化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:38
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當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國(guó)應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。
2016-06-27 11:09:501446 
在車用高功率半導(dǎo)體、光源與射頻（RF）三大應(yīng)用需求加持下，化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor， CS）將有遠(yuǎn)優(yōu)于單晶半導(dǎo)體的成長(zhǎng)速度。根據(jù)Strategy Analytice
2017-01-20 10:32:171405 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來(lái)卓越或新穎的功能，并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:501336 
傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展侷限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，化合物半導(dǎo)體材料是新一代半導(dǎo)體發(fā)展的重要關(guān)鍵嗎？
2019-04-09 17:23:3511305 化合物半導(dǎo)體在軍事中的應(yīng)用領(lǐng)域也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國(guó)視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導(dǎo)體甚至要拿到證明才可以出口，是相當(dāng)重要的上游材料。
2020-09-02 18:53:426843 來(lái)源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過(guò)去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
天線：MassiveMIMO和新材料將應(yīng)用5G封測(cè)：各大封測(cè)廠積極備戰(zhàn)5G芯片化合物半導(dǎo)體迎來(lái)新機(jī)遇電磁屏蔽、導(dǎo)熱材料獲得新市場(chǎng)空間
2020-12-30 06:01:41
雙光子激發(fā)下發(fā)出稀土離子的特征光。熒光檢測(cè)傳感器（熒光傳感器） 2．強(qiáng)雙光子熒光的芴及茚并芴衍生物的研究 增大分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移程度是增大化合物雙光子吸收截面的有效途徑，本課題選擇二芳基苯胺為電子
2013-11-07 16:43:08
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出一款業(yè)界最小的白光LED驅(qū)動(dòng)器，可以靈活控制顯示屏背光亮度。這款型號(hào)為L(zhǎng)M3530的升壓轉(zhuǎn)換器屬于
2019-09-03 06:18:33
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
元素的特性和制造方式的影響，不是一切的化合物都可以契合半導(dǎo)體資料的請(qǐng)求。這一半導(dǎo)體主要運(yùn)用到高速器件中，InP制造的晶體管的速度比其他資料都高，主要運(yùn)用到光電集成電路、抗核輻射器件中。關(guān)于導(dǎo)電率高的資料
2020-03-26 15:40:25
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
美國(guó)國(guó)防威脅減除局（DTRA）11月28日發(fā)布了一份信息征詢書(shū)（NTS139926578），尋求先進(jìn)抗輻射高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)，以支持“先進(jìn)高頻模擬和射頻半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)與加固”項(xiàng)目。DTRA將向
2012-12-04 19:52:12
目前國(guó)內(nèi)外有很多研究在有機(jī)化合物作為鋰離子電池正極材料方面進(jìn)行了大量卓有成效的工作，特別是在含氧有機(jī)共軛化合物方面，一些電化學(xué)活性高的含氧官能團(tuán)及其分子結(jié)構(gòu)對(duì)有機(jī)正極化合物的設(shè)計(jì)具有重要的指導(dǎo)
2015-11-17 17:12:07
、高頻率等方面特有的優(yōu)勢(shì)，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位?！ 《嗄暌詠?lái)，世界各國(guó)始終對(duì)化合物半導(dǎo)體保持高度重視，出臺(tái)相關(guān)政策支持本國(guó)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2017年美國(guó)、德國(guó)、歐盟
2019-06-13 04:20:24
情況，日本被訪企業(yè)坦言他們正全力學(xué)習(xí)吸收美國(guó)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)，并在工藝和設(shè)備上都取得了部分突破。這就反映了兩個(gè)事實(shí)：其一，化合物半導(dǎo)體乃至第三代半導(dǎo)體，中國(guó)與世界并不在起跑線，比世界先進(jìn)水平少了
2023-02-16 13:42:20
【摘要】：<正>美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校和北京大學(xué)的研究人員聯(lián)合研制出世界最小的半導(dǎo)體激光器。研究人員研制了一款高增益硫化鎘納米線,然后將納米線與銀金屬相隔5 nm,激光
2010-04-24 10:11:02
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
SnAgCu無(wú)鉛焊料中Sn的含量較高，焊接溫度也比較高，導(dǎo)致了焊點(diǎn)中Cu的溶解速度和界面金屬間化合物的生長(zhǎng)速度遠(yuǎn)高于SnPb系焊料。相關(guān)研究表明，焊點(diǎn)與金屬接點(diǎn)間的金屬間化合物的形態(tài)和長(zhǎng)大對(duì)焊點(diǎn)
2020-02-25 16:02:25
什么是VOC(揮發(fā)性有機(jī)化合物)
VOC是揮發(fā)性有機(jī)化合物的簡(jiǎn)稱。英語(yǔ)全稱VOLATILE OR-GANIC COMPOUNDS。它是非工業(yè)環(huán)境中最
2009-05-24 23:12:5713290 釩和其化合物知識(shí)簡(jiǎn)介
This fact sheet answers the most frequently asked health questions about vanadium.
2009-11-20 10:39:401437 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號(hào)：
2010-03-04 12:16:164356 什么是化合物半導(dǎo)體集成電路
是將晶體管、二極管等有源元件和電阻器、電容器等無(wú)源元件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊
2010-03-04 16:09:153545 化合物半導(dǎo)體多接合型太陽(yáng)能電池將實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)
美國(guó)威訊聯(lián)合半導(dǎo)體（RF Micro Devices,RFMD）利用該公司的GaAs類化合物半導(dǎo)體150mm生
2010-03-18 08:51:161146 國(guó)內(nèi)研制出連續(xù)單管半導(dǎo)體激光器耦合模塊
由中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所與數(shù)名留學(xué)回國(guó)人員組成的團(tuán)隊(duì)共同創(chuàng)立的專業(yè)從事大功率半導(dǎo)體激光器研發(fā)和生產(chǎn)
2010-03-27 10:09:54884 硫系化合物是由元素周期表第16族元素組成的合金(舊式元素周期表：第VIA族或第VIB族)。在室溫條件下，這些合金的非晶態(tài)和晶態(tài)都十分穩(wěn)定。當(dāng)加熱時(shí)，硫系化合物可以從非晶態(tài)
2010-07-02 10:26:581632 
在國(guó)家自然科學(xué)基金委、科技部和中科院的支持下，中科院半導(dǎo)體所吳南健研究員、張萬(wàn)成和付秋喻等成功研制出新型視覺(jué)芯片。
2011-09-15 09:22:001616 化合物半導(dǎo)體是 5G 通信不可替代的核心技術(shù)。美歐日等發(fā)達(dá)國(guó)家通過(guò)產(chǎn)業(yè)和技術(shù)扶持計(jì)劃，培育了眾多龍頭企業(yè)，已占領(lǐng)化合物半導(dǎo)體技術(shù)和市場(chǎng)高地。同時(shí)美國(guó)以危害國(guó)家安全為由，對(duì)我國(guó)實(shí)行技術(shù)封鎖，頻頻阻撓
2018-01-13 11:56:123884 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33122870 化合物半導(dǎo)體因其在射頻電子和電力電子方面的優(yōu)良性能，以及在5G通信和新能源汽車等新興市場(chǎng)的應(yīng)用價(jià)值，被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。在國(guó)內(nèi)發(fā)展集成電路的背景下，化合物半導(dǎo)體受到地方政府和產(chǎn)業(yè)資本的熱捧。投資“熱潮”之下，需要重新思考我國(guó)發(fā)展化合物半導(dǎo)體的機(jī)遇、挑戰(zhàn)和路徑。
2018-10-05 15:29:0020276 化合物半導(dǎo)體相比硅半導(dǎo)體具有高頻率和大功率等優(yōu)異性能，是未來(lái)5G通信不可替代的核心技術(shù)。
2018-11-01 17:11:009145 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率、高頻率等方面特有的優(yōu)勢(shì)，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位。
2018-11-20 11:01:5619278 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引人矚目，攪動(dòng)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-12-18 10:06:534663 傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展局限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，而化合物半導(dǎo)體材料的高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，恰好符合未來(lái)半導(dǎo)體發(fā)展所需，終端產(chǎn)品趨勢(shì)將由5G通訊、車用電子與光通訊領(lǐng)域等應(yīng)用主導(dǎo)。
2019-03-22 16:26:394735 
功率及化合物半導(dǎo)體對(duì)人類社會(huì)和科技發(fā)展影響越來(lái)越巨大，其應(yīng)用涵蓋了照明、激光、成像、移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、綠色能源、現(xiàn)代交通等方方面面。
2019-04-07 00:02:006110 半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來(lái)分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。
2019-03-29 15:19:3319594 化合物半導(dǎo)體中心（Compound Semiconductor Centre,簡(jiǎn)稱CSC）成立于2015年，是由英國(guó)IQE公司和加的夫大學(xué)共同成立的合作機(jī)構(gòu)，任務(wù)是加速化合物半導(dǎo)體材料和器件研發(fā)的商業(yè)化，實(shí)現(xiàn)對(duì)英國(guó)在該重要使能技術(shù)領(lǐng)域所投資金的有形經(jīng)濟(jì)回報(bào)。
2019-04-11 17:37:576296 
半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。
2019-04-29 11:08:0712385 光纖通信、手機(jī)的無(wú)線通信系統(tǒng)、用于三維識(shí)別的VSECL泛光源、自動(dòng)駕駛的毫米波雷達(dá)、5G基站的射頻模塊……新應(yīng)用場(chǎng)景的涌現(xiàn)，是化合物半導(dǎo)體大規(guī)模應(yīng)用的催化劑。
2019-10-12 14:47:383513 美國(guó)IBM和美國(guó)康奈爾大學(xué)成功開(kāi)發(fā)了一種模擬人類大腦的信息傳遞機(jī)制的半導(dǎo)體技術(shù)。根據(jù)這種技術(shù)制造出的半導(dǎo)體從設(shè)計(jì)理念上就不同于現(xiàn)有計(jì)算機(jī)使用的半導(dǎo)體芯片。
2019-11-06 14:41:001537 化合物半導(dǎo)體制造代工大廠環(huán)宇光電于 2019 年 12 月 9 日召開(kāi)董事會(huì)。會(huì)中決議考量于現(xiàn)行國(guó)際貿(mào)易情勢(shì)變化起伏，以及嘗試滿足中國(guó)大陸生產(chǎn)需求目標(biāo)，因此決定撤銷與廈門三安集成（三安光電子
2020-01-02 15:01:546480 據(jù)中國(guó)化工報(bào)報(bào)道，由大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“溢泰半導(dǎo)體”）投資建設(shè)的國(guó)內(nèi)首個(gè)化合物半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)1月底全部建成達(dá)產(chǎn)。
2020-01-15 15:34:555468 據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來(lái)生產(chǎn)藍(lán)光LED。
2020-03-09 16:49:224413 。III族氮化物化合物半導(dǎo)體具有帶隙可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)，響應(yīng)波段范圍可覆蓋可見(jiàn)-紫外波段。GaN紫外傳感器具有體積小、靈敏度高、噪聲低、抗可見(jiàn)光干擾能力強(qiáng)、功耗低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。（以下為系列中部分產(chǎn)品）
2020-07-13 10:54:582256 北電新材的經(jīng)營(yíng)范圍，包括化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)、化合物半導(dǎo)體集成電路制造、電子元器件制造；功能材料及其元器件的開(kāi)發(fā)、銷售；功能器件用襯底的生產(chǎn)；人造寶石的制造及銷售；集成電路設(shè)計(jì)等。2020年上半年?duì)I業(yè)收入304.37萬(wàn)元，凈利潤(rùn)虧損1766.97萬(wàn)元。
2020-08-19 15:44:404448 它們的速度也更快，這就是為什么數(shù)據(jù)密集型5G電信網(wǎng)絡(luò)和衛(wèi)星通信需要它們。化合物半導(dǎo)體可以發(fā)射和檢測(cè)光。磷化銦就是一個(gè)很好的例子，他們成功開(kāi)拓了醫(yī)學(xué)成像和診斷，光纖通信和量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用。
2020-11-06 15:25:054394 隨著晶圓代工業(yè)的火爆，其細(xì)分領(lǐng)域——化合物半導(dǎo)體代工——也是水漲船高，相關(guān)廠商近期的業(yè)績(jī)都很亮眼。而且，相對(duì)于廣義上的數(shù)字和模擬芯片代工廠，化合物半導(dǎo)體晶圓代工廠商的數(shù)量較少，這就使它們?cè)诖ぎa(chǎn)能普遍稀缺的當(dāng)下，價(jià)值愈加突出。
2020-12-03 15:20:454351 據(jù)南昌市人民政府網(wǎng)報(bào)道，康佳集團(tuán)擬在南昌經(jīng)開(kāi)區(qū)引進(jìn)第三代化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目等，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期投資50億元，主要建設(shè)第三代化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目及其相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)，同步建設(shè)半導(dǎo)體研究院，將打造成集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造為一體的高科技項(xiàng)目。
2020-12-11 14:04:574796 隨著全球智能手機(jī)業(yè)者繼臉部等生物識(shí)別技術(shù)之后，進(jìn)一步接入3D傳感技術(shù)于AR應(yīng)用上，發(fā)展前景可期，也讓穩(wěn)懋對(duì)于未來(lái)化合物半導(dǎo)體代工需求持續(xù)抱持樂(lè)觀期待。
2020-12-18 14:22:312729 
化合物半導(dǎo)體材料成顯學(xué)，市場(chǎng)看好未來(lái)第三代半導(dǎo)體材料的各項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，但礙于成本仍貴，量產(chǎn)具有難度。 為了加快技術(shù)上以及生產(chǎn)上的突破，單打獨(dú)斗困難，各方人馬進(jìn)入團(tuán)戰(zhàn)階段，愈早把良率提升、成本降低、進(jìn)入量產(chǎn)
2020-12-18 15:07:342222 目前，與空氣污染的斗爭(zhēng)已進(jìn)入白熱化，揮發(fā)性有機(jī)化合物已逐漸成為環(huán)境保護(hù)的重點(diǎn)。新大氣法對(duì)揮發(fā)性有機(jī)化合物的處罰將進(jìn)一步加重。一旦超標(biāo)，企業(yè)不僅會(huì)被罰款或停業(yè)整頓，還會(huì)追究法人的責(zé)任。 然而
2021-01-07 16:22:41830 西安高新區(qū)二季度重點(diǎn)項(xiàng)目集中開(kāi)工儀式舉行，會(huì)上集中開(kāi)工項(xiàng)目共計(jì)51個(gè)，總投資約1165億元，項(xiàng)目涉及先進(jìn)制造業(yè)、服務(wù)業(yè)、新材料新能源、電子信息等領(lǐng)域。 其中，化合物半導(dǎo)體延片研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目、比亞迪西安
2021-06-21 10:16:504328 M5PID復(fù)合氣體檢測(cè)儀可檢測(cè)到的有機(jī)化合物
2021-08-20 17:19:44
4 vocs在線監(jiān)測(cè)儀主要監(jiān)測(cè)空氣中活潑的一類揮發(fā)性有機(jī)物，即會(huì)產(chǎn)生危害的那一類揮發(fā)性有機(jī)物。那么voc在線監(jiān)測(cè)儀可以測(cè)哪些參數(shù)呢 總的來(lái)說(shuō)，揮發(fā)性有機(jī)化合物是除CO、CO2、H2CO3、金屬碳化物
2021-12-14 15:35:521227 半導(dǎo)體行業(yè)尤其是光電化合物半導(dǎo)體行業(yè)近年來(lái)國(guó)際市場(chǎng)專利糾紛不斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)持有完備的高價(jià)值專利資產(chǎn)將有利于我國(guó)快速獲得光電化合物半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)際話語(yǔ)權(quán)。
2022-03-11 11:54:201168 
第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor）材料，其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦（InP）是第二代半導(dǎo)體材料中的代表，氮化鎵（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表。
2022-09-16 09:56:081508 電子遷移率（electron mobility）高。這個(gè)特性帶來(lái)的功能上的好處是低噪音，高頻。比如GaAs是硅的5倍速度。這種半導(dǎo)體可以進(jìn)行高速運(yùn)算。
2022-09-21 09:49:213314 常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:086802 研究機(jī)構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，認(rèn)為在功率和光學(xué)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，到2027年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到24億美元，2021-2027年間復(fù)合年增長(zhǎng)率為16%。 該機(jī)
2022-11-21 10:31:392027 
來(lái)源：化合物半導(dǎo)體雜志 SEMICON / FPD China 2023將于6月29日在上海新國(guó)際博覽中心（E1-E7，T1-T3）揭幕，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，SEMICON China 2023展覽面積達(dá)
2023-06-13 16:24:091174 
西安電子科技大學(xué)教授、副校長(zhǎng)郝躍中國(guó)科學(xué)院微電子研究所劉新宇一、引言化合物半導(dǎo)體具有飽和速度高、能帶易剪裁、帶隙寬等特性，在超高頻、大功率、高效率等方面表現(xiàn)出優(yōu)越的性能，因此，化合物半導(dǎo)體電子器件
2022-01-04 16:32:223315 
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高
2022-01-12 10:45:13719 9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823
2022-01-11 17:26:311104 中電化合物致力研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，已在寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園建成包含碳化硅襯底、碳化硅外延和氮化鎵外延的現(xiàn)代化生產(chǎn)車間
2023-06-30 16:53:061079 衢州智造新城消息顯示，衢州先導(dǎo)集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導(dǎo)體及器件模組項(xiàng)目總投資110億元，位于衢州智造新城高新片區(qū)及智造新城東港片區(qū)，總用地面積約1038畝。
2023-07-06 15:55:522888 報(bào)道強(qiáng)調(diào)，隨著全球消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)和需求成長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體的價(jià)格一直在上漲。因此，市場(chǎng)希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體，達(dá)到比傳統(tǒng)單晶硅基半導(dǎo)體更高的電源轉(zhuǎn)換效率、更高的功率密度，此外耐用性會(huì)更佳，進(jìn)一步迎合汽車應(yīng)用的等惡劣作業(yè)環(huán)境。
2023-07-13 16:18:251286 
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來(lái)制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體
2023-08-14 11:31:473396 我們?nèi)A林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù)，例如半導(dǎo)體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:311104 
2021年化合物半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告
2023-01-13 09:05:469 來(lái)源：ACT半導(dǎo)體芯科技 2023年已接近尾聲，半導(dǎo)體行業(yè)依然在挑戰(zhàn)中前行。隨著市場(chǎng)需求和應(yīng)用領(lǐng)域的變化，半導(dǎo)體企業(yè)需要不斷推出新產(chǎn)品和解決方案，以滿足市場(chǎng)的需求。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代信息技術(shù)
2023-11-20 18:32:52976 
清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺(jué)領(lǐng)域量檢測(cè)軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無(wú)損檢測(cè)裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:383463 
據(jù)悉，本項(xiàng)目計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)竣工并投入運(yùn)營(yíng)。它是省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺(tái)，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料的2至3英寸激光器和探測(cè)器芯片產(chǎn)線，以及相應(yīng)的器件封裝能力。
2023-12-12 10:34:151506 “半導(dǎo)體”是一種特性介于“導(dǎo)體“和“絕緣體”之間的物質(zhì)，前者像金屬一樣導(dǎo)電，后者幾乎不導(dǎo)電，電流流動(dòng)的容易程度與物質(zhì)電阻的大小有關(guān)。
2023-12-14 18:26:241504 
據(jù)中建八局上海公司官微消息，12月24日，中航紅外新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項(xiàng)目全面封頂。 據(jù)此前“上海臨港”公眾號(hào)發(fā)布的項(xiàng)目相關(guān)消息，該項(xiàng)目總投資11.6億元，位于浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)，總建筑面積
2023-12-28 16:16:541024 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:232252 日前，寧波市經(jīng)濟(jì)和信息化局正式公布《2024年度寧波市優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品推薦目錄》。清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司旗下“國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品”、中電化合物半導(dǎo)體有限公司旗下“6吋車規(guī)級(jí)SiC外延片”雙雙入選。
2024-03-15 17:24:502470 
?4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在武漢中國(guó)光谷科技會(huì)展中心開(kāi)幕。海內(nèi)外化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚一堂，9位國(guó)內(nèi)外院士、300多名行業(yè)領(lǐng)軍人，800多家企業(yè)代表，來(lái)自全球
2024-04-11 11:22:351142 
3月24日，SEMICON China 2024展會(huì)在上海盛大開(kāi)展,同期在上海召開(kāi)功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱紹諺受邀出席本次大會(huì)，并在會(huì)上做主題演講。
2024-04-19 14:14:551235 
局限性。為了滿足這些高性能需求，化合物半導(dǎo)體材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等應(yīng)運(yùn)而生，它們以其卓越的電學(xué)特性，為新一代電子設(shè)備提供了無(wú)限可能。
2024-12-25 14:25:31902 電化合物有限公司連續(xù)3年獲得了相關(guān)獎(jiǎng)項(xiàng)，繼2022年榮獲“中國(guó)SiC襯底十強(qiáng)”，2023年榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)后，本次榮獲“中國(guó)SiC外延影響力企業(yè)”稱號(hào)。 ? ?
2024-12-19 14:44:501230 
▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來(lái)源：LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日，兆馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會(huì)在江西隆重召開(kāi)，在盛典上，兆馳集團(tuán)明確了未來(lái)10到20年
2025-01-23 11:49:081624 
根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來(lái)幾年的快速擴(kuò)張潛力，特別是在汽車和移動(dòng)出行領(lǐng)域
2025-03-04 11:42:001083 
近日，第三屆九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“九峰山論壇”）正式開(kāi)幕。華工科技核心子公司華工激光攜全新升級(jí)的化合物半導(dǎo)體“激光+量測(cè)”先進(jìn)裝備整體解決方案亮相展會(huì)，子公司華工正源總經(jīng)理胡
2025-04-29 14:15:45876 什么是金屬間化合物（IMC）金屬間化合物（IMC）是兩種及以上金屬原子經(jīng)擴(kuò)散反應(yīng)形成的特定化學(xué)計(jì)量比化合物，其晶體結(jié)構(gòu)決定界面機(jī)械強(qiáng)度與電學(xué)性能。在芯片封裝中，常見(jiàn)的IMC產(chǎn)生于如金與鋁、銅與錫等
2025-09-11 14:42:282146 
2026年4月23–25日，第三屆中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE 2026）將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。
本屆展會(huì)以“核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái)”為主題聚焦化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，搭建全球性的技術(shù)交流、產(chǎn)品展示與產(chǎn)業(yè)合作高端平臺(tái)。
2025-09-22 14:31:32846 
在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的規(guī)?；瘧?yīng)用，到第四代氧化鎵（Ga2O3
2025-09-30 15:44:091412 
半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的范式轉(zhuǎn)變。盡管硅材料在數(shù)十年間始終占據(jù)主導(dǎo)地位，但化合物半導(dǎo)體（由元素周期表中兩種及以上元素構(gòu)成的材料）正迅速崛起，成為下一代技術(shù)的核心基石。從電動(dòng)汽車到5G基礎(chǔ)設(shè)施，這些
2025-10-14 09:19:17656 
在5G/6G通信、電動(dòng)汽車（EV）功率器件、新能源裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體（SiC、GaN、GaAs等）已成為突破硅基材料性能瓶頸的核心載體。然而，其制造流程中——晶體生長(zhǎng)與外延階段的隱性缺陷
2025-10-21 10:05:21673 打造全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo)，CSE每年定期舉辦行業(yè)最高規(guī)格展會(huì)及專業(yè)高峰論壇(JFSC)為學(xué)術(shù)界及全產(chǎn)業(yè)鏈提供高效的交流和展示服務(wù)，積極推動(dòng)科學(xué)進(jìn)步及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2025-09-19 10:08:04
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