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虹晶提供基于特許65nm LPe制程的SoC方案

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28nm制程助力,FPGA變身3D IC/SoC

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2013-04-29 11:46:316926

北方華創(chuàng)總裁:正加速邁入先進(jìn)工藝制程

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2017-04-13 10:31:464523

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增長近28%!傳聯(lián)電明年28nm制程圓報(bào)價(jià)飆升至每片2300美元

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2021-05-10 15:09:452918

10nm、7nm制程到底是指什么?宏旺半導(dǎo)體和你聊聊

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm,而最近據(jù)媒體報(bào)道,半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41

193 nm ArF浸沒式光刻技術(shù)和EUV光刻技術(shù)

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65nm FPGA在多模無線基站等高端應(yīng)用的滲透

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65nm芯片設(shè)計(jì)出現(xiàn)的問題該怎么解決?

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2019-08-07 07:17:02

圓針測(cè)制程介紹

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AD9249-65怎么外接振?有一個(gè)65M的振,如何接?問題二是差分信號(hào)線是否可以在VIVADO上面采集?問題三采集的時(shí)候是否需要input clk+和clk-?接多大的時(shí)鐘信號(hào)?以及多大的電壓?
2023-11-15 06:20:09

Altera加速替代ASIC市場(chǎng)關(guān)注FPGA架構(gòu)和軟件創(chuàng)新

影響,Altera也不例外。Altera在28nm制程節(jié)點(diǎn)上開發(fā)FPGA新系列產(chǎn)品,以及支持軟件的成本,要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于65nm開發(fā)時(shí)所投入的2.5億美元。只有很少的終全文下載
2010-04-22 11:30:41

FPGA:65nm器件對(duì)低功耗市場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生什么影響?

隨著65nm工藝的應(yīng)用以及更多低功耗技術(shù)的采用,F(xiàn)PGA擁有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗電量,具備進(jìn)入更廣泛市場(chǎng)的條件。FPGA從業(yè)者表示,今年FPGA快速增長,而預(yù)計(jì)明年仍將是一個(gè)增長年。
2019-10-31 06:49:34

TSMC 65nm HSPICE 蒙特卡羅分析,仿真出現(xiàn)錯(cuò)誤,求助求助!

TSMC 65nm HSPICE 蒙特卡羅分析,仿真出現(xiàn)錯(cuò)誤,有人做過嗎 .prot .lib 'D:\crn65lp_v1d5.l' mc.lib 'D:\crn65
2013-06-21 16:10:47

Xilinx Ultrascale 16nm FPGA/SoC電源解決方案

描述PMP10555 參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無線基站應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器 IC
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Zynq-7000 SoC提供 FPGA 資源

Z-701028K2.180Z-7014S65K3.8170Z-702085K4.9220表 1:Trenz Electronic 的 SoM 中使用的 Xilinx Zynq-7000 SoC(Z-7014S
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從7nm到5nm,半導(dǎo)體制程 精選資料分享

從7nm到5nm,半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示,比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
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全球進(jìn)入5nm時(shí)代

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半導(dǎo)體工藝幾種工藝制程介紹

、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到現(xiàn)在的7nm(對(duì)應(yīng)都是MOS管柵長),目前也有了很多實(shí)驗(yàn)室在進(jìn)行一些更小尺寸的研究。隨著MOS管的尺寸不斷的變小,溝道的不斷變小,出現(xiàn)各種
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布線后修復(fù)時(shí)序違規(guī)的方法研究

90/65nm下后端設(shè)計(jì)中由于多模式-角落,以及布局布線工具和簽收工具之間的誤差性,布線后修復(fù)各種時(shí)序違規(guī)如渡越時(shí)間、負(fù)載、建立時(shí)間、保持時(shí)間、串?dāng)_等將是一項(xiàng)十分耗時(shí)的工作。如何快速修復(fù)各種違規(guī)
2010-05-28 13:41:58

怎么進(jìn)行IC芯片的圓級(jí)射頻測(cè)試?

對(duì)于超薄介質(zhì),由于存在大的漏電和非線性,通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而,使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn),對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路,RF電路,以及模擬/數(shù)模混合電路中的器件,這方面的挑戰(zhàn)也在增加,那現(xiàn)在有解決這些挑戰(zhàn)的辦法了嗎?  
2019-08-08 07:50:30

最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm

10月7日,沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
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請(qǐng)大神解釋一下28nm下是沒有MIM電容了嗎?

之前只用過tsmc 65nm的,在設(shè)置電感時(shí)候是有indcutor finder的工具的,28nm下沒有了嗎?只能自己掃描參數(shù)一個(gè)一個(gè)試?28nm下是沒有MIM電容了嗎?相關(guān)的模擬射頻器件(比如
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請(qǐng)問工程師,C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm?同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎?
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用接口IP實(shí)現(xiàn)HDMI的便攜式低功耗方案 通過使用知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)方法,系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)師現(xiàn)在可以輕松地集成采用領(lǐng)先工藝技術(shù)(如90nm65nm和40nm工藝)的HDMI接口。
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65nm開路 Intel全線處理器降價(jià)在即

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跳過65nm,無晶圓廠商ASIC直接采用45nm工藝 在向幾大前沿技術(shù)的轉(zhuǎn)移策略中,eASIC公司選擇跳過65nm節(jié)點(diǎn),直接推出“零掩模費(fèi)用”的45nm ASIC產(chǎn)品線。 除了發(fā)布Nextreme
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IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)積極朝向縮短商品研發(fā)時(shí)程邁進(jìn),希望降低生產(chǎn)晶片的費(fèi)用與時(shí)間,其中又以心科技提供SOC解決方案最受市場(chǎng)歡迎
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(nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強(qiáng)化型
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2018-09-28 14:49:554996

盤點(diǎn)那些搭載7nm工藝處理器或芯片

隨著市場(chǎng)對(duì)芯片集成度和功耗的新要求,半導(dǎo)體工藝也在不斷的進(jìn)步,從90nm65nm,再到28nm、10nm……如今,全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝可達(dá)7nm,英特爾、三星、臺(tái)積電、格羅方德等知名的半導(dǎo)體代工企業(yè)均有這樣的實(shí)力。
2018-10-11 14:33:3714530

10nm以下先進(jìn)制程 臺(tái)積電和三星采取怎樣的策略

圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺,隨著英特爾的10nm制程久攻不下,聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后,10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463

XX nm制造工藝是什么概念?實(shí)現(xiàn)7nm制程工藝為什么這么困難?

XX nm制造工藝是什么概念?芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示?,F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管,這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成,電流從源極流入漏極,柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0234080

65nm器件上量低功耗市場(chǎng)興起 低功耗FPGA嶄露頭角

隨著65nm工藝的應(yīng)用以及更多低功耗技術(shù)的采用,擁有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗電量,具備進(jìn)入更廣泛市場(chǎng)的條件。FPGA從業(yè)者表示,今年FPGA快速增長,而預(yù)計(jì)明年仍將是一個(gè)增長年。
2019-03-11 14:16:471153

蘋果iPhone 12有望采用全新5nm EUV工藝制程的A14仿生芯片

臺(tái)積電指出,5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù),因此可帶來EUV技術(shù)提供制程簡化效益。5nm制程能夠提供全新等級(jí)的效能及功耗解決方案,支援下一代的高端移動(dòng)及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前,其他元廠的7nm工藝尚舉步維艱,在5nm時(shí)代臺(tái)積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:572113

基于一款采用了65nm工藝制程的Emerald 67M圖像傳感器正式上市

作為Teledyne e2v的Emerald系列的新成員,該傳感器采用TowerJazz公司全新研發(fā)的65nm工藝制程,由日本魚津做圓代工,世界上最小的2.5μm低噪聲全局快門像素技術(shù)。小尺寸
2019-06-27 09:22:541165

Cadence 數(shù)字全流程解決方案通過三星5LPE工藝認(rèn)證

采用極紫外(EUV)光刻技術(shù)的Cadence 數(shù)字全流程解決方案已通過Samsung Foundry 5nm早期低功耗版(5LPE)工藝認(rèn)證。
2019-07-11 16:36:474272

三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn) 4nm4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢

除了臺(tái)積電,三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn):7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后,按照官方最新給出的時(shí)間表,6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn),5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、明年上半年量產(chǎn),4nm 4LPE也會(huì)在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢。
2019-08-02 15:45:433408

三星芯片代工計(jì)劃曝光 6nm 5nm和4nm紛紛面世

。此外,該公司表示將推出其首款5LPE(5nm低功耗早期)SoC并且將在未來幾個(gè)月內(nèi)完成其4LPE(4nm低功耗早期)工藝的開發(fā)。
2019-08-06 15:43:164128

臺(tái)積電2nm工藝制程研發(fā)啟動(dòng),預(yù)計(jì)2024年可實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)

和以往間隔多年推出一代全新工藝制程不同,目前兩大圓代工廠臺(tái)積電及三星都改變了打法,一項(xiàng)重大工藝制程進(jìn)行部分優(yōu)化升級(jí)之后,就會(huì)以更小的數(shù)字命名。作為韓系芯片大廠龍頭的三星在工藝制程方面非常激進(jìn)
2019-08-26 12:29:003380

臺(tái)積電在5nm制程和3nm制程之間,他們還將推出4nm制程

臺(tái)積電是在官網(wǎng)所披露的二季度財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議材料中,提及4nm制程的。臺(tái)積電CEO、副董事長魏哲家在會(huì)上表示,他們將推出4nm制程,作為5nm制程家族的延伸。
2020-08-04 16:29:583472

高通驍龍875最大障礙已被清除,三星5nm產(chǎn)能獲突破

在上周公布Q3財(cái)報(bào)時(shí),三星同時(shí)重修了先進(jìn)制程進(jìn)展情況,將已經(jīng)穩(wěn)定投產(chǎn)的最新節(jié)點(diǎn)從7nm LPP升級(jí)為5nm LPE。
2020-11-03 09:15:211750

早報(bào):升陽國際與中砂已獲得臺(tái)積電5nm等先進(jìn)制程工藝再生圓服務(wù)訂單

外媒最新援引消息人士的透露報(bào)道稱,提供再生圓服務(wù)的升陽國際半導(dǎo)體和中砂公司,都已獲得了臺(tái)積電5nm及其他先進(jìn)芯片制程工藝的再生圓訂單。
2020-11-30 15:45:412322

中國最先進(jìn)的芯片是多少納米

 多年來半導(dǎo)體制程65nm到32nm,再到28nm,還有近兩年的14nm、16nm和10nm,更有甚5nm技術(shù)。
2022-01-07 09:58:2466942

臺(tái)積電5nm制程工藝產(chǎn)能提升 今年向3nm工藝邁進(jìn)

臺(tái)積電已經(jīng)提升了5nm制程工藝的產(chǎn)能,月出貨量已經(jīng)增至15萬片圓,早于產(chǎn)業(yè)鏈此前透露的三季度。
2022-04-02 15:41:193067

Intel拜會(huì)臺(tái)積電:或?qū)⑾蚺_(tái)積電尋求90nm等工藝代工

Intel CEO基辛格第二次訪問臺(tái)積電,尋求臺(tái)積電90nm、65nm、40/45nm、28nm制程的代工。
2022-04-10 12:06:032587

印度將修建首座半導(dǎo)體芯片工廠,采用65nm工藝

近日,據(jù)外媒報(bào)道,半導(dǎo)體聯(lián)盟ISMC表示將在印度修建半導(dǎo)體芯片工廠。 半導(dǎo)體聯(lián)盟ISMC是由Next Orbit Ventures和高塔半導(dǎo)體投資成立的,據(jù)悉本次新建的工廠將用于生產(chǎn)65nm制程工藝
2022-05-05 15:53:552805

臺(tái)積電3nm制程工藝正式量產(chǎn) 已舉行量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式

來源:TechWeb 近日,據(jù)國外媒體報(bào)道,正如此前所報(bào)道的一樣,圓代工商臺(tái)積電,在他們旗下的圓十八廠,舉行了3nm制程工藝的量產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)張儀式,宣布3nm制程工藝以可觀的良品率成功量產(chǎn)。 從臺(tái)
2022-12-30 17:13:111656

基于20nm工藝制程的FPGA—UltraScale介紹

UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA,而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:548669

科新聞】科與Apposite合作提供業(yè)界領(lǐng)先的網(wǎng)絡(luò)仿真解決方案

對(duì)于雙方的合作,Apposite表示:“我們非常高興地歡迎科加入我們不斷擴(kuò)展的合作伙伴網(wǎng)絡(luò)。Apposite致力于通過提供強(qiáng)大而現(xiàn)代的測(cè)試解決方案來確保全球的網(wǎng)絡(luò)和應(yīng)用程序完美運(yùn)行。將我們的流量
2022-03-14 16:27:321072

2nm芯片能帶來什么?2nm制程之爭將全面打響?

消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下,圓制造廠商積極瞄準(zhǔn)高性能芯片,2nm先進(jìn)制程之爭愈演愈烈。
2023-07-17 18:24:152633

Emulex LPe31000系列和LPe32000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼

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2023-07-27 10:18:510

Emulex LPe31000系列和LPe32000系列LightPulse HBA固件和啟動(dòng)代碼發(fā)行說明

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2023-07-27 10:11:183

Emulex LPe15000系列和LPe16000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.6.182.8

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2023-07-28 14:32:180

Emulex LPe31000系列和LPe32000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.6.240.22和12.6.240.40

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2023-07-28 15:36:341

Emulex LPe31000/LPe32000系列HBA固件和引導(dǎo)代碼 版本14.2.539.16

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Emulex LPe15000系列和LPe16000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.8.614.17

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2023-08-04 10:46:110

Emulex LPe15000系列和LPe16000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.8.340.8

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2023-08-04 10:12:040

Emulex LPe15000系列和LPe16000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.2.299.27和12.2.299.23

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2023-08-04 10:23:150

Emulex LPe15000/LPe16000系列LightPulse HBA固件和啟動(dòng)代碼說明

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2023-08-07 09:20:400

Emulex LPe31000/LPe32000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本14.0.326.17

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2023-08-07 10:05:080

Emulex LPe31000系列和LPe32000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.8.340.8和12.8.340.19

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2023-08-09 10:41:250

Emulex LPe31000和LPe32000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.4.243.17和12.4.243.13

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2023-08-10 14:35:110

Emulex LPe15000和LPe16000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼發(fā)行說明

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2023-08-11 10:50:131

Emulex LPe31000系列和LPe32000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼發(fā)行說明

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2023-08-14 09:42:170

Emulex LPe15000和LPe16000系列光脈沖HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.0.193.13

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2023-08-15 10:12:060

Emulex LPe15000-Series LPe16000-Series HBA固件和引導(dǎo)代碼發(fā)行說明

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2023-08-16 16:26:100

Emulex LPe31000和LPe32000系列HBA固件和引導(dǎo)代碼 版本14.2.455.11

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2023-08-17 15:12:370

Emulex LPe15000和LPe16000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼 版本12.2.299.11

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2023-08-17 15:18:270

Emulex LPe15000和LPe16000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼發(fā)行說明 版本11.1.38.61

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2023-08-18 11:38:470

Emulex LPe31000和LPe32000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼發(fā)行說明

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2023-08-21 15:36:210

光纖通道HBA LPe35000/LPe36000系列產(chǎn)品介紹

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2023-08-22 14:15:270

Emulex LPe15000和LPe16000系列HBA固件和啟動(dòng)代碼發(fā)行說明 版本10.6.144.21

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2023-08-24 09:23:140

LightPulse LPe16000/LPe16002數(shù)據(jù)表

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2023-08-24 10:42:400

最新SOC芯片技術(shù)發(fā)展

制程技術(shù)的進(jìn)步 制程技術(shù)是SOC芯片發(fā)展的核心。隨著制程技術(shù)的進(jìn)步,芯片上的晶體管數(shù)量不斷增加,性能也隨之提升。 5nm和3nm制程技術(shù) :目前,5nm制程技術(shù)已經(jīng)成熟并被廣泛應(yīng)用于高端SOC芯片中。3nm制程技術(shù)正在研發(fā)中,預(yù)計(jì)將帶來更高的性能和更低的功耗。 2. 異構(gòu)計(jì)算
2024-10-31 14:41:102569

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