“到2030年，第三代半導體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進入世界先進行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過70%?！边@是日前在京舉辦的第三代半導體戰(zhàn)略發(fā)布會上，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲所描述的我國半導體產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展前景。

據(jù)專家介紹，與第一代、第二代半導體材料及集成電路產(chǎn)業(yè)上的多年落后、很難追趕國際先進水平的形勢不同，我國在第三代半導體領(lǐng)域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術(shù)水平和國際先進水平差距不大。當前，已經(jīng)發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅(qū)、進而可能在部分領(lǐng)域獲得領(lǐng)先和比較優(yōu)勢的階段，并且有機會實現(xiàn)超越。

因其有較好的應(yīng)用前景和未來市場潛力巨大，第三代半導體產(chǎn)業(yè)也被我國決策層納入戰(zhàn)略發(fā)展的重要產(chǎn)業(yè)。例如，從2004年開始，我國政府就第三代半導體材料研究與開發(fā)進行了相應(yīng)的部署，并啟動了一系列的重大研究項目。2013年，科技部在863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域項目征集指南中也特別指出了要將第三代半導體材料及應(yīng)用列入重要內(nèi)容。

技術(shù)水平并駕齊驅(qū)

據(jù)悉，第三代半導體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、搞電子密度、高遷移率等特點，因此也被業(yè)內(nèi)譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。

記者在采訪中獲悉，半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，第一代半導體材料以硅(Si)為代表，以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導體材料和以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等寬禁帶為代表的第三代半導體材料。相較前兩代產(chǎn)品，第三代半導體其性能優(yōu)勢非常顯著且受到業(yè)內(nèi)的廣泛好評。

對于第三代半導體發(fā)展，科技部高新司副司長曹國英曾表示，第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新基地的建設(shè)對促進產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有十分積極的作用，科技部高新司也將會持續(xù)支持第三代半導體的建設(shè)及基地的發(fā)展。

一些地方也將半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作為主要項目予以特別關(guān)注。例如，北京市科委主任閆傲霜就曾表示，建設(shè)第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，既是國家級的重要戰(zhàn)略部署，也是北京作為全球科技創(chuàng)新中心的一項重要的決策。

有專家舉例說，氮化鎵技術(shù)正助力5G移動通信在全球加速奔跑，5G移動通信將從人與人通信拓展到萬物互聯(lián)，預(yù)計2025年全球?qū)a(chǎn)生1000億的連接。5G技術(shù)不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性以支持海量設(shè)備的互聯(lián)。

在專利方面，決策層對第三代半導體產(chǎn)業(yè)的知識產(chǎn)權(quán)問題也較為重視。在2015年，我國不僅成立了第三代半導體專利聯(lián)盟，而且還搭建了第三代半導體只是產(chǎn)權(quán)創(chuàng)新服務(wù)平臺。同年5月份，京津冀就聯(lián)合共建了第三代半導體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，搶占第三代半導體戰(zhàn)略新高地。

市場份額從5%擴大50%

第三代半導體以氮化鎵毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗也成為各地政府爭相推進的項目。近幾年，第三代半導體產(chǎn)業(yè)也在各級政府的支持下得到了快速發(fā)展，市場份額也實現(xiàn)了快速發(fā)展。

根據(jù)國際半導體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)發(fā)布的報告，預(yù)計將于2017年—2020年間投產(chǎn)的半導體晶圓廠約為62座，其中26座將設(shè)于中國，占全球總數(shù)42%。這些建于我國的晶圓廠2017年預(yù)計將有6座上線投產(chǎn)。

中商產(chǎn)業(yè)研究院給記者提供的數(shù)據(jù)顯示，2000年~2015年之間，中國半導體市場增速領(lǐng)跑全球，達到21.4%，其中全球半導體年均增速是3.6%，美國將近5%，歐洲和日本都較低，亞太較高是13%。

就市場份額而言，目前中國半導體市場份額從5%提升到50%，成為全球的核心市場。2015年全球半導體市場銷售額為3352億美元，同比下降了0.2%。而相對應(yīng)的是中國半導體市場依舊保持較高景氣度，半導體市場規(guī)模達到1649億美元，同比增長6.1%，成為全球為數(shù)不多的仍能保持增長的區(qū)域市場。

根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)公布最新出貨報告顯示，今年5月北美半導體設(shè)備制造商出貨金額為22.7億美元，環(huán)比增長6.4%，同比增長41.9%，創(chuàng)下自2001年3月以來歷史新高。SEMI預(yù)計，2017年全球設(shè)備出貨量將達到歷史新高490億美元。

在全球半導體市場火熱帶動下，我國與之相關(guān)的半導體企業(yè)其利潤也迎來了“開門紅”。截至6月21日，有13家半導體企業(yè)發(fā)布了2017年中報業(yè)績預(yù)告，在13家半導體企業(yè)中，有9家預(yù)增續(xù)盈，增長比例近七成。

記者統(tǒng)計顯示，康強電子、華天科技、潔美科技預(yù)計半年報凈利潤最大增幅超50%。據(jù)康強電子預(yù)計，上半年凈利潤為2700萬-3500萬元，同比增長53.59%-99.10%。對于業(yè)績增長的主要原因，公司表示，半導體行業(yè)持續(xù)回暖，預(yù)計公司制造業(yè)板塊主要產(chǎn)品產(chǎn)銷量及銷售收入較上年同期有較大幅度增長。公司推進管理轉(zhuǎn)型升級，提高運營效率和產(chǎn)品質(zhì)量，降本增效。

中商產(chǎn)業(yè)研究院半導體研究員林寶宜在接受記者采訪時說，半導體設(shè)備制造商出貨金額持續(xù)高速增長，主要驅(qū)動力來自于技術(shù)與市場兩方面。技術(shù)方面源于相關(guān)廠商對3DNAND及高階制程的持續(xù)投入。市場方面來自于近年來晶圓廠的建設(shè)浪潮，這兩方面驅(qū)動力未來兩年內(nèi)將持續(xù)推動半導體產(chǎn)業(yè)不斷提升。

整體實力仍顯不足

近些年來，我國的第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展相較以往可以說取得了不少的進步，其技術(shù)也逐步從第一代、第二代邁向了第三代。其產(chǎn)業(yè)規(guī)模也在不斷擴大，產(chǎn)業(yè)發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

值得一提的是，第三代半導體材料在應(yīng)用領(lǐng)域涉及到能源、交通、裝備、信息、家用電器等多個領(lǐng)域。然而，涉及面廣的第三代半導體材料因產(chǎn)業(yè)鏈長、應(yīng)用覆蓋面廣，國內(nèi)絕大多數(shù)的企業(yè)在獨立完成全產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新方面仍不足。造成的結(jié)果就是，雖然我國第三代半導體在技術(shù)研發(fā)方面與發(fā)達國家相比差距較小，但仍然面臨不少技術(shù)難關(guān)。

而事實上，這一困境也成為不少企業(yè)在發(fā)展過程中所面臨的一大挑戰(zhàn)?！鞍雽w產(chǎn)業(yè)發(fā)展十分火熱，但是從整體實力來看仍然存在不足”。林寶宜說，在IP核市場，中國依舊嚴重依賴外部供給，85%以上為國外供應(yīng)商提供。

有數(shù)據(jù)顯示，2015年中國集成電路進口金額2307億美元，其進口額超過原油，成為我國第一大進口商品，出口集成電路金額693億美元，進出口逆差1613億美元。較大的逆差凸顯半導體市場供需不匹配，嚴重依賴進口的局面亟待改善。

華南智慧創(chuàng)新研究院院長曾海偉認為，國內(nèi)的半導體產(chǎn)業(yè)需求已占到全球市場需求的30%，但產(chǎn)能只有10%，處于產(chǎn)業(yè)鏈的底部，更是缺乏大型的、有核心技術(shù)及話語權(quán)的龍頭公司。

曾海偉在接受記者采訪時表示，半導體的發(fā)展不是一朝一夕發(fā)展起來的，我國半導體發(fā)展還面臨著人才、技術(shù)和經(jīng)驗的瓶頸。同時，創(chuàng)新鏈不通、缺乏體制機制創(chuàng)新也是阻礙其發(fā)展的原因。

“最大的瓶頸是原材料?！倍辔粯I(yè)內(nèi)專家曾表示，我國原材料的質(zhì)量、制備問題亟待破解。目前，我國對sic晶元的制備尚未空缺，大多數(shù)設(shè)備靠國外進口。

也有專家認為，國內(nèi)開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內(nèi)第三代半導體研究進展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。國內(nèi)新材料領(lǐng)域的科研院所和相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)大都急功近利，難以容忍長期“只投入，不產(chǎn)出”的現(xiàn)狀。因此，以第三代半導體材料為代表的新材料原始創(chuàng)新舉步維艱。

所謂的原始創(chuàng)新就是從無到有的創(chuàng)新過程，其特點是投入大、周期長。以SiC為例，其具有寬的禁帶寬度、高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，非常適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

資料顯示，SiC生長晶體難度很大，雖然經(jīng)過了數(shù)十年的研究發(fā)展，到目前為止只有美國的Cree公司、德國的SiCrystal公司和日本的新日鐵公司等少數(shù)幾家公司掌握了SiC的生長技術(shù)，能夠生產(chǎn)出較好的產(chǎn)品，但離真正的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用也還有較大的距離。因此，以第三代半導體材料為代表的新材料原始創(chuàng)新舉步維艱，是實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的一大桎梏。

有業(yè)內(nèi)人士認為，雖然半導體產(chǎn)業(yè)從來不是完全由市場決定的，都是以企業(yè)為主，我國的半導體產(chǎn)業(yè)還不具有很強競爭力，與中國的大國地位還不匹配，半導體企業(yè)還需要跟歐美、日韓的企業(yè)學習，還有很長的路要走。