK海力士下半年擴(kuò)招加碼,鞏固AI半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍地位

全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大人才招募計(jì)劃,旨在通過(guò)下半年的大規(guī)模新員工及資深行業(yè)人才招聘活動(dòng),進(jìn)一步強(qiáng)化其在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,并積極擁抱人工智能(AI)半導(dǎo)體市場(chǎng)的迅猛增長(zhǎng)浪潮。
2024-09-03 16:08:091781

半導(dǎo)體邀您相約CES 2025

近日, 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 將參加于2025年1月7日-10日在拉
2024-12-09 11:50:311435

半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081235

半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案,預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867

半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381785

半導(dǎo)體2024年第四季度財(cái)務(wù)亮點(diǎn)

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未經(jīng)審計(jì)的第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-02-26 17:05:131250

半導(dǎo)體榮獲威睿公司“優(yōu)秀技術(shù)合作獎(jiǎng)”

近日,威睿電動(dòng)汽車技術(shù)(寧波)有限公司(簡(jiǎn)稱“威睿公司”)2024年度供應(yīng)商伙伴大會(huì)于浙江寧波順利召開。達(dá)斯(無(wú)錫)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“半導(dǎo)體”)憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果,喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎(jiǎng)”。
2025-03-04 09:38:23969

半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996

半導(dǎo)體推出全新SiCPAK功率模塊

半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù),經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證,適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境,重點(diǎn)確??煽啃耘c耐高溫
2025-04-22 17:06:39980

半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025

半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 09:31:571008

全球氮化鎵巨頭半導(dǎo)體更換CEO

半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布一項(xiàng)重要人事任命:董事會(huì)已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官,自2025年9月1日起正式履職。同時(shí),Chris
2025-08-29 15:22:423924

半導(dǎo)體公布2025年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)

加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-11-07 16:46:052452

半導(dǎo)體宣布一系列重要人事任命

近日,半導(dǎo)體宣布了一系列重要人事任命,多名高管的加入將為注入全新動(dòng)力。
2025-11-14 14:11:102167

半導(dǎo)體2.0的轉(zhuǎn)型之路

自我正式擔(dān)任半導(dǎo)體Navitas Semiconductor)首席執(zhí)行官至今,已有 60 天時(shí)間。今天,我們迎來(lái)了關(guān)鍵時(shí)刻:正加速轉(zhuǎn)型,成為一家以高功率為核心、聚焦“從電網(wǎng)到GPU”全鏈路解決方案的功率半導(dǎo)體公司。
2025-11-21 17:05:121217

半導(dǎo)體與格芯達(dá)成戰(zhàn)略合作

格芯(GlobalFoundries,納斯達(dá)克代碼:GFS)與半導(dǎo)體Navitas Semiconductor,納斯達(dá)克代碼:NVTS)今日正式宣布建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同推進(jìn)美國(guó)
2025-11-27 14:30:202044

半導(dǎo)體與文曄科技進(jìn)一步強(qiáng)化戰(zhàn)略合作

加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵(GaN)與GeneSiC碳化硅(SiC)技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)與亞洲分銷巨頭
2025-12-04 15:13:401264

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