DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。此外，DS1345器件具有監(jiān)視VCC狀態(tài)和內(nèi)部鋰電池狀態(tài)的專用電路。PowerCap模塊封裝的DS1345器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構成一個完整的非易失SRAM模塊?？捎脕硖娲?28k x 8 SRAM、EEPROM或閃存器件。

　　關鍵特性

　　在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護

　　當VCC電壓跌落時，電源監(jiān)視器能夠復位處理器、并在VCC上升期間持續(xù)保持處理器的復位狀態(tài)

　　電池監(jiān)視器核查剩余電量

　　70ns的讀寫存取時間

　　沒有寫次數(shù)限制

　　典型待機電流50μA

　　可升級128k x 8 SRAM、EEPROM或閃存

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　±10% VCC工作范圍(DS1345Y)或±5% VCC工作范圍(DS1345AB)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND

　　PowerCap模塊(PCM)封裝

　　表面貼裝模塊

　　可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池

　　所有NV SRAM器件提供標準引腳分離的PowerCap用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

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DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。

2013-02-19 16:53:30

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使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM

使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南

2017-01-07 21:45:57

使用非易失性計時RAM與微控制器

The nonvolatile timekeeping family of real-time clock （RTC） products provide battery-backed NV SRAM

2017-04-07 09:57:02

as7c316098b REV 1.0 1024K×16位高速CMOS SRAM

The AS7C316098B is a 16M-bit high speed CMOS static random access memory organized as 1024K words

2017-09-19 17:32:52

SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實時時鐘

SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM帶實時時鐘

2017-10-10 08:56:32

新型非易失存儲MVM數(shù)據(jù)管理

為適應底層存儲架構的變化，上層數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲器件（NVM）的出現(xiàn)，勢必對數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)帶來重大

2018-01-02 19:04:40

非易失可重復編程FPGA解決方案的應用

事實上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗基礎上，萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。

2019-06-16 09:48:47

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關于非易失性NV-SRAM的簡介，它的用途是什么

。本文存儲芯片供應商宇芯電子先帶大家認識一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介在現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中，存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時宜的隨機存取存儲器（RAM）。這個名稱意義不大，因為當今所有內(nèi)存都是隨機訪問的。當工程

2020-09-11 16:09:32

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非易失性NV-SRAM的應用，它的應用優(yōu)勢是什么

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù)，而且在封裝技術方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護的場合。因此將比較它需要多長時間來擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)

2020-10-27 14:22:51

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非易失性存儲器NV-SRAM的關鍵屬性是什么

NV-SRAM具有以下優(yōu)點，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應用中的非易失性緩存實施。快速訪問：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關。如果管理不當，則連接到快速控制器的慢速

2020-12-18 14:44:28

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賽普拉斯NV-SRAM的解決方案，它的優(yōu)勢是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍

2020-12-22 15:18:33

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如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以

2021-01-11 16:44:20

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NV-SRAM是什么，它的主要特征是什么

NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨立的非易失性存儲器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲器中，并

2022-06-10 15:23:01

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FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載

2022-07-12 10:20:41

STT-MRAM非易失存儲器特點及應用

STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。

2022-11-29 15:57:58

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電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達拉斯半導體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

2023-01-10 14:25:59

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基于SRAM的微控制器優(yōu)化了安全性

結果表明，非易失性（NV）SRAM是用于存儲安全數(shù)據(jù)的最安全的存儲器。通過使用 DES 或三重 DES 加密內(nèi)存，可以建立加密邊界，使安全信息不被黑客滲透。通過使用防篡改反應傳感器，可以進一步保護

2023-03-01 16:16:28

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Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。

2023-05-12 16:31:39

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賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。

2024-01-09 10:54:28

1370

DS1249AB 2048k非易失SRAM技術手冊

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

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DS1265AB 8M非易失SRAM技術手冊

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍

2025-02-27 09:19:54

825

DS1244系列256k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC

2025-02-27 10:10:50

933

DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

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DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

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