作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經(jīng)開始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:26
7769 就在Intel稍早以公開信件說明近期處理器產(chǎn)能受限，并且針對(duì)市場(chǎng)供貨短缺情況致歉，市場(chǎng)傳出三星將協(xié)助Intel生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解Intel在14nm制程處理器產(chǎn)能需求。 根據(jù)韓聯(lián)社引述消息來源
2019-11-29 09:36:414667 針對(duì)稍早報(bào)導(dǎo)指稱將委任三星協(xié)助生產(chǎn)處理器產(chǎn)品，借此緩解14nm制程處理器產(chǎn)能需求情況，Intel稍早對(duì)外澄清表示相關(guān)內(nèi)容并不正確。 依照Intel后續(xù)對(duì)于相關(guān)報(bào)導(dǎo)內(nèi)容的回應(yīng)，表示內(nèi)容中所提合作代工廠
2019-12-02 10:31:394108 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來說就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141962 阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因?yàn)橛⑻貭栐诹Ⅲw晶體管（FinFET）技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績獲得好評(píng)。20nm工藝之前阿爾特拉一直將臺(tái)積電作為主要的代工企業(yè)，而14nm工藝的生產(chǎn)將只委托給英特爾
2013-03-05 08:51:201758 ，20nm的平面型電晶體制程將會(huì)全面投入生產(chǎn)，而16納米/14納米 FinFET量產(chǎn)還需要一到兩年時(shí)間。還有許多關(guān)于FinFET成本和良率的未知變數(shù)。但是隨著時(shí)間的推移，尤其是伴隨著新一代行動(dòng)消費(fèi)
2013-03-28 09:26:472997 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。
2013-08-26 09:34:042374 
而在22nm制程之后，能夠使晶體管密度進(jìn)一步增加的14nm制程也將會(huì)很快應(yīng)用于芯片制造，這將繼續(xù)提升Bay Trail處理器的性能和功耗優(yōu)勢(shì)。
2013-10-18 11:00:151815 由于FPGA兩大領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者Xilinx與Altera不斷在先進(jìn)制程領(lǐng)域中激烈競(jìng)爭，也使得Xilinx已經(jīng)前進(jìn)到16nm FinFET，委由臺(tái)積電進(jìn)行代工，而Altera則是破天荒找上英特爾，以14nm三閘極電晶體進(jìn)行生產(chǎn)。但在當(dāng)時(shí)，市場(chǎng)僅僅了解的是產(chǎn)品制程，但對(duì)于產(chǎn)品本身的架構(gòu)卻是一無所知。
2013-10-31 09:43:093517 英特爾正式發(fā)布了全新14nm芯片技術(shù)，并將其命名為Broadwell。
2014-08-16 21:12:334790 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582650 與臺(tái)積電較勁，將10 奈米 FinFET 正式納入開發(fā)藍(lán)圖 、聯(lián)電攜 ARM，完成 14 奈米 FinFET 工藝測(cè)試。到底什么是FinFET？它的作用是什么？為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢？
2015-09-19 16:48:005118 
ARM今天宣布，已經(jīng)與臺(tái)積電合作完成了全球第一個(gè)基于10nm工藝的芯片的流片工作，而且使用了尚未宣布的頂級(jí)新架構(gòu)“Artemis”。事實(shí)上，這次流片早在2015年12月就完成了，ARM預(yù)計(jì)最近就能拿到從工廠返回的芯片。
2016-05-19 09:29:452563 后來進(jìn)入10nm級(jí)，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領(lǐng)先三星和臺(tái)積電一代以上。不過，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:041155 半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 07:56:013039 ，臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電2月23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 08:25:501774 臺(tái)積電優(yōu)化16nm制程推出的12nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程，第四季全面進(jìn)入量產(chǎn)，包括NVIDIA新一代Volta圖形芯片及Xavier超級(jí)計(jì)算機(jī)芯片、華為旗下海思Miami手機(jī)芯片、聯(lián)發(fā)科Helio P30手機(jī)芯片等大單全數(shù)到位。
2017-08-14 09:00:312203 使用14nm。 其實(shí)，新的制程工藝是一把雙刃劍！一般來說，在構(gòu)架變化不大的情況下，升級(jí)制程工藝之后，處理器由于核心面積變得更小，會(huì)出現(xiàn)積熱問題；另外由于晶體管密度過高，晶體管的柵長過短，會(huì)導(dǎo)致漏電率大大提升。這2個(gè)因素就決定了初代10nm產(chǎn)品無法上高頻，只能
2020-07-28 16:27:2120374 
中芯國際第1季收入預(yù)計(jì)為全年相對(duì)低點(diǎn)，比去年第4季下降16%~18%。第一代FinFET 14nm制程已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率進(jìn)一步提升，同時(shí)12nm制程開發(fā)也取得突破。
2019-02-17 20:31:531599 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
14nm工藝的肖特基二極管和與非門導(dǎo)通延時(shí)是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
增強(qiáng)；同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開始采用FinFET技術(shù)。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)注：圖3、圖6的圖片來于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構(gòu)的智能手機(jī)、平板機(jī)處理器，而接下來的14nm路線圖也已經(jīng)曝光了?！ 「鶕?jù)規(guī)劃，在平板機(jī)平臺(tái)上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
蘋果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
。這場(chǎng)戰(zhàn)役兩家大廠互有消長，首先是三星的14nm較臺(tái)積電的16nm搶先半年投入量產(chǎn)，因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設(shè)計(jì)也確有雷同之處，后續(xù)又衍生了競(jìng)業(yè)禁止官司訴訟等故事，無論如何，最終臺(tái)積電還是
2018-06-14 14:25:19
晶體管的密度，同時(shí)減少了芯片的橫向面積。
相比傳統(tǒng)的FinFET和納米片晶體管，叉片晶體管能夠顯著減少nFET和pFET之間的間距，從而在相同的芯片面積上容納更多的晶體管。例如，IMEC的2nm叉片晶體管
2025-06-20 10:40:07
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國的技術(shù)突破，中國應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
?！ ∮?jì)算鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管寬度 （W） 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，FinFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝，該工藝可大幅電路控制并減少漏電流，還可以大幅晶體管的柵長。)it之家了解到，3 月 10 日，據(jù)選股寶，從供應(yīng)鏈獲悉，中芯 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝，水準(zhǔn)達(dá)約
2021-07-19 15:09:42
最近扒了扒國產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器，到汽車電子
2025-11-25 21:03:40
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
的小珠子，使其最后形成一個(gè)10X5比例的長方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)
2016-06-29 14:49:15
nm SoC封裝到一個(gè)20 nm管芯中，結(jié)果是減小了芯片間延時(shí)，降低了I/O功耗，以及電路板級(jí)成本，這說明單位晶體管成本的提高是有好處的。而不明顯的是，規(guī)劃人員通過使用晶體管來提高性能或者能效。一個(gè)
2014-09-01 17:26:49
10nm將會(huì)流片，而張忠謀更是信心十足，他直言不諱地表示10nm量產(chǎn)后將會(huì)搶下更高的份額。臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音此前也曾在一次投資人會(huì)議上透露，公司計(jì)劃首先讓自己的10納米芯片產(chǎn)線在今年底前全面展開
2016-01-25 09:38:11
據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管（以Intel的三柵晶體管和IB
2010-06-22 08:21:471226 
英特爾（Intel）日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。 英特爾（Intel） CEO Paul Otellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先
2012-05-30 11:31:111270 
為與臺(tái)積電爭搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。
2012-10-09 12:02:371192 電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence Design Systems， Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗(yàn)芯片。
2012-11-01 09:11:031858 聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35～40%，
2012-11-05 09:17:531124 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551642 雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:361193 全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供
2012-12-20 08:43:111856 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經(jīng)在14nm FinFET工藝開發(fā)之路上取得又一個(gè)里程碑式的突破，與其設(shè)計(jì)、IP合作伙伴成功流片了多個(gè)開發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241508 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測(cè)試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311469 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 根據(jù)英特爾發(fā)布的產(chǎn)品規(guī)劃路線，自己的14nm技術(shù)將要在處理器上連續(xù)使用三代而不進(jìn)行提升，而在制程這方面的研發(fā)，臺(tái)積電顯然更勝一籌，前段時(shí)間臺(tái)積電剛剛確定年底將量產(chǎn)10nm、2019年將上馬5nm制程
2016-10-10 15:43:361003 增長10.6%，稅后凈利3065.74億元新臺(tái)幣(約為604.26億元人民幣)，同比增長16.2%，成績可喜。 對(duì)于先進(jìn)制程，臺(tái)積電透露，7nm、10nm研發(fā)順利進(jìn)行，今年Q1 10nm將會(huì)流片，而張忠謀更是信心十足，他直言不諱地表示10nm量產(chǎn)后將會(huì)搶下更高的份額。 從半導(dǎo)體的普遍規(guī)律看，流
2017-02-08 17:54:11336 外電報(bào)導(dǎo)指出，英特爾和展訊合作的第二款14nm手機(jī)芯片將于第3季量產(chǎn)，與聯(lián)發(fā)科、高通爭搶中低端市場(chǎng)。
2017-05-04 01:07:111401 AMD 基于7nm工藝的Vega架構(gòu)將在在2018年內(nèi)完成流片，7nm Vega會(huì)首先面向機(jī)器學(xué)習(xí)市場(chǎng)，不過要問世估計(jì)要等到2019年了，據(jù)悉將取代目前的14nm/Vega Radeon Instinct MI25。
2018-02-01 11:32:571293 
%；年內(nèi)溢利1.26億美元，同比減少60.05%。 集微點(diǎn)評(píng)：中芯國際中短期的考驗(yàn)是盡快推出14nm制程。 2、聯(lián)發(fā)科率先與中國移動(dòng)完成NB-IoT R14速率增強(qiáng)測(cè)試 近日，聯(lián)發(fā)科技宣布與中國移動(dòng)合作完成NB-IoT R14標(biāo)準(zhǔn)的速率增強(qiáng)測(cè)試，成為首家通過測(cè)試的芯片廠商。此次測(cè)試采用
2018-04-15 01:24:017728 的中上游重要組成部分，國際上一直處在半壟斷競(jìng)爭態(tài)勢(shì)中。臺(tái)積電、三星、Intel等國際巨頭的晶圓工藝使他們科技力量的重要源泉。日前，中芯國際傳來了中國晶圓好消息。 中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并借此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。 中芯國際
2018-05-17 09:37:355724 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:004095 根據(jù)中芯國際之前的爆料，其14nm工藝良率已達(dá)95%，進(jìn)展符合預(yù)期，已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段，正在進(jìn)行驗(yàn)證及IP設(shè)計(jì)。另外，中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松宣布計(jì)劃在2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304908 XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示?，F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0234080 2019年下半年開始投產(chǎn)14nm工藝芯片。
具體“跳票”原因沒有給出，不過事實(shí)上，中芯國際從來沒有公開給出過14nm工藝量產(chǎn)時(shí)間表，所以似乎也說不上“跳票
2019-02-27 15:48:066970 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成，該技術(shù)可
2019-04-18 20:48:54636 雖然從技術(shù)水平上看，臺(tái)積電和三星掌握了10nm 的高端制程量產(chǎn)技術(shù)，格芯和聯(lián)電等掌握了高端14nm的量產(chǎn)技術(shù)，而中芯國際，28nm已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前良率較低，技術(shù)處于逐步成熟階段，不過在40nm制程
2019-09-03 16:08:3630634 英特爾已經(jīng)使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現(xiàn)在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產(chǎn)能問題，于是 14nm++++ 成為未來兩三年內(nèi)英特爾的主力制程，這也是消費(fèi)者所不想要看到的。然而事實(shí)便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產(chǎn)品了。
2019-12-02 16:31:329046 據(jù)介紹，14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢(shì)，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001988 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，存在著明顯的金字塔模型。市場(chǎng)上的主流制程工藝節(jié)點(diǎn)從22nm、16/14nm一直到目前最先進(jìn)7nm，越往上玩家越少，即將到來的5nm更是只有臺(tái)積電和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5311767 Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因?yàn)镮ntel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:096774 
我們經(jīng)?？吹綀?bào)道上說芯片制程達(dá)到了14nm、7nm、5nm，最近中芯國際在沒有ASML的EUV光刻機(jī)的情況下，實(shí)現(xiàn)了7nm的制程，有很多人對(duì)此感到很興奮。
2020-04-19 11:40:0527018 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:233682 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:403874 
以后先小規(guī)模生產(chǎn)幾片幾十片以供測(cè)試用使用，如果測(cè)試通過后就能開始大規(guī)模量產(chǎn)。中芯國際FinFET N＋1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試完成也就意味著該制程工藝已經(jīng)具備有意義的良品率，并且可以嘗試進(jìn)行批量生產(chǎn)。 據(jù)了解，芯動(dòng)科技是中國芯片IP和芯片
2020-10-16 10:26:1114741 
梁孟松在會(huì)議上表示：中芯國際的14nm在去年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。良率意對(duì)芯片至關(guān)重要，這意味著其14nm已經(jīng)進(jìn)入真正意義上的量產(chǎn)?？傮w來說，我們正在與國內(nèi)和海外客戶合作十多個(gè)先進(jìn)工藝，流片項(xiàng)目，包含14nm及更先進(jìn)工藝技術(shù)。
2020-12-11 14:16:443297 要說誰是CPU領(lǐng)域的常青樹，那就非14nm莫屬了，自從2014年推出首款14nm的產(chǎn)品之后，英特爾的這代工藝已經(jīng)使用了7年之久，要知道在日新月異的半導(dǎo)體領(lǐng)域，制程水平能夠保持7年之久實(shí)在是一件極其
2021-01-15 10:58:289170 從 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率來說，中芯國際生產(chǎn)水平已經(jīng)快等同于臺(tái)積電，制程工藝產(chǎn)品良率可達(dá)90%-95%。
2021-03-15 16:38:231908 晶體管是器件中提供開關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時(shí)，平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進(jìn)。
2021-03-22 11:35:243112 據(jù)外媒最新報(bào)道，三星宣布，3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片! 據(jù)悉，三星的3nm制程采用的是GAA架構(gòu)，性能上完勝臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)! 據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星在3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444638 目前從全球范圍來說，也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:543387 近日，《烏合麒麟撤回道歉，稱3D堆疊就是芯片優(yōu)化技術(shù)》事件在網(wǎng)上引起爭論，今天ASPENCORE記者歐陽洋蔥同學(xué)進(jìn)一步對(duì)“ 14nm + 14nm 達(dá)成‘比肩’7nm 性能的問題”展開了專業(yè)的分析
2021-07-02 16:39:346837 P溝道增強(qiáng)型燃料效應(yīng)晶體管芯片CEM4435
2021-07-12 10:26:21
9 而在全民熱議“清朗行動(dòng)”之時(shí)，同茂線性馬達(dá)卻在微博熱搜榜的底端發(fā)現(xiàn)了這樣一條令人振奮的消息“國內(nèi)已設(shè)計(jì)出14nm香山芯片”。
2021-09-18 09:23:271884 隨著GAA FET（全環(huán)繞柵極晶體管）逐漸取代3nm及以下的finFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），芯片行業(yè)已經(jīng)準(zhǔn)備好迎接晶體管結(jié)構(gòu)的另一次變革，這給設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)帶來了一系列需要充分理解和解決的新挑戰(zhàn)
2021-09-23 15:58:593237 不久前，有消息稱國產(chǎn)14nm芯片將于明年量產(chǎn)，這一消息也代表著國產(chǎn)芯片迎來了黃金發(fā)展期。
2022-01-03 16:28:009819 已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段，并且也從華為那邊收取到了麒麟710A的訂單，中芯國際表示過其12nm制程能夠?qū)崿F(xiàn)晶體管尺寸的縮減，相較于14nm制程，中芯國際的12nm制程將減少20%功耗和增加10%性能。 而相較于7nm芯片，12nm芯片在各方面就已經(jīng)就難以追趕了，以麒麟980和麒
2022-06-27 11:19:346692 臺(tái)積電即將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，臺(tái)積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，將于2025年開始量產(chǎn)。
2022-06-27 18:03:472075 IBM的2nm制程芯片采用的是什么技術(shù)？IBM 2nm制程芯片采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，晶體管密度可達(dá)5nm兩倍，每平方毫米容納3.3億個(gè)晶體管，2nm芯片將計(jì)算速度要提高45%，能源效率更是提高75%，電池續(xù)航時(shí)間提升至之前的4倍。
2022-06-29 17:43:081686 近日，臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，2nm工藝全球即將首發(fā)，臺(tái)積電公開承諾到2025年生產(chǎn)先進(jìn)的2nm芯片。
2022-07-01 09:36:582712 有多大呢？是2nm嗎？ 其實(shí)芯片前面的數(shù)字代表的是這款芯片所采用的制程工藝，2nm即為2nm制程工藝，而制程工藝又特指芯片內(nèi)部晶體管的柵極最小長度，柵極是晶體管內(nèi)用于控制電流的結(jié)構(gòu)，因此2nm即代表著芯片內(nèi)部晶體管最小柵極長度為2nm，并不是代表整
2022-07-04 09:15:365743 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4628009 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2022-08-01 15:33:111912 2019年第四季度，中芯國際就表示14nm已投入量產(chǎn)。2021年時(shí)傳出消息，中芯國際14nm的良率達(dá)到95%，已經(jīng)追平臺(tái)積電。（目前7nm也已小規(guī)模投產(chǎn)）
2022-11-17 15:22:38108532 繼2022年6月30日，三星電子官宣開始量產(chǎn)基于GAA晶體管結(jié)構(gòu)的3nm芯片后，臺(tái)積電也在2022年末在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)高調(diào)舉辦了3nm量產(chǎn)擴(kuò)廠典禮，也就是說目前先進(jìn)制程的兩大玩家都已經(jīng)達(dá)成了3nm制程
2023-01-16 09:32:53933 
臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:151776 已成功流片。 3NM制程天璣旗艦芯片量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)在2024年，2024年下半年會(huì)正式上市。業(yè)內(nèi)估計(jì)3NM的MediaTek旗艦芯片型號(hào)應(yīng)該不是今年上市的天璣9300，天璣9300可能采用的是臺(tái)積電
2023-09-08 12:36:132932 N2納米片工藝的數(shù)字設(shè)計(jì)流程正在實(shí)現(xiàn)多次流片，而模擬設(shè)計(jì)流程已在多個(gè)設(shè)計(jì)啟動(dòng)中采用。預(yù)計(jì)將于2024年提供樣品。 這是在領(lǐng)先工藝上同時(shí)提供模擬設(shè)計(jì)流程和庫與數(shù)字設(shè)計(jì)流程和庫的重大舉措，特別是從FINFET晶體管轉(zhuǎn)向納米片、全柵（GAA）器件之際。由此需要新的設(shè)計(jì)和
2023-10-08 16:49:24930 的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。如下圖所示：那么從20nm開始到3nm，晶體管的結(jié)構(gòu)都是FinFET的。結(jié)構(gòu)沒有變化的條件下，晶體管尺寸
2023-12-19 16:29:011396 
為達(dá)成此目標(biāo)，公司正加緊推進(jìn)N2和N2P級(jí)別的2nm制造節(jié)點(diǎn)研究，并同步發(fā)展A14和A10級(jí)別的1.4nm加工工藝，預(yù)計(jì)到2030年可以實(shí)現(xiàn)。此外，臺(tái)積電預(yù)計(jì)封裝技術(shù)，如CoWoS、InFO、SoIC等會(huì)不斷優(yōu)化升級(jí)，使他們有望在2030年前后打造出超萬億晶體管的大規(guī)模封裝解決方案。
2023-12-28 15:20:101003 今年初，聯(lián)電與英特爾宣布將攜手打造12nm FinFET制程平臺(tái)，以滿足移動(dòng)設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)的高速增長需求。
2024-05-31 09:15:311118 面向性能應(yīng)當(dāng)會(huì)再提升，成為聯(lián)發(fā)科搶占市場(chǎng)的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 4亮相時(shí)間與細(xì)節(jié)。外界認(rèn)為，該款芯片也是以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn)，并于第四季推出。 ? 臺(tái)積電3nm 實(shí)現(xiàn)更高晶體管密度和更低功耗 ? 臺(tái)積電的3nm制程技術(shù)采用了先
2024-07-09 00:19:007125 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）2025年，2nm制程正式開啟全球半導(dǎo)體“諸神之戰(zhàn)”。就在近期，MediaTek（聯(lián)發(fā)科）宣布，首款采用臺(tái)積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片（SoC）已成功完成設(shè)計(jì)流片
2025-09-19 09:40:2011719 
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