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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的S

Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的S

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2025-04-29 09:01:59

4nm賽道發(fā)力!瑞微押注汽車AI SoC,汽車芯片增長前景看好

和最新的旗艦產品。 瑞微2025年Q1凈利潤大漲209%,AIoT技術優(yōu)勢延伸到汽車電子領域 瑞微2001年成立,2020年在上交所上市。公司產品最早從復讀機、MP4、平板,發(fā)展當前的汽車電子,機器視覺、AIoT,芯片制程也從早期的0.65um,今天的8nm,每一代都規(guī)
2025-04-27 07:48:006305

廣明源172nm晶圓光清洗方案概述

在半導體制造,清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關鍵流程,并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術的發(fā)展,芯片制程已推進至28nm、14nm乃至更先進節(jié)點。
2025-04-24 14:27:32715

從臺積電國際:盤點2025年全球100+晶圓廠布局與產能現(xiàn)狀

期,從領先的臺積電快速發(fā)展的國際,晶圓廠建設熱潮持續(xù)。主要制造商紛紛投入巨資擴充產能,從先進的3nm、5nm工藝成熟的28nm40nm節(jié)點不等,單個項目
2025-04-22 15:38:361573

三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

較為激進的技術路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率,這高于
2025-04-18 10:52:53

上海雷卯電子閃耀廣交會,開啟國際合作新篇章

星期二,中國進出口商品交易會在廣州盛大開幕。上海雷卯電子科技有限公司在廣交會上驚艷亮相,吸引了來自全球各地的專業(yè)人士與參展商的目光。此次參展不僅是雷卯電子展示技術實力的重要契機,更成為了推動國際電子技術交流與合作的關
2025-04-16 11:39:30622

方案拆解展示 | 納祥科技365nm UV紫光燈檢測方案

隨著防偽檢測、食品、紡織等領域對紫外光源需求的提升,365nm紫光燈方案憑借其高純度UVA波段輸出等特性,成為替代傳統(tǒng)檢測方式操作復雜、運維成本高的理想選擇。本文將分享納祥科技便攜小巧型365nm
2025-04-11 15:34:581738

營收超570億!國際超越聯(lián)電卻增收不增利, 2025年誰能率先破局?

5.3%的平均。中國在主流制程節(jié)點(22nm40nm)的產能增長尤為顯著,預計2028年,中國在全球主流半導體制造產能的占比將達到42%。 近期,國際和聯(lián)電作為全球排名前四的兩家中國晶圓代工廠,先后發(fā)布了最新年度財報。兩家財報顯示,國際營收超越聯(lián)電,凈利潤指
2025-03-29 03:31:294007

來科技NS系列啟動信息安全CC咨詢合作

近日,來科技與國際公認的測試認證機構SGS網(wǎng)絡安全實驗室Brightsight成功舉行CC咨詢合作簽約啟動儀式。
2025-03-26 10:03:071161

FD40-110S48B3C3 FD40-110S48B3C3

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2025-03-25 18:33:15

臺積電2nm制程良率已超60%

,較三個月前技術驗證階段實現(xiàn)顯著提升(此前驗證階段的良率已經(jīng)可以60%),預計年內即可達成量產準備。 值得關注的是,蘋果作為臺積電戰(zhàn)略合作伙伴,或將率先采用這一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預測iPhone 18系列搭載的A20處理器仍將延續(xù)3nm工藝,但其最
2025-03-24 18:25:091240

國際攜手華為推出政務AI全棧解決方案

,全面介紹了國際攜手華為推出的面向智慧政務領域的全棧AI解決方案——“政務AI智囊團”,并分享了與華為政務一網(wǎng)通軍團的合作及行業(yè)前瞻思考。
2025-03-24 17:30:011355

FD20-110S40B3C3 FD20-110S40B3C3

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2025-03-20 18:58:29

PFD6-18S40A3(C)2 PFD6-18S40A3(C)2

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2025-03-20 18:41:45

UA40-220S05 UA40-220S05

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2025-03-18 18:59:51

FA40-220S24G2N5 FA40-220S24G2N5

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2025-03-18 18:59:01

FA40-220S24W2N4 FA40-220S24W2N4

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2025-03-18 18:58:37

FA40-220S15W2D4 FA40-220S15W2D4

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2025-03-18 18:57:39

FA40-220S24G2D5 FA40-220S24G2D5

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2025-03-18 18:57:02

FA40-220S24H3N4 FA40-220S24H3N4

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2025-03-18 18:56:17

科技與美電科技攜手推出AI傳感器模組

2024年,國科技與戰(zhàn)略合作伙伴深圳美電科技有限公司(以下簡稱“美電科技”)展開了深度合作。雙方以國科技首顆端側AI芯片CCR4001S為核心,攜手推出AI傳感器模組,迅速且緊密地圍繞該模組開展全方位、多維度的應用開發(fā)工作。如今,這款模組已成功實現(xiàn)應用。
2025-03-18 16:34:461008

手機芯片進入2nm時代,首發(fā)不是蘋果?

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規(guī)劃,無論是臺積電還是三星都在積極布局,或將有數(shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺
2025-03-14 00:14:002486

”光煥新,創(chuàng)“”未來|度亙核慕尼黑上海光博會完美收官!

攜全系列產品亮相,并重磅推出915/976nm50W高亮度半導體激光芯片、單模1064nm鎖波DFB激光芯片與器件以及650W高光譜穩(wěn)定輕量化DFB泵浦模塊三款
2025-03-13 18:17:251165

曝三星已量產第四代4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來,每年都在改進技術。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(SF4X)進行大規(guī)模生產。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207

科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901

請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少?

您好!請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量級的功率密度?
2025-02-26 06:16:47

要設計CH氣體檢測設備應用的激光源波長為3370nm,請問DMD微鏡的反射波長是多少?

請問:我現(xiàn)在要設計CH氣體檢測設備應用的激光源波長為3370nm,請問貴司的DMD微鏡的反射波長是多少?我們的要求能滿足嗎?
2025-02-24 08:08:31

DLP660TE 370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少?

我想知道該型號關于370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少?
2025-02-21 07:05:14

DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少?

DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少,480mW/cm2能否使用,有沒有在355nm下的客戶應用案例? 這個是激光器的參數(shù):355nm,脈寬5ns,單脈沖能量60uJ,照射面積0.37cm^2,
2025-02-20 08:42:33

DLP9500UV在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?

請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?如何查看?
2025-02-20 07:49:07

YOKOGAWA/橫河AQ6370B 光譜分析儀 波長范圍 600nm至1700nm

范圍:600 至 1700 nm應用光纖:9/125 微米 50/125 微米,62.5/125 微米1523 nm 處的近動態(tài)范圍:37 dB(±0.1 nm
2025-02-19 14:36:55

國際擴產迎新進展:京城二期工業(yè)用地成交

近日,國際位于北京的晶圓廠項目——京城二期,迎來了建設進展的重要節(jié)點。據(jù)最新消息,京城二期的工業(yè)用地已經(jīng)成功成交,這標志著該項目正式進入了實質性的建設階段。 據(jù)了解,京城二期項目擬建
2025-02-19 11:32:531996

VirtualLab Fusion應用:基于分布式計算的AR光波導測試圖像的仿真

使用一個由5個提供41個客戶端的多核PC組成的網(wǎng)絡,模擬時間可以減少大約4小時(與之前的大約43小時相比)。 模擬任務 入射耦合 周期:380 nm;光柵脊寬度:190 nm;高度:100 nm
2025-02-19 08:51:05

請問DLP9500能否承受3mJ/cm2的脈沖光(532nm, 5ns, 2kHz)?

我嘗試使用脈沖激光照射具有調制圖案的DMD反射鏡(DLP9500),我想知道DMD是否能夠承受以下參數(shù)的激光: 激光器:532nm 脈沖能量:3mJ 脈沖寬度:5ns 重復頻率:2kHz 照明面積:1cm2
2025-02-18 06:05:30

365nm紫外點光源固化燈的特點、優(yōu)勢與應用

在現(xiàn)代制造業(yè),紫外光固化技術已成為一種高效、環(huán)保的固化方式,廣泛應用于涂料、油墨、膠水等多個領域。紫外點光源固化燈,尤其是365nm波長的紫外燈,因其獨特的光學性能和應用優(yōu)勢,成為高精度固化過程
2025-02-13 15:44:392483

臺積電加大亞利桑那州廠投資,籌備量產3nm/2nm芯片

據(jù)最新消息,臺積電正計劃加大對美國亞利桑那州工廠的投資力度,旨在推廣“美國制造”理念并擴展其生產計劃。據(jù)悉,此次投資將著重于擴大生產線規(guī)模,為未來的3nm和2nm等先進工藝做準備。
2025-02-12 17:04:04995

微愛推出CBTLVD系列模擬開關

微愛推出四款CBTLVD系列模擬開關。
2025-02-12 14:21:301117

聯(lián)發(fā)科采用AI驅動Cadence工具加速2nm芯片設計

近日,全球知名的EDA(電子設計自動化)大廠Cadence宣布了一項重要合作成果:聯(lián)發(fā)科(MediaTek)已選擇采用其人工智能驅動的Cadence Virtuoso Studio和Spectre X Simulator工具,在英偉達(NVIDIA)的加速計算平臺上進行2nm芯片的開發(fā)工作。
2025-02-05 15:22:381069

三星電子1c nm內存開發(fā)良率里程碑推遲

據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結束開發(fā)工作、順利進入量產階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出三星在半導體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解,在決定啟動D1B-P項目時,三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071408

歐洲啟動1nm及光芯片試驗線

高達14億美元,不僅將超越當前正在研發(fā)的2nm工藝技術,更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領域。NanoIC試驗線的啟動,標志著歐洲在半導
2025-01-21 13:50:441023

創(chuàng)飛90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產

一站式 NVM 存儲 IP 供應商創(chuàng)飛(CFX)今日宣布,其反熔絲一次性可編程(OTP)技術繼 2021年在國內第一家代工廠實現(xiàn)量產后,2024 年在國內多家代工廠關于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647

Litestar 4D:McCree莫克利曲線

測量了 22 種作物的葉子在 350 750 nm 波長范圍內吸收CO 2的作用光譜、吸收率和光譜量子產率。從他對 22 種作物植物的研究數(shù)據(jù),莫克利博士能夠創(chuàng)建一條廣義植物光吸收曲線(與廣義
2025-01-14 09:37:36

微第二代8nm高性能AIOT平臺,看這款板卡怎么樣?

微近期推出了第二代8nm高性能AIOT平臺——RK3576。RK3576應用方向指向工業(yè)控制及網(wǎng)關,云終端,人臉識別設備,車載控,商顯等等。參數(shù)方面,內置了四核Cortex-A72+四核
2025-01-09 08:03:232156

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