Yole Developpement在一系列的MEMS技術(shù)中列出數(shù)種可望在未來幾年嶄露頭角的技術(shù)，包括：硅穿孔、室溫接合、薄膜PZT、暫時(shí)性接合、Cavity SOI、CMOS MEMS。其他的MEMS 技術(shù)（如金接合），亦可能廣泛運(yùn)用于縮減芯片尺寸且同時(shí)維持晶圓級(jí)封裝的高度密封性。
2013-03-29 09:25:52
1610 
本文將從MEMS傳感器晶圓級(jí)測(cè)試與成品級(jí)測(cè)試這兩個(gè)層面，淺析了目前現(xiàn)狀及問題，提出了一些有待商榷的解決辦法。
2016-10-25 11:23:587264 
技術(shù)成為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能、帶寬和功耗等方面指標(biāo)提升的重要備選方案之一。對(duì)目前已有的晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)及其封裝過程進(jìn)行了詳細(xì)介紹; 并對(duì)封裝過程中的兩項(xiàng)關(guān)鍵工藝，硅通孔工藝和晶圓鍵合與解鍵合工藝進(jìn)行了分析
2022-09-13 11:13:056190 WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging)即晶圓級(jí)芯片封裝方式，不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測(cè)，而封裝后至少增加原芯片20%的體積)，此種最新技術(shù)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試，然后才切割成一個(gè)個(gè)的IC顆粒，因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。
2023-11-06 11:02:075143 
介紹了晶圓級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-Out WLCSP
2023-11-08 09:20:1911649 
隨著晶圓級(jí)封裝技術(shù)的不斷提升，眾多芯片設(shè)計(jì)及封測(cè)公司開始思考并嘗試采用晶圓級(jí)封裝技術(shù)替代傳統(tǒng)封裝。其中HRP（Heat?Re-distribution?Packaging）晶圓級(jí)先進(jìn)封裝工藝技術(shù)
2023-11-30 09:23:243833 
我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Package，WLP）。
2025-05-14 10:32:301534 
晶圓級(jí)扇出封裝（FO-WLP）通過環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）擴(kuò)展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I/O密度限制，但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2025-06-05 16:25:572151 
具有代表性的技術(shù)包括晶圓級(jí)封裝（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板等，潛藏著新的商機(jī)。
2011-08-28 12:17:464724 
結(jié)構(gòu)材料，而不是使用基材本身。[23]表面微機(jī)械加工創(chuàng)建于1980年代后期，旨在使硅的微機(jī)械加工與平面集成電路技術(shù)更加兼容，其目標(biāo)是在同一硅晶片上結(jié)合MEMS和集成電路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅
2021-01-05 10:33:12
MEMS器件有時(shí)也采用晶圓級(jí)封裝，并用保護(hù)帽把MEMS密封起來，實(shí)現(xiàn)與外部環(huán)境的隔離或在下次封裝前對(duì)MEMS器件提供移動(dòng)保護(hù)。這項(xiàng)技術(shù)常常用于慣性芯片的封裝，如陀螺儀和加速度計(jì)。這樣的封裝步驟是在MEMS
2010-12-29 15:44:12
上述步驟制成。利用金線焊接將MEMS芯片連接到一個(gè)金屬引線框，然后封裝到塑料四方扁平無引線(QFN)封裝中以便能輕松表貼在PCB上。芯片并不局限于任何一種封裝技術(shù)。這是因?yàn)橐粋€(gè)高電阻率硅帽(4)被焊接
2018-10-17 10:52:05
模塑技術(shù)就可以制成。加速/減速計(jì)是少數(shù)幾種可以完全密封的MEMS產(chǎn)品之一，因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)狀態(tài)檢測(cè)并不需要開口，而且封裝不能影響機(jī)械的運(yùn)動(dòng)，封裝的內(nèi)部應(yīng)力也必須很低，即使封裝存在有應(yīng)力也必須是可以估測(cè)的，以便
2014-08-19 15:50:19
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
近幾年，硅光芯片被廣為提及，從概念到產(chǎn)品，它的發(fā)展速度讓人驚嘆。硅光芯片作為硅光子技術(shù)中的一種，有著非?？捎^的前景，尤其是在5G商用來臨之際，企業(yè)紛紛加大投入，搶占市場(chǎng)先機(jī)。硅光芯片的前景真的像人們
2020-11-04 07:49:15
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝; 49 bumps; 3.29×3.29×0.54mm（包括背面涂層）
2022-12-06 06:06:48
概述： SiFotonics具有世界領(lǐng)先的高速Ge/Si接收芯片成熟解決方案，可提供10G以上高靈敏度PD、APD以及Array芯片，具有以下優(yōu)勢(shì)： 1、可非氣密封裝，不懼水汽，大幅降低封裝
2020-07-03 17:20:52
兩顆芯片；一為全硅 MEMS諧振器，一為具溫補(bǔ)功能之啟動(dòng)電路暨鎖相環(huán) CMOS 芯片；利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片 M CM封裝方式完成。2. SITIME全硅）MEMS制程，采全自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造流程
2011-07-26 14:42:54
諧振器，一為具溫補(bǔ)功能之啟動(dòng)電路暨鎖相環(huán) CMOS 芯片；利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片 M CM封裝方式完成。2. SITIME全硅）MEMS制程，采全自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造流程；與生產(chǎn)線上人工素質(zhì)無關(guān)。如所有今日
2011-07-20 09:47:26
性能和增加功能的同時(shí)還能達(dá)到減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗和制作成本的要求。要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的晶圓級(jí)封裝開發(fā)目標(biāo)需要完成下列幾項(xiàng)主要任務(wù)：? 采用薄膜聚合物淀積技術(shù)達(dá)到嵌入器件和無源元件的目的? 晶圓級(jí)組裝-從芯片
2011-12-02 11:55:33
`晶圓級(jí)封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有密閉空腔的保護(hù)
2011-12-01 13:58:36
技術(shù)有多挑戰(zhàn)呢？就讓歐時(shí)帶大家走看看一塊芯片的旅程吧！ 高達(dá)11個(gè)“9”的純度芯片的原料是硅，也就是類似砂子的材質(zhì)。半導(dǎo)體原材料粗硅的純度是98%，但是芯片對(duì)硅晶圓純度的要求卻高達(dá)99.9999999
2018-06-10 19:53:50
，MEMS 振蕩器制造商使用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體批量模式技術(shù)。 這包括諧振器和振蕩器 IC 的晶圓級(jí)生產(chǎn)，以及使用塑料封裝與標(biāo)準(zhǔn)引線框架進(jìn)行芯片鍵合。 SiTIme MEMS 諧振器芯片由純硅的單一機(jī)械結(jié)構(gòu)制成
2021-11-12 08:00:00
1 引言 半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步大大提高了芯片晶體管數(shù)量和功能,這一集成規(guī)模在幾年前是無法想象的。因此,如果沒有IC封裝技術(shù)快速的發(fā)展，不可能實(shí)現(xiàn)便攜式電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。在消費(fèi)類產(chǎn)品小型化和更輕、更薄
2018-08-27 15:45:31
`MEMS全稱Micro Electromechanical System（微機(jī)電系統(tǒng)），是一種通常在硅晶圓上以IC工藝制備的微機(jī)電系統(tǒng)，微機(jī)械結(jié)構(gòu)的制備工藝包括光刻、離子束刻蝕、化學(xué)腐蝕、晶片鍵合
2020-05-12 17:27:14
的硅光集成平臺(tái)，該平臺(tái)適用數(shù)據(jù)中心，甚至是國(guó)內(nèi)比較火熱的接入網(wǎng)。這個(gè)平臺(tái)有兩個(gè)核心技術(shù)，一個(gè)是非氣密性封裝，一個(gè)是無源耦合。這是目前光通信行業(yè)最頭疼的兩個(gè)問題。該平臺(tái)的應(yīng)用，可以讓模塊廠家和封裝廠家降低
2017-10-17 14:52:31
，已基本建立起自己的封裝體系?，F(xiàn)在人們通常將MEMS封裝分為以下幾個(gè)層次：即裸片級(jí)封裝（Die Level）、器件級(jí)封裝（Device Level）、硅圓片級(jí)封裝（Wafer Lever
2018-12-04 15:10:10
，并利用了MEMS技術(shù)的小型化、多重性、微電子性，實(shí)現(xiàn)了光器件與電器件的無縫集成。簡(jiǎn)單地說，MOEMS就是對(duì)系統(tǒng)級(jí)芯片的進(jìn)一步集成。與大規(guī)模光機(jī)械器件相比，MOEMS器件更小、更輕、更快速(有更高的諧振
2018-08-30 10:14:47
固態(tài)圖像傳感器要求在環(huán)境大氣中得到有效防護(hù)。第一代圖像傳感器安裝在帶玻璃蓋的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝中。這種技術(shù)能使裸片得到很好的密封和異常堅(jiān)固的保護(hù)，但體積比較龐大，制造成本也比較高。引入晶圓級(jí)封裝后
2018-12-03 10:19:27
有人又將其稱為圓片級(jí)-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對(duì)象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起，以達(dá)到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
晶圓級(jí)封裝技術(shù)Wafer Level Package Technology Board Mounting Application Note for 0.800mm pitch
2009-06-12 23:57:22
晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動(dòng)。1964年，美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓級(jí)封裝類型及涉及的產(chǎn)品
2015-07-11 18:21:31
晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
?！ ‰S著越來越多晶圓焊凸專業(yè)廠家將焊膏印刷工藝用于WLP封裝，批量壓印技術(shù)開始在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域中廣泛普及。然而，大型EMS企業(yè)也走進(jìn)了WLP領(lǐng)域。封裝和板卡之間的邊界，以及封裝與組裝工藝之間的邊界日漸模糊，迫使企業(yè)必須具備晶圓級(jí)和芯片級(jí)工藝技術(shù)來為客戶服務(wù)`
2011-12-01 14:33:02
，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會(huì)聽到幾寸的晶圓廠，如果硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多
2011-09-07 10:42:07
）的成本占光模塊成本的60%以上，加之光芯片降成本的空間越來越小，最有可能降低成本的是封裝成本。在保證光模塊性能及可靠性的同時(shí)，推動(dòng)封裝技術(shù)從比較昂貴的氣密封裝走向低成本的非氣密封裝成為必須。非氣密封裝
2018-06-14 15:52:14
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一，高密度扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
朝著超小型的方向發(fā)展，出現(xiàn)了與芯片尺寸大小相同的超小型封裝形式--圓晶級(jí)封裝技術(shù)(WLP)。 ●電子封裝技術(shù)從二維向三維方向發(fā)展，不僅出現(xiàn)3D-MCM，也出現(xiàn)了3D-SIP等封裝形式。 ●電子封裝技術(shù)
2018-08-23 12:47:17
的機(jī)械對(duì)準(zhǔn)過程，又可確保高達(dá)80%的光耦 合效率和無與倫比的器件一致性。自對(duì)準(zhǔn)蝕刻面技術(shù)工藝過程與CFT激光器相比，EFT激光器還具有影響硅光子集成電路尺寸和成本的其它優(yōu)勢(shì)。CFT激光器需要通過氣密封裝
2017-10-24 18:13:14
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
輕便，密封穩(wěn)定無泄漏。突破性技術(shù)：采用高分子鑲嵌爪牙，保證密封連接效果的同時(shí)，避免對(duì)產(chǎn)品表面造成劃痕?？焖?b class="flag-6" style="color: red">密封接頭使用現(xiàn)場(chǎng)通過格雷希爾GripSeal 外包無損快速密封接頭G70P系列的應(yīng)用，就算
2023-01-10 11:24:51
圖像傳感器最初采用的是全密封、獨(dú)立封裝，但現(xiàn)在大部分已被晶圓級(jí)封裝所替代。晶圓級(jí)封裝有了很大的發(fā)展，已經(jīng)完全可以滿足市場(chǎng)對(duì)更薄、更便宜和更可靠封裝的圖像傳感器的要求。最新一代的技術(shù)可以提供低成本、芯片級(jí)的解決方案，總厚度小于500μm，完全能夠滿足嚴(yán)格的汽車可靠性標(biāo)準(zhǔn)要求。:
2018-10-30 17:14:24
不同的封裝。 陶瓷面封裝的產(chǎn)品具備的優(yōu)點(diǎn)：1、耐濕性好，不易產(chǎn)生微裂現(xiàn)象；2、熱沖擊實(shí)驗(yàn)和溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn)后不產(chǎn)生損傷，機(jī)械強(qiáng)度高；3、熱膨脹系數(shù)小，熱導(dǎo)率高；4、絕緣性和氣密性好，芯片和電路不受周圍環(huán)境
2016-01-18 17:57:23
與技術(shù)、陶瓷封裝、塑料封裝、氣密性封裝、封裝可靠性工程、封裝過程中的缺陷分析和先進(jìn)封裝技術(shù)。第1章 集成電路芯片封裝概述 第2章 封裝工藝流程 第3章 厚/薄膜技術(shù) 第4章 焊接材料 第5
2012-01-13 13:59:52
介紹了微機(jī)電(MEMS)封裝技術(shù),包括晶片級(jí)封裝、單芯片封裝和多芯片封裝、模塊式封裝與倒裝焊3種很有前景的封裝技術(shù)。指出了MEMS封裝的幾個(gè)可靠性問題,最后,對(duì)MEMS封裝的發(fā)展趨勢(shì)
2009-12-29 23:58:16
45 MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密機(jī)械加工等多種加工技術(shù),并應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)構(gòu)成的微型系統(tǒng).
2010-11-15 20:23:0256 在半導(dǎo)體制造流程中，單片晶圓清洗機(jī)是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著制程節(jié)點(diǎn)邁向納米級(jí)（如3nm及以下），清洗工藝的精度、純凈度與效率面臨更高挑戰(zhàn)。本文將從技術(shù)原理、核心功能、設(shè)備分類及應(yīng)用場(chǎng)景等
2025-05-12 09:29:48
市場(chǎng)分析：MEMS封裝朝向晶圓級(jí)發(fā)展
傳統(tǒng)的MEMS長(zhǎng)期依賴陶瓷封裝，雖然行之有效，但MEMS產(chǎn)業(yè)已經(jīng)醞釀向晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù)轉(zhuǎn)變，而這一轉(zhuǎn)變的部分驅(qū)動(dòng)力則來自于
2009-12-28 10:27:25987 晶圓級(jí)封裝產(chǎn)業(yè)(WLP),晶圓級(jí)封裝產(chǎn)業(yè)(WLP)是什么意思
一、晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging)簡(jiǎn)介 晶圓級(jí)封裝(WLP，Wafer Level Package) 的一般定
2010-03-04 11:35:0146790 對(duì)基于BCB的圓片級(jí)封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計(jì)傳感器封裝的發(fā)展趨勢(shì)，是MEMS加速度計(jì)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn)，解決了
2012-09-21 17:14:240 石英振蕩器與硅基MEMS技術(shù)（硅晶圓級(jí)封裝技術(shù)）結(jié)合的時(shí)鐘器件，該方案利用硅基MEMS技術(shù)真空封裝石英振蕩器。
2013-02-25 14:52:361662 
本文提出了一種基于MEMS工藝的LED芯片封裝技術(shù)，利用Tracepro軟件仿真分析了反射腔的結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)LED光強(qiáng)的影響，通過分析指出。利用各向異性腐蝕硅形成的角度作為反射腔的反射角，可以改善LED
2018-06-15 14:28:002221 
大港股份發(fā)布公告稱，公司子公司蘇州科陽擬使用自籌資金在原有產(chǎn)線上增加設(shè)備的方式擴(kuò)充8吋CIS芯片晶圓級(jí)封裝產(chǎn)能，預(yù)計(jì)總投資1.3億元，產(chǎn)能擴(kuò)充分兩期實(shí)施，其中首期新增產(chǎn)能3000片/月。
2019-12-12 14:07:137275 即將于本周舉行線上法人說明會(huì)的晶圓代工龍頭臺(tái)積電，在日前繳出2020年3月營(yíng)收創(chuàng)下歷史單月新高，累計(jì)首季營(yíng)收將能優(yōu)于預(yù)期的亮麗成績(jī)之后，現(xiàn)在又傳出在晶圓級(jí)封裝技術(shù)上再有新的突破，也就是針對(duì)高效能運(yùn)算
2020-04-13 16:11:4725287 在整個(gè)MEMS生態(tài)系統(tǒng)中，MEMS封裝發(fā)展迅速，晶圓級(jí)和3D集成越來越重要。
2020-07-21 11:09:222187 。工業(yè)級(jí)和商業(yè)級(jí)器件通常采用塑封工藝，沒有空腔，芯片是被聚合材料整個(gè)包裹住，屬于非氣密封裝。 總體上，氣密封裝元器件可靠性要比非氣密封裝高一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，氣密封裝元器件一般按軍標(biāo)、宇航標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格控制設(shè)計(jì)、生產(chǎn)
2020-09-11 11:11:287654 在談到可穿戴技術(shù)的未來時(shí)，清楚地表明了可穿戴技術(shù)創(chuàng)新的未來進(jìn)程。響亮而明確的是，要想成功，可穿戴電子產(chǎn)品必須小而又要保持性能。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子本文主要講解SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求。
2020-09-18 16:36:091594 為了適應(yīng)MEMS技術(shù)的發(fā)展，人們開發(fā)了許多新的MEMS封裝技術(shù)和工藝，如陽極鍵合，硅熔融鍵合、共晶鍵合等，已基本建立起自己的封裝體系?，F(xiàn)在人們通常將MEMS封裝分為四個(gè)層次：即裸片級(jí)封裝（Die
2020-09-28 16:34:032917 作為華天集團(tuán)晶圓級(jí)先進(jìn)封裝基地，華天昆山2008年6月落戶昆山開發(fā)區(qū)，研發(fā)的晶圓級(jí)傳感器封裝技術(shù)、扇出型封裝技術(shù)、超薄超小型晶圓級(jí)封裝、晶圓級(jí)無源器件制造技術(shù)目前已達(dá)到世界領(lǐng)先水平。
2021-01-09 10:16:095508 AN-617：MicroCSP圓片級(jí)芯片規(guī)模封裝
2021-04-16 13:03:0512 ）組合的
封裝部件，其范圍從幾毫米到幾分之一毫米。
MEMS振蕩器
硅晶振通常由堆疊在
硅混合信號(hào)IC上的
MEMS諧振器組成。由于
MEMS硅晶振的主要元件是
硅，因此可以應(yīng)用先進(jìn)的半導(dǎo)體
封裝技術(shù)，如晶
圓級(jí)芯片級(jí)封裝（WL-CSP），從而創(chuàng)建一個(gè)與
硅芯片大小相當(dāng)?shù)恼袷幤鳌?/div>
2021-10-27 17:00:131904 東莞普萊信智能發(fā)布亞微米級(jí)固晶機(jī)DA403，貼裝精度達(dá)到0.3μm@3σ，采用高精度光學(xué)多次校準(zhǔn)，適用于8英吋及以下晶圓級(jí)封裝，廣泛應(yīng)用于硅光、光器件、晶圓級(jí)封裝等亞微米級(jí)封裝領(lǐng)域，該設(shè)備打破國(guó)際
2021-12-09 09:49:162501 在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個(gè)芯片，然后再進(jìn)行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級(jí)封裝是在芯片還在晶圓上的時(shí)候就對(duì)芯片進(jìn)行封裝，保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個(gè)芯片。
2022-04-06 15:24:1912071 許多MEMS器件需要保護(hù)，以免受到外部環(huán)境的影響，或者只能在受控氣氛或真空下運(yùn)行。當(dāng)今MEMS器件與CMOS芯片的高度集成，還需要專門用于MEMS器件的先進(jìn)晶圓級(jí)封裝解決方案。
2022-07-15 12:36:015041 
電學(xué)：硅光芯片和兩個(gè)淺藍(lán)色的模擬電芯片的電信號(hào)連接內(nèi)容，需要3D堆疊封裝，與高頻信號(hào)損耗有關(guān)。
2022-09-01 10:44:547090 
芯片封裝技術(shù)的關(guān)鍵之一。所謂氣密性封裝是指完全能夠防止污染物（液體或固體）的侵入和腐蝕的封裝。 集成電路密封是為了保護(hù)器件不受環(huán)境影響（外部沖擊、熱及水）而能長(zhǎng)期可靠工作，所以對(duì)集成電路封裝的要求有以下幾點(diǎn)：
2023-02-23 09:58:2012070 
隨著超高密度多芯片模組（Multiple Chip Module，MCM）乃至系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）產(chǎn)品在5G、AI、高性能運(yùn)算、汽車自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域的普及，2.5D 和 3D 晶圓級(jí)封裝技術(shù)備受設(shè)計(jì)人員青睞。
2023-02-24 09:38:081723 晶圓級(jí)芯片尺寸封裝-AN10439
2023-03-03 19:57:275 圓片級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）是指在圓片狀態(tài)下完成再布線，凸點(diǎn)下金屬和焊錫球的制備，以及圓片級(jí)的探針測(cè)試，然后再將圓片進(jìn)行背面研磨減薄
2023-05-06 09:06:414461 
一片晶圓可以產(chǎn)出多少芯片？第97期芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過程，在空白的硅片完成電路加工，出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測(cè)試過程，在封測(cè)廠中將
2023-05-30 17:15:039670 
晶圓級(jí)封裝是在整個(gè)晶圓（wafer）的級(jí)別上進(jìn)行封裝，而普通封裝是在單個(gè)芯片級(jí)別上進(jìn)行封裝。晶圓級(jí)封裝通常在晶圓制造完成后，將多個(gè)芯片同時(shí)封裝在同一個(gè)晶圓上，形成多個(gè)封裝單元。相比之下，普通封裝將單個(gè)芯片分別封裝在獨(dú)立的封裝器件上。
2023-08-30 16:44:575859 “硅光芯片并非取代傳統(tǒng)的集成電路技術(shù)，而是在后摩爾時(shí)代，幫助集成電路擴(kuò)充其技術(shù)功能。此外，由于硅光芯片是基于硅晶圓開發(fā)出的光子集成芯片，因此硅光芯片所需的制造設(shè)備和技術(shù)與傳統(tǒng)集成電路基本一致，技術(shù)遷移成本較低，這也成為了硅光芯片得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)?！崩钪救A說。
2023-10-08 11:40:282437 
圓級(jí)封裝(WLP)技術(shù)的發(fā)展。接下來討論了使用晶圓級(jí)封裝器件的實(shí)際方面。討論的主題包括：確定給定器件的倒裝芯片/UCSP封裝的可用性；通過其標(biāo)記識(shí)別倒裝芯片/UCSP；圓片級(jí)封裝件的可靠性；尋找適用的可靠性信息。
2023-10-16 15:02:472019 晶圓級(jí)封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級(jí)封裝分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-Out WLCSP），其特點(diǎn)是在整個(gè)封裝過程中，晶圓始終保持完整。
2023-10-18 09:31:054921 
扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠利用高密度布線制造工藝，形成功率損耗更低、功能性更強(qiáng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，讓系統(tǒng)級(jí)封裝（System in a Package, SiP）和3D芯片封裝更愿意采用扇出型晶圓級(jí)封裝工藝。
2023-10-25 15:16:142051 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《太陽能電池晶體硅光伏組件封裝淺析(工藝控制篇).doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 10:21:413 近年來，隨著晶圓級(jí)封裝技術(shù)的不斷提升，眾多芯片設(shè)計(jì)及封測(cè)公司開始思考并嘗試采用晶圓級(jí)封裝技術(shù)替代傳統(tǒng)封裝。其中HRP(Heat Re-distribution Packaging)晶圓級(jí)先進(jìn)封裝工藝技術(shù)
2023-11-18 15:26:580 【科普】什么是晶圓級(jí)封裝
2023-12-07 11:34:012771 
半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步大大提高了芯片晶體管數(shù)量和功能, 這一集成規(guī)模在幾年前是無法想象的。
2023-12-11 18:15:231643 
分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-Out WLCSP），其特點(diǎn)是在整個(gè)封裝過程中，晶
2024-03-05 08:42:133555 
據(jù)浦口經(jīng)開區(qū)官微消息，近日，位于浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的偉測(cè)集成電路芯片晶圓級(jí)及成品測(cè)試基地項(xiàng)目的道路和綠化施工進(jìn)入收尾階段，項(xiàng)目已正式啟動(dòng)竣工驗(yàn)收工作。 據(jù)悉，偉測(cè)集成電路芯片晶圓級(jí)及成品測(cè)試基地項(xiàng)目由
2024-05-28 15:50:30943 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，臺(tái)積電一直是技術(shù)革新的引領(lǐng)者。近日，有知情人士透露，這家全球知名的芯片制造商正在積極探索一種全新的芯片封裝技術(shù)，即從傳統(tǒng)的晶圓級(jí)封裝轉(zhuǎn)向面板級(jí)封裝，這將可能帶來封裝效率的顯著提升和成本的降低。
2024-06-22 14:31:542310 在本系列第七篇文章中，介紹了晶圓級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級(jí)芯片封裝
2024-08-21 15:10:384450 
注入導(dǎo)電物質(zhì)，將相同類別芯片或不同類別的芯片進(jìn)行互連，達(dá)到芯片級(jí)集成的先進(jìn)封裝技術(shù)。 TSV技術(shù)中的這個(gè)通道中主要是通過銅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充完成硅通孔的垂直電氣互連，減小信號(hào)延遲，降低電容、電感，實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗、高速通信，增加帶寬和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化需求
2024-12-17 14:17:513345 
實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)，探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。
2025-03-04 10:52:574980 
封裝領(lǐng)域的一次技術(shù)革命。普萊信同時(shí)在和某全球最領(lǐng)先的封裝廠，某全球領(lǐng)先的功率器件公司就XBonder Pro在晶圓級(jí)封裝的應(yīng)用開展合作。 芯片的轉(zhuǎn)移是晶圓級(jí)封裝和板級(jí)封裝的核心工序，由于高端的板級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝需要在貼片完成后，進(jìn)行RDL等工藝，
2025-03-04 11:28:051186 
圓片級(jí)封裝（WLP），也稱為晶圓級(jí)封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問世以來，已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:362068 
在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下，封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價(jià)值不僅體現(xiàn)于物理防護(hù)與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能，更在于應(yīng)對(duì)多元化市場(chǎng)需求的適應(yīng)性突破，本文著力介紹晶圓級(jí)扇入封裝，分述如下。
2025-06-03 18:22:201055 
MEMS晶圓級(jí)電鍍是一種在微機(jī)電系統(tǒng)制造過程中，整個(gè)硅晶圓表面通過電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)的核心在于其晶圓級(jí)和圖形化特性：它能在同一時(shí)間對(duì)晶圓上的成千上萬個(gè)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行批量加工，極大地提高了生產(chǎn)效率和一致性，是實(shí)現(xiàn)MEMS器件低成本、批量化制造的核心技術(shù)之一。
2025-09-01 16:07:282077 
聚焦MEMS硅麥封裝領(lǐng)域的前沿技術(shù)路線，對(duì)比分析晶圓級(jí)封裝（WLP）的微型化優(yōu)勢(shì)、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的集成化潛力及傳統(tǒng)封裝的性價(jià)比方案，結(jié)合聲學(xué)靈敏度、電磁屏蔽與環(huán)境防護(hù)等關(guān)鍵指標(biāo)，為行業(yè)選型提供技術(shù)決策參考。
2025-12-09 11:40:11456 
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