并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:19
2378 
新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
2021-04-01 11:10:543054 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機械電位器的功能，用簡單的2線數(shù)字接口取代機械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
數(shù)字電位器存儲類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
interconnect applications.The device operates from a single 3.3V or 5.0Vpower supply and includes one differential line driver
2009-10-13 09:27:44
17 interconnect applications.The device operates from a single 3.3V or 5.0Vpower supply and includes one differential line driver
2009-10-13 09:30:175 The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid
2009-10-14 10:12:1711 The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used
2009-10-14 10:26:4711 DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS3070W是Dallas公司最新推出的單片、內(nèi)含實時時鐘的非易失性靜態(tài)存儲器。該器件內(nèi)部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、實時時鐘和一個鋰錳（ML）可充電電池。介紹了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:4622 DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數(shù)字電位器，具有200kΩ端到端電阻。滑動端位置存儲在EEPROM中，因此DS4301上電時就處于最近
2008-10-01 23:49:531158 
該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個字節(jié)寬
2010-09-15 09:51:321001 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:421307 
DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081867 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321445 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:521000 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:531078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
MAX5392是雙路、256抽頭、易失型、低壓線性變化數(shù)字電位器，提供10kΩ、50kΩ以及100kΩ三種端到端電阻。器件采用+1.7V
2010-12-09 09:41:281389 
MAX5389是雙路、256抽頭、易失型、低電壓線性變化數(shù)字電位器，提供10kΩ、50kΩ以及100kΩ三種端到端電阻。器件采
2010-12-09 09:44:181305 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11735 
Features AS7C256 (5V version) AS7C3256 (3.3V version) Industrial and commercial temperature
2011-04-02 10:38:5152 DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:371201 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘
2011-12-19 11:15:392071 
DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM
2011-12-19 11:33:0940 具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM
2012-03-19 16:28:122685 
DS1086L EconOscillator?是一種3.3V、可編程時鐘發(fā)生器，可產(chǎn)生頻率在130kHz至66.6MHz、經(jīng)過頻譜擴(kuò)展(抖動)的方波輸出。
2012-03-22 15:45:062716 
DS1323設(shè)計靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測器，采用CMOS電路設(shè)計，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲器的實際應(yīng)用問題。
2012-04-16 12:11:022664 DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅
2015-12-14 14:11:200 使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 to the DS164_， with the addition of a century bit and optional 3.3V operation.
2017-04-07 09:57:023 he CY7C1353G is a 3.3 V， 256K × 18 synchronous flow-through burst SRAM designed specifically
2017-09-14 17:05:283 256K of memory is organized as 32，768 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology
2017-09-15 11:09:2411 The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:32:584 為適應(yīng)底層存儲架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲器件（NVM）的出現(xiàn)，勢必對數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)帶來重大
2018-01-02 19:04:400 Microchip Technology Inc.的23X256系列是256 Kb的串
行 SRAM 器件。通過一個兼容串行外設(shè)接口 （Serial
Peripheral Interface
2018-07-02 11:22:0033 事實上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 。本文存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介 在現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中，存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時宜的隨機存取存儲器（RAM）。這個名稱意義不大，因為當(dāng)今所有內(nèi)存都是隨機訪問的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:322230 18V降壓3.3V，15V降壓3.3V的降壓IC和LDO芯片方案
2020-11-25 17:56:0924 18V轉(zhuǎn)3.3V，15V轉(zhuǎn)3.3V的電源芯片和40V的LDO
2020-11-25 17:50:5811 一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:202306 AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、非易失性數(shù)字電位計
2021-03-21 05:50:205 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Amiga 1000 A1050 256K芯片內(nèi)存擴(kuò)展帶插座.zip》資料免費下載
2022-08-05 11:54:540 STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 本電路采用電壓調(diào)整器TL431A，首先生成2.495V的基準(zhǔn)電壓，再經(jīng)過同相放大生成3.3V電壓，為保證3.3V電源的帶載能力，后增加一功率三極管，這樣3.3V電源電流是從5V處取得，從而提高了3.3V電源的輸出能力，整個電路的功耗也很小。
2023-03-27 11:50:329614 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.3V土10%輸入，1.5KV隔離3.3V/1W單路輸出解決方案VP8504B001數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-05-15 14:56:412 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09953 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54825 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50933 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41750 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58892 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351042 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32933 
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