和新產(chǎn)品。 ? 本期我們邀請到了深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司市場兼產(chǎn)品FAE王旋，他為我們揭曉了美浦森將要展示的功率器件市場的新動(dòng)向及美浦森的新技術(shù)和產(chǎn)品。 ? 圖：深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司市場兼產(chǎn)品FAE王旋 ? 美浦森是誰？ 根據(jù)王旋
2021-10-17 10:35:12
5259 在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀，以及本次展會展示的特色產(chǎn)品，他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。
2019-12-25 18:20:3314582 雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列
2024-10-22 08:01:582246 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
中國北京2019年7月3日 – 在剛剛過去的PCIM Aisa展會上，泰克展示了功率器件全新測試方案，包括動(dòng)態(tài)特性解決方案、靜態(tài)特性解決方案、系統(tǒng)調(diào)試解決方案，整體解決方案助力工程師系統(tǒng)級優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2019-07-04 08:49:551627 1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
在半導(dǎo)體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準(zhǔn)、高效、可靠的測量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17
在Tech Web的“基礎(chǔ)知識”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是
2018-11-29 14:39:47
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
大陸轉(zhuǎn)移的歷史浪潮之下，半導(dǎo)體材料進(jìn)口替代將成為必然趨勢，國內(nèi)半導(dǎo)體材料研究未來成長空間巨大。泰克產(chǎn)品提供全套的解決方案可供電子測試工程師選擇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國正成為主要承接
2020-05-09 15:22:12
半導(dǎo)體泵浦固體激光器的種類很多，可以是連續(xù)的、脈沖的、調(diào)Q的，以及加倍頻混頻等非線性轉(zhuǎn)換的。工作物質(zhì)的形狀有圓柱和板條狀的。
2020-03-10 09:03:12
的動(dòng)態(tài)特性: 1、器件在不同溫度的特性 2、短路特性和短路關(guān)斷 3.柵極驅(qū)動(dòng)特性 4.關(guān)斷時(shí)過電壓特性 5.二極管回復(fù)特性 6.開關(guān)損耗測試等二、測試平臺搭建 泰克推出了IGBT Town功率器件支持
2021-05-20 11:17:57
。深圳市太古半導(dǎo)體有限公司自公司成立以來，以穩(wěn)定的步伐飛速發(fā)展，成為國內(nèi)電子元器件知名的供應(yīng)商之一。在研發(fā)-生產(chǎn)-銷售的過程中，整合整個(gè)產(chǎn)品鏈上的品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)及流程，建立一整套品質(zhì)保證體系。為滿足客戶及時(shí)
2015-11-19 12:56:10
美信半導(dǎo)體：美信半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造供應(yīng)商，Maxim的電能計(jì)量方案提供全面的SoC器件選擇， 是多芯片方案的高精度、高性價(jià)比替代產(chǎn)品。 無與倫比的動(dòng)態(tài)范圍和獨(dú)特的32位可編程測量引擎，使
2011-08-25 10:03:05
器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導(dǎo)體分立器件測試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)體核心功率轉(zhuǎn)換元件
2025-10-10 10:35:17
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
的低電感封裝具有出色的開關(guān)特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競爭中脫穎而出?！薄 ∈袌鲅芯繖C(jī)構(gòu)Technavio指出，面向全球半導(dǎo)體應(yīng)用的SiC市場預(yù)計(jì)在2021年前達(dá)到大約
2018-10-23 16:22:24
深圳市三佛科技有限公司介紹SLD60N02T ： 60A 20VTO-252N溝道 MOS場效應(yīng)管
品牌：美浦森
型號：SLD60N02T
VDS：20V
IDS ：60A
封裝:TO-252
2024-04-26 14:37:50
在研究雷達(dá)探測整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為
2019-02-26 17:04:37
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
主要代理國產(chǎn)品牌一些半導(dǎo)體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明：門級驅(qū)動(dòng)，隔離非隔離驅(qū)動(dòng)杰華特宇力：MCU3PAK :運(yùn)放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅(qū)動(dòng)還有TI的一些物料 等等需要的各位領(lǐng)導(dǎo)歡迎前來采購、v15375195257（同電話）。
2021-09-06 09:18:29
主要代理國產(chǎn)品牌一些半導(dǎo)體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明：門級驅(qū)動(dòng)，隔離非隔離驅(qū)動(dòng)杰華特宇力：MCU3PAK :運(yùn)放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅(qū)動(dòng)還有TI的一些物料 等等詳情請聯(lián)系***（同wx）
2021-09-06 09:21:21
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
測試對測 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。半導(dǎo)體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利
2019-10-08 15:41:37
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
反饋模式，無需次級反饋電路，也無需補(bǔ)償電路，加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù)，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡單，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬松的條件下實(shí)現(xiàn)高精度恒流控制，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在
2022-02-17 15:42:55
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
擴(kuò)展和維護(hù)。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣，系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計(jì)且功能豐富，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí)，可以快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測試需求。
系統(tǒng)優(yōu)勢
高溫高壓高精度：dv/dt>
2024-10-17 17:09:08
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
如果請您還在為芯片缺貨而擔(dān)心如果您還在為買到假貨而擔(dān)心如果您還在為原料的缺失而擔(dān)心都可以來找我哦本人公司，從事半導(dǎo)體芯片的銷售我們公司主要代理國產(chǎn)品牌一些半導(dǎo)體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明
2021-09-06 09:33:04
領(lǐng)泰 / LEADTECK領(lǐng)泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司由一級代理提供技術(shù)支持領(lǐng)泰 / LEADTECK領(lǐng)泰半導(dǎo)體（深圳）有
關(guān)于領(lǐng)泰 / LEADTECK
領(lǐng)泰是一家專業(yè)的功率器件設(shè)計(jì)公司，從事功率
2024-11-03 14:20:38
光隔離探頭在SiC MOSFET測試中的應(yīng)用不僅解決了單點(diǎn)測量難題，更通過高精度數(shù)據(jù)鏈打通了“芯片設(shè)計(jì)-封裝-系統(tǒng)應(yīng)用”全環(huán)節(jié)，成為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵使能技術(shù)。其價(jià)值已超越傳統(tǒng)測試工具范疇，向
2025-04-08 16:00:57
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V
2024-07-30 08:56:15
半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V
2024-07-30 09:01:22
產(chǎn)品介紹 HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數(shù)測試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件
2024-09-09 13:46:47
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432709 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412107 
安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:236393 吉時(shí)利8010型大功率器件測試夾具與2651A以及2657A型大功率系統(tǒng)數(shù)字源表一起完善了功率半導(dǎo)體器件測試解決方案。圖1給出源測量單元（SMU）儀器與8010型夾具的連接圖。在8010型互連參考指南（IRG）中給出詳細(xì)的器件測試配置實(shí)例。
2020-08-21 13:49:313468 
工程師的噩夢。 結(jié)合泰克新一代示波器，泰克針對性地推出帶寬 1Ghz、2500V 差模、120dB 共模抑制比的全面光隔離探頭，提供系統(tǒng)優(yōu)異的抗干擾能力，幫助工程師進(jìn)行第三代半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級優(yōu)化設(shè)計(jì)。工程師在設(shè)計(jì)電源產(chǎn)品時(shí)，優(yōu)化上下管的驅(qū)動(dòng)條件，從
2020-10-30 03:52:111116 泰克光電將在2020年12月8-10日在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的深圳國際半導(dǎo)體展會上推出系列新設(shè)備產(chǎn)品展示 展位號：2號館 A285 敬請期待 深圳市泰克光電科技有限公司成立于2012年
2020-11-20 12:04:452290 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 揭曉部分新技術(shù)和新產(chǎn)品。 本期我們邀請到了深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司市場兼產(chǎn)品FAE王旋，他為我們揭曉了美浦森將要展示的功率器件市場的新動(dòng)向及美浦森的新技術(shù)和產(chǎn)品。 美浦森是誰？ 根據(jù)王旋的介紹，美浦森是一家功率器件涉及公司
2021-10-25 11:01:122448 泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試 功率器件如場效應(yīng)晶體管和絕緣門雙極晶體管，這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其第三代半導(dǎo)體Sic和GaN的快速發(fā)展
2021-12-07 11:37:241022 企業(yè)級第三代半導(dǎo)體功率器件測試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室。開放實(shí)驗(yàn)室以泰克測試設(shè)備為核心，結(jié)合泰克在全球三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，與國內(nèi)一線方案合作伙伴共同打造，致力于加速中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展、工藝優(yōu)化、良率提升，讓工程師的工作更高效更有信心。 應(yīng)對易變性未來，支持本
2022-09-26 09:48:54809 
泰克科技在北京成立【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室】（TEK Advance Semiconductor Open Lab），并邀請嘉賓一起見證啟動(dòng)開幕，這是全國首個(gè)企業(yè)級第三代半導(dǎo)體功率器件測試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室。
2022-09-26 14:30:341591 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102963 參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器
件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 EN-6500A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試的專用設(shè)備，通過使用更換不同的測試工裝可
以對不同封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行非破壞性瞬態(tài)測試
2023-02-16 15:38:103 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:255 瑞森半導(dǎo)體功率器件在九陽Z2-Vmini 榨汁機(jī)上的應(yīng)用
2023-03-09 14:44:41748 
瑞森半導(dǎo)體的超結(jié)MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠邀咨詢
2023-04-17 17:56:301090 
泰克科技（中國）有限公司和矽電半導(dǎo)體設(shè)備（深圳）股份有限公司戰(zhàn)略合作發(fā)布會在深圳創(chuàng)投大廈矽電總部召開，同一時(shí)間，泰克（中國）和矽電半導(dǎo)體宣布測試測量聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式成立。
2023-06-16 10:09:383242 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 構(gòu)筑國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體功率器件測試驗(yàn)證的能力基石 ?泰克科技? 泰克科技（中國）有限公司和矽電半導(dǎo)體設(shè)備（深圳）股份有限公司戰(zhàn)略合作發(fā)布會在深圳創(chuàng)投大廈矽電總部召開
2023-06-16 12:15:041432 
美浦森半導(dǎo)體成立于2014年，總部位于深圳市南山區(qū)，在深圳，上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司，國家級高新企業(yè)。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應(yīng)管（低壓到高壓
2022-05-06 15:26:162172 
美浦森半導(dǎo)體成立于2014年，總部位于深圳市南山區(qū)，在深圳，上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司，國家級高新企業(yè)。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應(yīng)管（低壓到高壓
2022-05-06 15:24:291267 
美浦森半導(dǎo)體成立于2014年，總部位于深圳市南山區(qū)，在深圳，上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司，國家級高新企業(yè)。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應(yīng)管（低壓到高壓
2022-05-06 15:24:12796 美浦森半導(dǎo)體成立于2014年，總部位于深圳市南山區(qū)，在深圳，上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司，國家級高新企業(yè)。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應(yīng)管（低壓到高壓
2022-04-29 14:26:251185 
美浦森超結(jié)MOS在照明電源中的應(yīng)用芯晶圖電子潘17633824194隨著電源技術(shù)和功率器件以及通信技術(shù)的發(fā)展，目前的照明產(chǎn)品越來越趨向于智能化，小型化。對電源的體積和功率密度的要求也越來越高。因此
2022-04-29 16:27:012983 
2021-01-15美浦森半導(dǎo)體DFN8*8封裝外形產(chǎn)品上線隨著半導(dǎo)體技術(shù)快速的發(fā)展，5G時(shí)代的到來，各類現(xiàn)代化產(chǎn)品不斷向著高壓、大電流、高功率、高頻率的方向發(fā)展；小體積，低能耗，高效率的產(chǎn)品外形
2022-04-29 16:26:105559 
拆解報(bào)告 ：瑞森半導(dǎo)體功率器件在九陽Z2-Vmini 榨汁機(jī)上的應(yīng)用
2023-03-10 14:13:041589 
瑞森半導(dǎo)體的超結(jié)MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠邀咨詢
2023-04-18 10:21:551331 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學(xué)習(xí)） GaN HEMT功率器件實(shí)測及其測試注意事項(xiàng)。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:022345 
。面對新材料、新器件和新特性在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和使用中的全新挑戰(zhàn)， 泰克結(jié)合多年在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的豐富經(jīng)驗(yàn)和領(lǐng)先的功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)為客戶提供支持服務(wù) ，同時(shí)在北京成立第三代半導(dǎo)體測試實(shí)驗(yàn)室，幫助行業(yè)內(nèi)客戶、合作
2023-09-04 12:20:011008 半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測試參數(shù)是指在交流條件下對器件進(jìn)行測試，是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動(dòng)態(tài)測試參數(shù)主要有開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:381135 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492169 
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:302069 瑞森半導(dǎo)體副總-龍立博士，慕尼黑華南電子展主題演講，聚焦光伏/風(fēng)能發(fā)電儲能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車及充電樁等領(lǐng)域
2023-11-01 10:40:43617 
瑞森半導(dǎo)體副總-龍立博士，慕尼黑華南電子展主題演講，聚焦光伏/風(fēng)能發(fā)電儲能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車及充電樁等領(lǐng)域
2023-11-01 11:09:021220 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
Strategy Analytics， 功率半導(dǎo)體在汽車半導(dǎo)體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動(dòng)車的55% ，躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件。 應(yīng)對SiC帶來的測試驗(yàn)證挑戰(zhàn) 同其他車用電子零部件一樣，車規(guī)級功率半導(dǎo)體也須通過AEC-Q100認(rèn)證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項(xiàng)測試
2023-11-17 16:00:011082 12月27日，浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工線項(xiàng)目正式通線投產(chǎn)。
2023-12-29 10:20:371581 第三代SiC功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測試系統(tǒng)KC-3105。該系統(tǒng)憑借高效精準(zhǔn)、可靈活定制、實(shí)時(shí)保存測試結(jié)果并生成報(bào)告、安全防護(hù)等優(yōu)秀性能。嚴(yán)格遵循《AQG 324機(jī)動(dòng)車輛電力電子轉(zhuǎn)換器單元用功率模塊
2024-04-23 14:37:266 創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室V2.0設(shè)備再更新、能力再升級； 助力產(chǎn)業(yè)升級，主打 開放性，先進(jìn)性，本地化 協(xié)作共贏； 線上線下多元化互動(dòng)，直擊測試痛點(diǎn)。 泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室，作為北京先進(jìn)半導(dǎo)體測試領(lǐng)域的領(lǐng)軍者
2024-05-16 17:14:30591 
創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室V2.0設(shè)備再更新、能力再升級； 助力產(chǎn)業(yè)升級，主打開放性，先進(jìn)性，本地化協(xié)作共贏； 線上線下多元化互動(dòng)，直擊測試痛點(diǎn)。 2024年5月16日，中國北京?—— 泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室
2024-05-22 17:52:111133 
，美浦森半導(dǎo)體借此盛會，隆重推出了其一系列革命性的超高壓功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，不僅彰顯了企業(yè)實(shí)力，更為行業(yè)發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
2024-07-08 14:16:151266 水壓伺服閥作為現(xiàn)代液壓系統(tǒng)中不可或缺的控制元件，其動(dòng)態(tài)性能對系統(tǒng)穩(wěn)定性、響應(yīng)速度和控制精度至關(guān)重要。為了準(zhǔn)確評估水壓伺服閥的動(dòng)態(tài)性能，需要借助專業(yè)的測試設(shè)備進(jìn)行測試。泰克信號發(fā)生器憑借其強(qiáng)大的波形
2024-08-30 15:37:54882 
測試領(lǐng)域。本文將重點(diǎn)介紹泰克信號發(fā)生器在半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用，包括信號發(fā)生器的基本原理。 信號發(fā)生器的基本原理 信號發(fā)生器是一種能夠產(chǎn)生各種類型和頻率的電信號的電子設(shè)備。信號發(fā)生器通常由振蕩器、放大器和信號處理
2024-10-22 16:58:44852 
樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證
2024-12-23 17:31:081709 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481329 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展，雙方共同對遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測試與評估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體
2025-01-20 11:07:33962 SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37768 隨著第三代半導(dǎo)體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其動(dòng)態(tài)特性的精準(zhǔn)測量成為保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專業(yè)的分析功能，為SiC器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試
2025-10-17 11:42:14231 
隨著新能源汽車、光伏儲能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372315 
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