隨機存取和非隨機存取的區(qū)別

　　1、隨機存取就是直接存取，可以通過下標直接訪問的那種數(shù)據(jù)結構，與存儲位置無關，例如數(shù)組。非隨機存取就是順序存取了，不能通過下標訪問了，只能按照存儲順序存取，與存儲位置有關，例如鏈表。

　　2、順序存取就是存取第N個數(shù)據(jù)時，必須先訪問前（N-1）個數(shù)據(jù) （list），隨機存取就是存取第N個數(shù)據(jù)時，不需要訪問前（N-1）個數(shù)據(jù)，直接就可以對第N個數(shù)據(jù)操作 （array）。

　　隨機存取和非隨機存取的結構

　　1、順序存儲結構

　　在計算機中用一組地址連續(xù)的存儲單元依次存儲線性表的各個數(shù)據(jù)元素，稱作線性表的順序存儲結構。

　　順序存儲結構是存儲結構類型中的一種，該結構是把邏輯上相鄰的節(jié)點存儲在物理位置上相鄰的存儲單元中，結點之間的邏輯關系由存儲單元的鄰接關系來體現(xiàn)。由此得到的存儲結構為順序存儲結構，通常順序存儲結構是借助于計算機程序設計語言（例如c/c++）的數(shù)組來描述的。

　　順序存儲結構的主要優(yōu)點是節(jié)省存儲空間，因為分配給數(shù)據(jù)的存儲單元全用存放結點的數(shù)據(jù)（不考慮c/c++語言中數(shù)組需指定大小的情況），結點之間的邏輯關系沒有占用額外的存儲空間。采用這種方法時，可實現(xiàn)對結點的隨機存取，即每一個結點對應一個序號，由該序號可以直接計算出來結點的存儲地址。但順序存儲方法的主要缺點是不便于修改，對結點的插入、刪除運算時，可能要移動一系列的結點。

　　2、隨機存儲結構

　　在計算機中用一組任意的存儲單元存儲線性表的數(shù)據(jù)元素（這組存儲單元可以是連續(xù)的，也可以是不連續(xù)的）。

　　它不要求邏輯上相鄰的元素在物理位置上也相鄰。因此它沒有順序存儲結構所具有的弱點，但也同時失去了順序表可隨機存取的優(yōu)點。

　　鏈式存儲結構特點

　　1、比順序存儲結構的存儲密度小 （每個節(jié)點都由數(shù)據(jù)域和指針域組成，所以相同空間內(nèi)假設全存滿的話順序比鏈式存儲更多）。

　　2、邏輯上相鄰的節(jié)點物理上不必相鄰。

　　3、插入、刪除靈活 （不必移動節(jié)點，只要改變節(jié)點中的指針）。

　　4、查找結點時鏈式存儲要比順序存儲慢。

　　5、每個結點是由數(shù)據(jù)域和指針域組成。

　　隨機存取的用途

　　SRAM：靜態(tài)隨機存取存儲器采取多重晶體管設計，通常每個存儲單元使用4-6只晶體管，但沒有電容器。SRAM主要用于緩存。

　　DRAM：動態(tài)隨機存取存儲器中每個存儲單元由配對出現(xiàn)的晶體管和電容器構成，需要不斷地刷新。

　　FPM DRAM：快速頁模式動態(tài)隨機存取存儲器是最早的一種DRAM。在存儲器根據(jù)行列地址進行位元定位的全程中，F(xiàn)PM DRAM必須處于等待狀態(tài)，數(shù)據(jù)讀取之后才能開始處理下一位數(shù)據(jù)。向二級緩存的最高傳輸速率約為176MB每秒。

　　EDO DRAM：擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器在處理前一位數(shù)據(jù)的過程中無需全程等待，就可以開始處理下一位數(shù)據(jù)。只要前一位數(shù)據(jù)的地址定位成功，EDO DRAM就開始為下一位數(shù)據(jù)尋址。它比FPM快5%左右。向二級緩存的最高傳輸速率約為264MB每秒。

　　SDRAM：同步動態(tài)隨機存取存儲器利用了爆發(fā)模式的概念，大大提升了性能。這種模式在讀取數(shù)據(jù)時首先鎖定一個記憶行，然后迅速掃過各記憶列，與此同時讀取列上的位元數(shù)據(jù)。之所以有這種設計思想，是因為多數(shù)時候CPU請求的數(shù)據(jù)在內(nèi)存中的位置是相鄰的。SDRAM比EDO RAM快5%左右，已成為當今臺式機內(nèi)存中應用最廣的一種。向二級緩存的最高傳輸速率約為528MB 每秒。

　　DDR SDRAM：雙倍速率同步動態(tài)RAM與SDRAM相似，但帶寬更高，即速度更快。向二級緩存的最高傳輸速率約為1064MB每秒。（133兆赫茲DDR SDRAM）。

　　RDRAM：Rambus動態(tài)隨機存取存儲器同先前的DRAM體系有著根本性的區(qū)別。由Rambus公司設計的RDRAM采用了Rambus直插式內(nèi)存模組（RIMM），在外形尺寸和引腳構造方面類似于標準的DIMM。RDRAM與眾不同之處在于它采取一種特殊的高速數(shù)據(jù)總線設計，稱為Rambus信道。RDRAM內(nèi)存芯片在并行模式下工作頻率可達800兆赫（數(shù)據(jù)速率1600兆字節(jié)）。由于操作速率很高，RDRAM產(chǎn)生的熱量要大大多于其他類型的芯片。為了驅(qū)散多余的熱量，Rambus芯片配有散熱器，這種散熱器看上去就像是又長又薄的圓片。正如DIMM有其小外形版本一樣，生產(chǎn)商還為筆記本電腦設計了小外形RIMM。

　　信用卡內(nèi)存：信用卡內(nèi)存是一種享有專利權的獨立DRAM內(nèi)存模組，使用時要將其插入筆記本電腦的特制長槽中。

　　PCMCIA內(nèi)存卡：另一種用于筆記本電腦的獨立DRAM內(nèi)存模組，這種內(nèi)存卡不享有專利權，只要系統(tǒng)總線能與內(nèi)存卡設置相互匹配，即可用于各種筆記本電腦。

　　CMOS RAM：CMOS RAM這一術語是指用于電腦和其他設備中的一種小容量存儲器，用來存儲硬盤設置等信息——有關詳細信息，請查見《計算機基本知識》一文。這種內(nèi)存需要一個小型電池來供電，以維持存儲器的內(nèi)容。

　　VRAM：視頻RAM，亦稱多端口動態(tài)隨機存取存儲器（MPDRAM），為顯示適配器和3D加速卡所專用。所謂“多端口”是指VRAM通常會有兩個獨立的訪問端口，而非單一端口，允許CPU和圖形處理器同時訪問RAM。VRAM位于圖形卡上，且種類繁多，其中很多享有專利權。VRAM的大小往往能決定顯示器的分辨率和色深度。VRAM還可以用來保存一些圖形專用信息，例如3D幾何數(shù)據(jù)和質(zhì)素圖。真正的多端口VRAM往往價格不菲，因而當今的圖形卡使用SGRAM（同步圖形RAM）作為替代品。兩種顯存性能相差無幾，而SGRAM價格更為便宜。