16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶(hù)流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開(kāi)發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 16nm/14nm FinFET技術(shù)將是一個(gè)Niche技術(shù)，或者成為IC設(shè)計(jì)的主流？歷史證明，每當(dāng)創(chuàng)新出現(xiàn)，人們就會(huì)勾勒如何加以利用以實(shí)現(xiàn)新的、而且往往是意想不到的價(jià)值。FinFET技術(shù)將開(kāi)啟電腦、通信和所有類(lèi)型消費(fèi)電子產(chǎn)品的大躍進(jìn)時(shí)代。
2013-03-28 09:26:472161 微處理器設(shè)計(jì)公司ARM與臺(tái)積電今天共同宣布，首個(gè)采用臺(tái)積電下下代16nm工藝制程FinFET技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A57處理器已成功流片。Cortex-A57處理器為ARM旗下性能最高的處理器。
2013-04-03 09:05:051157 ARM （LSE:ARM; Nasdaq： ARMH） 和Cadence （NASDAQ： CDNS） 今天宣布合作細(xì)節(jié)，揭示其共同開(kāi)發(fā)首款基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的ARM?Cortex?-A57處理器，實(shí)現(xiàn)對(duì)16納米性能和功耗縮小的承諾。
2013-04-07 13:46:441509 Cadence系統(tǒng)芯片開(kāi)發(fā)工具已經(jīng)通過(guò)臺(tái)積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶(hù)現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢(shì)。
2013-06-06 09:26:451236 在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 有消息稱(chēng)，這款蘋(píng)果A8芯片將會(huì)采用臺(tái)積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會(huì)采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會(huì)在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:431870 臺(tái)積電昨日宣布其將在未來(lái)一年內(nèi)調(diào)用至少100億美元的經(jīng)費(fèi)來(lái)增加在16nm FinFET芯片的工業(yè)生產(chǎn)。旨在進(jìn)一步提升其在FinFET技術(shù)上的領(lǐng)先地位。
2014-10-17 16:33:39965 億美元。##目前，IBM與ST在32nm與28nm上提供FD SOI工藝，IBM的產(chǎn)能最大，ST的產(chǎn)能小。##對(duì)于FinFet，完成一個(gè)14/16nm的設(shè)計(jì)，成本高達(dá)2.127億美元。
2014-10-20 11:03:1017671 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱(chēng)16FF+）工藝已經(jīng)開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱(chēng)可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在率先量產(chǎn)20nm UltraScale系列產(chǎn)品之后，全球領(lǐng)先的All Programmable解決方案提供商賽靈思最近又推出了全新的16nm UltraScale+系列FPGA、3D IC和MPSoC產(chǎn)品。再次實(shí)現(xiàn)了遙遙領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。
2015-03-04 09:47:261887 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 隨著臺(tái)積電揭曉7月份營(yíng)收表現(xiàn)，其中同時(shí)透露旗下16nm FinFET+制程技術(shù)將如期于今年第三季內(nèi)投入量產(chǎn)，預(yù)期將用于代工量產(chǎn)華為旗下海思半導(dǎo)體新款Kirin 950處理器，同時(shí)也將協(xié)助量產(chǎn)蘋(píng)果A9處理器。
2015-08-12 10:45:111438 華為日前正式發(fā)布麒麟家族新成員麒麟650芯片。麒麟650采用了領(lǐng)先的16nm FinFET plus工藝，是全球第三款采用此尖端工藝的手機(jī)芯片，也是第二款16nm FinFET plus工藝量產(chǎn)
2016-04-30 00:22:0031747 在目前市面上常見(jiàn)的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm這4種制程為主，每種制程根據(jù)生產(chǎn)工藝不同還衍生出很多版本，比如28nm工藝，先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四種版本。
2016-05-18 10:52:364402 2016年各大晶圓廠(chǎng)的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝，Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝，由于Intel也要進(jìn)軍10nm代工了，這三家免不了一場(chǎng)大戰(zhàn)。但是另一家代工廠(chǎng)
2016-08-17 16:59:402693 著稱(chēng)，三星為了趕超臺(tái)積電選擇直接跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET工藝，臺(tái)積電雖然首先開(kāi)發(fā)出16nm工藝不過(guò)由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進(jìn)行改進(jìn)引入FinFET工藝，就此三星成功實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先。
2017-03-02 01:04:491675 增強(qiáng)；同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開(kāi)始采用FinFET技術(shù)。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)注：圖3、圖6的圖片來(lái)于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20
臺(tái)積電0.18工藝電源電壓分別是多少？是1.8v跟3.3v嗎？
2021-06-25 06:32:37
臺(tái)積電宣布5nm基本完工開(kāi)始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
` 觀(guān)點(diǎn)：在技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)下，臺(tái)積電獲得蘋(píng)果iPhone5芯片追加訂單已成事實(shí)。然而，在iPhone 5推出后，蘋(píng)果已朝下一世代A7處理器邁進(jìn)，臺(tái)積電憑借技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)，預(yù)估未來(lái)1-2年內(nèi)
2012-09-27 16:48:11
臺(tái)積電正在大量生產(chǎn)用于蘋(píng)果iPhone8手機(jī)的10nm A11處理器。消息稱(chēng)，蘋(píng)果可能在下個(gè)月初正式發(fā)布iPhone 8，但是具體發(fā)貨日期仍然不確定?！ ?jù)悉，臺(tái)積電已經(jīng)采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
需求變化，臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！
對(duì)于這一消息，臺(tái)積電方面表示，相關(guān)制程技術(shù)與時(shí)間表依客戶(hù)需求及市場(chǎng)動(dòng)向而定，目前正處法說(shuō)會(huì)前緘默期，不便多做評(píng)論，將于法說(shuō)會(huì)說(shuō)明。
目前28nm工藝代工市場(chǎng)
2023-05-10 10:54:09
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
描述PMP10555 參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無(wú)線(xiàn)基站應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器 IC
2018-11-19 14:58:25
`描述PMP10555 參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無(wú)線(xiàn)基站應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器 IC
2015-05-11 10:46:35
轉(zhuǎn)自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
了高通的訂單。之后，中芯國(guó)際憑借極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格從Globalfoundries手中奪走了訂單，成為高通電源管理芯片的主要合作伙伴。我們知道，在高通的幫助下，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了28nm工藝量產(chǎn)，而且還加快14nm硅片的量產(chǎn)。由于產(chǎn)能、價(jià)格及新芯片技術(shù)的原因，此次高通將電源管理芯片交給了臺(tái)積電生產(chǎn)。
2017-09-27 09:13:24
。這場(chǎng)戰(zhàn)役兩家大廠(chǎng)互有消長(zhǎng)，首先是三星的14nm較臺(tái)積電的16nm搶先半年投入量產(chǎn)，因兩家大廠(chǎng)的鰭式晶體管(FinFET)設(shè)計(jì)也確有雷同之處，后續(xù)又衍生了競(jìng)業(yè)禁止官司訴訟等故事，無(wú)論如何，最終臺(tái)積電還是
2018-06-14 14:25:19
的寬度，也被稱(chēng)為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺(tái)積電都會(huì)在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
，第三季度以最快速度提升產(chǎn)能，下半年5nm產(chǎn)能提升速度及幅度有望創(chuàng)下該公司產(chǎn)能新紀(jì)錄。到了5nm階段，臺(tái)積電的投資額進(jìn)一步攀升，16nm制程下，1萬(wàn)片產(chǎn)能投資約15億美元，7nm制程下，1萬(wàn)片產(chǎn)能投資估計(jì)30
2020-03-09 10:13:54
各類(lèi)常用工藝庫(kù)臺(tái)積電，中芯國(guó)際，華潤(rùn)上華
2015-12-17 19:52:34
芯片除了核心數(shù)超過(guò)高通之外，在CPU性能、GPU性能、拍照、網(wǎng)絡(luò)等方面皆不如驍龍旗艦，而且制程工藝往往落后一代。因此，Helio X30原本規(guī)劃使用TSMC的16nm FinFET工藝，但同期的競(jìng)品
2017-02-16 11:58:05
本帖最后由 華強(qiáng)芯城 于 2023-3-17 09:16 編輯
晶圓代工巨頭——臺(tái)積電近日傳出漲價(jià)20%的消息，業(yè)內(nèi)轟動(dòng)。這是臺(tái)積電繼2020年底上漲超10%之后，一年之內(nèi)，又一次的大幅上漲
2021-09-02 09:44:44
FZ3 深度學(xué)習(xí)計(jì)算卡是米爾電子推出的一款以 Xilinx XCZU3EG 作為核心的嵌入式智能 AI 開(kāi)發(fā)平臺(tái)。采用了 Xilinx 最新的基于 16nm 工藝的 Xilinx Zynq
2020-10-09 10:21:45
，所以只能以舊工藝（16nm制程）制造A10處理器。除此之外，臺(tái)積電還將獨(dú)家代工重大變化的2017年版iPhone采用的A11處理器。據(jù)稱(chēng)A11芯片將采用10納米FinFET工藝，最早有望于明年二季度
2016-07-21 17:07:54
增加了臺(tái)積電的訂單，后者的業(yè)績(jī)也得以節(jié)節(jié)高升。 Intel：10nm制程計(jì)劃延后 先進(jìn)的制造工藝一直是Intel橫行江湖的最大資本，不過(guò)受技術(shù)難度和市場(chǎng)因素的種種不利影響，Intel前進(jìn)的步伐也逐漸
2016-01-25 09:38:11
描述PMP10555參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無(wú)線(xiàn)基站移動(dòng)無(wú)線(xiàn)應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器
2022-09-28 06:56:35
知名芯片設(shè)計(jì)廠(chǎng)商ARM公司日前與臺(tái)積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺(tái)積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。
2012-07-24 13:52:57911 8月14日消息，ARM和芯片工廠(chǎng)Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流，這對(duì)我們?cè)O(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)是一個(gè)很大的啟示：我們?cè)趺礃舆m應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:211925 ? Analog FastSPICE? 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級(jí)和器件級(jí)認(rèn)證，Olympus-SoC? 數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)正在進(jìn)行提升，以幫助設(shè)計(jì)工程師利用 TSMC 10nm FinFET 技術(shù)更有效地驗(yàn)證和優(yōu)化其設(shè)計(jì)。10nm V1.0 工藝的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2015 年第 4 季度完成。
2015-09-21 15:37:101300 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662 聯(lián)發(fā)科、展訊通信在 16nm 工藝芯片上較勁，紛紛推出八核 A53 架構(gòu) 4G 芯片。展訊 SC9860 現(xiàn)在已經(jīng)量產(chǎn)供貨，而聯(lián)發(fā)科 Helio P20 需要等到下半年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，展訊首次在產(chǎn)品導(dǎo)入時(shí)間上走在了聯(lián)發(fā)科前面。
2016-05-20 10:53:091104 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營(yíng)，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過(guò)
2016-05-30 11:53:53858 2015年以來(lái)，英特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）紛紛發(fā)力16/14nm FinFET工藝，而當(dāng)下芯片廠(chǎng)商正爭(zhēng)相蓄力2017款10nm半導(dǎo)體制造工藝。隨著高通CEO爆料，高通2017
2016-08-19 14:34:10809 賽靈思將于“2015 ARM 年度技術(shù)研討會(huì)”演示業(yè)界首款 16nm All Programmable MPSoC —— Zynq UltraScale+ MPSoC，您可以現(xiàn)場(chǎng)體驗(yàn)異構(gòu)多處理所帶來(lái)
2017-02-08 19:13:11133 
ARM2015年度技術(shù)論壇深圳站，賽靈思16nm FinFET工藝Zynq UltraScale MPSoC一亮相就吸引了很多人。這款強(qiáng)大的異構(gòu)處理器會(huì)帶來(lái)工業(yè)安防汽車(chē)等領(lǐng)域的顛覆。 Zynq
2017-02-08 19:26:41252 作者 張國(guó)斌 今天，全球第一款采用16nm FinFET+工藝的異構(gòu)多核處理器投片了！這就是賽靈思公司采用臺(tái)積電16nm 16FF+ (FinFET plus)工藝的Zynq
2017-02-09 03:15:11379 作者：Mike Santarini 賽靈思公司賽靈思雜志發(fā)行人 mike.santarini@xilinx.com 臺(tái)積公司的16nm FinFET工藝與賽靈思最新UltraRAM
2017-02-09 06:28:121249 
2015年，基于FinFET 工藝的IC產(chǎn)品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，F(xiàn)PGA也正式步入FinFET 3D晶體管時(shí)代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發(fā)布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創(chuàng)下業(yè)界第一，開(kāi)啟了FinFET FPGA的新時(shí)代。
2019-10-06 11:57:003095 ，拉開(kāi)了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝
2017-02-11 02:21:11277 
以賽靈思 20nm UltraScale 系列的成功為基礎(chǔ)，賽靈思現(xiàn)又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC，憑借新型存儲(chǔ)器、3D-on-3D 和多處理SoC（MPSoC）技術(shù)，再次領(lǐng)先一代提供了遙遙領(lǐng)先的價(jià)值優(yōu)勢(shì)。
2017-02-11 16:08:11660 據(jù)報(bào)道，全球第二大手機(jī)芯片企業(yè)聯(lián)發(fā)科在近日確定減少對(duì)臺(tái)積電6月至8月約三分之一的訂單，在當(dāng)前的環(huán)境下是一個(gè)合適的選擇，轉(zhuǎn)而采用16nm FinFET工藝和10nm工藝可以更好的應(yīng)對(duì)高通等芯片企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)。
2017-05-02 09:59:01721 據(jù)悉，Helio P23依然采用16nm制程，已知特性包括基帶支持Cat.7、GPU直接移植自X30（PowerVR 7XT）。
2017-05-11 11:14:138282 驍龍835的手機(jī)，而在跑分測(cè)試中，10nm制程工藝的驍龍835CPU性能跟采用16nm制程工藝的麒麟960性能差別不大，這是為什么呢？
2017-05-16 11:40:481578 我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實(shí)這些數(shù)值所代表的都是一個(gè)東西，那就是處理器的蝕刻尺寸，簡(jiǎn)單的講，就是我們能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2017-07-05 09:24:482962 隨著智能手機(jī)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠(chǎng)們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0046910 小米很有可能會(huì)推出搭載澎湃S2的新機(jī)，澎湃S2采用臺(tái)積電16nm工藝是沒(méi)有太大的懸念，相對(duì)澎湃S1較為落后的28nm在功耗上有顯著優(yōu)勢(shì)，但和旗艦級(jí)的10nm工藝相比還是有一定差距。
2017-10-14 12:01:002716 臺(tái)積電南京工廠(chǎng)將會(huì)在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓，據(jù)悉，臺(tái)積電會(huì)引進(jìn)16nm FinFET制造工藝，僅次于10nm FinFET，并在南京設(shè)立一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心來(lái)吸引客戶(hù)訂單。
2017-12-10 09:30:46910 要點(diǎn)：
術(shù)量產(chǎn)級(jí)測(cè)試芯片的驗(yàn)證
Speedcore驗(yàn)證芯片通過(guò)了嚴(yán)格的整套測(cè)試，同時(shí)所有功能已獲驗(yàn)證
在所有的運(yùn)行條件下，復(fù)雜的設(shè)計(jì)均可運(yùn)行在500MHz速率
2018-01-19 15:02:337697 
關(guān)鍵詞：Cortex-A57 , 網(wǎng)絡(luò)處理器 , 華為 , 海思 臺(tái)積電25日宣布與海思半導(dǎo)體有限公司合作，已成功產(chǎn)出業(yè)界首顆以FinFET工藝及ARM架構(gòu)為基礎(chǔ)之功能完備的網(wǎng)通處理器。這項(xiàng)里程碑
2018-02-17 15:12:30508 處理器的洗禮，在麒麟950處理器上已經(jīng)成熟起來(lái)，這款處理器號(hào)稱(chēng)三項(xiàng)世界第一——首個(gè)商用A72 CPU核心、首個(gè)16nm FinFET Plus工藝以及首個(gè)商用Mali-T880 GPU核心。不過(guò)麒麟950
2018-02-18 07:55:48569 據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱(chēng)，小米跟臺(tái)積電達(dá)成了秘密協(xié)議，后者將生產(chǎn)澎湃S2處理器，是基于16nm工藝制程，至于何時(shí)推出還不清楚。 在這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)上，人人都會(huì)喊一句自研芯片的重要性。 而手機(jī)這個(gè)全球出貨量
2018-04-29 23:20:006289 TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:003391 臺(tái)積電似乎以更穩(wěn)妥的方式發(fā)展先進(jìn)制造工藝，其20nm工藝性能表現(xiàn)不良導(dǎo)致高通的驍龍810出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題，在推進(jìn)16nm工藝上選擇了更穩(wěn)健的方式即是先在2014年研發(fā)16nm工藝再在2015年三季度引入
2018-05-25 14:36:313305 賽靈思公司 （Xilinx）今天宣布擴(kuò)展其16nm UltraScale+ 產(chǎn)品路線(xiàn)圖，面向數(shù)據(jù)中心新增加速?gòu)?qiáng)化技術(shù)。其成品將可以提供賽靈思業(yè)界領(lǐng)先的16nm FinFET+ FPGA與集成
2018-08-19 09:19:00968 根據(jù)臺(tái)積電的說(shuō)法，與16nm FinFET Plus工藝相比，他們的7nm工藝在相同功耗下性能提升35%，或者同樣性能下功耗降低65%，同時(shí)邏輯密度是之前的三倍多。
2018-09-04 11:11:00916 梁孟松是臺(tái)積電前研發(fā)處長(zhǎng)，是臺(tái)積電FinFET工藝的技術(shù)負(fù)責(zé)人，而FinFET工藝是芯片制造工藝從28nm往20nm工藝以下演進(jìn)的關(guān)鍵，2014年臺(tái)積電研發(fā)出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310 該視頻重點(diǎn)介紹了Xilinx 16nm Kintex UltraScale +器件中雙工作電壓的性能，功耗和靈活性。
2018-11-21 06:11:004627 在本視頻中，了解Xilinx采用高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）和CCIX技術(shù)的16nm Virtex UltraScale + FPGA的功能和存儲(chǔ)器帶寬。
2018-11-27 06:20:003624 另一個(gè)行業(yè)首先，該演示展示了Xilinx 16nm Virtex UltraScale + FPGA，其集成的100G以太網(wǎng)MAC和RS-FEC協(xié)同工作，通過(guò)具有挑戰(zhàn)性的電氣或光學(xué)互連發(fā)送數(shù)據(jù)。
2018-11-27 05:55:003289 賽靈思率先發(fā)布業(yè)界首款16nm產(chǎn)品，Xilinx 16nm UltraScale +系列產(chǎn)品（FPGA，3D IC和MPSoC）結(jié)合了全新的內(nèi)存，3D-on-3D，以及多處理SoC（MPSoC）技術(shù)
2018-11-22 06:49:004316 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶(hù)提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）宣布：16nm UltraScale+ 產(chǎn)品組合提前達(dá)成重要的量產(chǎn)里程碑，本季度開(kāi)始接受量產(chǎn)器件訂單。
2019-08-01 16:10:442295 舉個(gè)例子，臺(tái)積電一貫以來(lái)在研發(fā)先進(jìn)工藝上出了名保守。在研發(fā)16nm工藝的時(shí)候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產(chǎn)
2019-09-04 11:45:583972 賽靈思UltraScale架構(gòu)：行業(yè)第一個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu)，可從20nm平面晶體管結(jié)構(gòu) （planar）工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴(kuò)展。
2019-12-18 15:30:23801 據(jù)介紹，14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢(shì)，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317 
蘋(píng)果A9處理器有兩個(gè)供應(yīng)商，APL0898由三星代工，采用了三星14nm FinFET工藝制造；APL1022由臺(tái)積電代工，采用16nm FinFET工藝制造。
2020-02-24 21:58:4310507 
被外界稱(chēng)為對(duì)標(biāo)臺(tái)積電7nm工藝的中芯國(guó)際N+1工藝近期再獲新突破。據(jù)10月11日?qǐng)?bào)道，我國(guó)一站式IP定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技（INNOSILICON）發(fā)布消息稱(chēng)，該公司已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，且功能測(cè)試一次通過(guò)。
2020-10-12 17:44:423069 據(jù)消息，IP和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N＋1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次性通過(guò)。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，芯片流片也就等同于試生產(chǎn)，即設(shè)計(jì)完電路
2020-10-16 10:26:1112497 
是臺(tái)積電的第二大客戶(hù)，兩者從2014年的16nm工藝開(kāi)始合作，2014年的16nm工藝表現(xiàn)不佳，性能參數(shù)甚至不如20nm工藝，但是華為海思堅(jiān)持采用，那時(shí)候16nm工藝僅有華為海思和另一家客戶(hù)，由此結(jié)成了緊密合作關(guān)系，此后雙方共同研發(fā)先進(jìn)工藝，而華為則會(huì)率先采用后者的先進(jìn)
2021-01-15 11:01:231673 針對(duì)新能源汽車(chē)中的自動(dòng)駕駛、智能座艙和電氣化應(yīng)用，易靈思推出40nm Trion系列中T13F169/F256和T20F169/F256共四顆車(chē)規(guī)級(jí)FPGA，同時(shí)16nm鈦金系列Ti60F225將于今年7月完成車(chē)規(guī)認(rèn)證，屆時(shí)將會(huì)成為本土首顆車(chē)規(guī)級(jí)16nm FPGA產(chǎn)品。
2022-03-07 11:05:291320 AMD-Xilinx在20nm & 16nm節(jié)點(diǎn)Ultrascale系列器件使用FinFET工藝，FinFET與Planar相比在相同速度條件下功耗低20%-50%。
2022-12-29 14:44:491165 臺(tái)積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專(zhuān)案，目的在于培育未來(lái)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 11:21:01279 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-03-16 19:34:18
1 ? ? ? ? 原文標(biāo)題：本周五｜從6nm到16nm，毫米波IC設(shè)計(jì)如何一“波”搞定？ 文章出處：【微信公眾號(hào)：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-03-27 22:50:02470 臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 臺(tái)積電宣布推出大學(xué)FinFET專(zhuān)案，目的在于培育未來(lái)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-04-23 09:29:035165 IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-07-06 20:20:310 英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門(mén)IFS后，將向三方開(kāi)放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶(hù)，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 Ansys多物理場(chǎng)平臺(tái)支持英特爾16nm工藝的全新射頻功能和其他先進(jìn)特性，能夠通過(guò)與芯片相關(guān)的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確性來(lái)加速完成設(shè)計(jì)并提高性能
2023-08-15 09:27:50310 
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