東芝存儲公司6日宣布推出一種新的存儲器（SCM）XL-FLASH，并開始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù)，使用96層堆疊工藝實現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品
2019-08-07 18:11:29
5730 針對嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)片外Flash存儲器IAP無現(xiàn)成方案的問題，介紹一種基于代碼重入思想的片外存儲器IAP解決方案。
2011-11-30 11:58:392363 
被東芝（Toshiba）視為營運重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來。
2015-12-22 08:17:04885 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:322839 
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:173656 
美商應(yīng)材公司（Applied Materials）因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和云端運算所需的新存儲器技術(shù)，日前宣布推出創(chuàng)新、用于大量制造的解決方案，有利于加快產(chǎn)業(yè)采納新存儲器技術(shù)的速度。
2019-07-12 16:51:204830 嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
。隨著帶有控制
器功能的
存儲器需求不斷擴大，
東芝已經(jīng)采取行動使其在這個不斷擴大的市場上占領(lǐng)領(lǐng)先地位，
東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位?！?/div>
2008-08-14 11:31:20
存儲器接口生成器(MIG)解決方案---Virtex-4 存儲器接口和Virtex-II Pro存儲器解決方案 Virtex-4? FPGAs solve
2009-10-24 12:02:14
全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）與專注于為互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、可拓展系統(tǒng)解決方案的創(chuàng)新者 Virident 宣布共同開發(fā)和推出新一代存儲解決方案。專為
2019-07-23 07:01:13
大家好！xilinx軟錯誤緩解控制器IPcore V4.1用于配置內(nèi)存以避免SEU。我想知道，有關(guān)塊存儲器，分布式存儲器和觸發(fā)器的一些解決方案是否有關(guān)于SEU的解決方案？非常感謝你！
2020-08-05 07:40:29
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
以大幅度降低系統(tǒng)設(shè)計成本；但DRAM有復(fù)雜的時序要求，給系統(tǒng)設(shè)計帶來了很大的困難。為了方便地使用DRAM，降低系統(tǒng)成本，本文提出一種新穎的解決方案：利用80C186XL的時序特征，采用CPLD技術(shù)，并使用VHDL語言設(shè)計實現(xiàn)DRAM控制器。
2019-07-29 07:54:57
電路設(shè)計（如何掛載到NIOSII的總線上），最終解決了不同數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器的同平臺測試解決方案，并詳細地設(shè)計了各結(jié)口的硬件實現(xiàn)方法。
2019-07-26 06:53:39
我正在學(xué)習(xí)如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲器存儲數(shù)據(jù)。通過Keil編譯，我得到：程序大?。篊ode=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類型與技術(shù)特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設(shè)計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
本文提出了一個網(wǎng)絡(luò)存儲器的基本解決方案，實現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)存儲器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
為什么要開發(fā)和測試存儲器件？怎樣去測試存儲器的基本功能？如何去擴展存儲器的測試能力？
2021-04-15 06:44:19
求一套FLASH存儲器實時存取管理方案。
2021-04-25 08:18:52
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
有兩個問題請教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲器，如何從外部設(shè)備啟動呢？有沒有這樣的例程或者手冊可以供我參考？我想外接一個flash存儲器（通過SPI或者EMIF外接）作為程序存儲器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設(shè)計DSP自動引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲器去設(shè)計引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
東芝彩電存儲器數(shù)據(jù):東芝25E3XC2 24C08 M37222M6-084SP.bin 東芝2550XHC 24C04 M37222M6-B83SP.bin 東芝2840XH 24C02 東芝管
2008-03-23 10:11:15
48 TCL 2501東芝機芯(24C04)(25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:33:557 TCL AT29128東芝純存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:25:1923 論述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微處理器MCF5249 的Flash 存儲器擴展技術(shù)，以MCF5249對MX29LV160BT Flash 存儲器的擴展為例，介紹了擴展的原理，MCF5249 與MX29LV160BT 的硬件接口設(shè)計，Flash
2009-08-29 10:27:5835 VxWorks 操作系統(tǒng)提供文件系統(tǒng)來訪問和管理Flash 存儲器，這種方式不能滿足實時寫入和系統(tǒng)可控的要求。本文提出一種通過接管系統(tǒng)時鐘中斷來控制Flash Memory 讀寫操作和基于管理區(qū)
2009-09-22 11:36:1229 利用XILINX解決方案快速創(chuàng)建存儲器接口設(shè)計
2010-01-08 23:05:2639 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:2610 LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應(yīng)用
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:5848 NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 內(nèi)建自測試是一種有效的測試存儲器的方法。分析了NOR型flash存儲器的故障模型和測試存儲器的測試算法，在此基礎(chǔ)上，設(shè)計了flash存儲器的內(nèi)建自測試控制器?？刂?b class="flag-6" style="color: red">器采用了一種23
2010-07-31 17:08:5435 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 安捷倫推出新款LTE測試解決方案
安捷倫科技公司宣布推出新款 LTE 測試解決方案。該解決方案結(jié)合了市場上領(lǐng)先的 Agilent 89600 VSA LTE FDD 和 LTE TDD 分析軟件，以及 Agilent X
2009-12-28 17:07:291136 LSI推出PCI Express固態(tài)存儲解決方案樣片
LSI 公司 日前宣布面向OEM客戶提供PCI Express (PCIe)固態(tài)存儲(SSS)解決方案樣片。LSISSS6200 PCIe SSS 卡為企業(yè)級服務(wù)器
2010-03-23 10:09:311085 串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介 紹一種通過51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通
2010-07-02 18:25:142955 
Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:095395 
Broadcom(博通)公司(Nasdaq：BRCM)宣布，推出新的定位解決方案，以使智能手機實現(xiàn)更迅速的室外和室內(nèi)定位。
2012-03-31 08:54:41867 Spansion公司宣布推出首款配備HyperBus?接口的RAM產(chǎn)品。作為HyperFlash?的配套設(shè)備，SpansionHyperRAM?存儲器可實現(xiàn)簡約而經(jīng)濟高效的SoC和微控制器（MCU
2015-03-05 16:30:596262 ARM嵌入式應(yīng)用程序架構(gòu)設(shè)計實例精講--ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗05Flash存儲器
2016-07-08 11:08:190 電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗05Flash存儲器
2016-09-13 17:23:280 和Flash EPROM存儲器。系統(tǒng)設(shè)計者非常希望采用片上存儲器，而不是將數(shù)據(jù)保存到片外存儲器上，這樣可以盡量避免各種功耗和延遲問題，從而提高系統(tǒng)性能。Xilinx通過對SRAM技術(shù)的集成，推出了新一代片上大容量存儲器UltraRAM，當(dāng)然這是專為Xilinx UltraSca
2017-02-08 08:18:071603 受到眾多買家競購東芝存儲器業(yè)務(wù)的影響，近段時間以來東芝公司的媒體曝光率極高。如果拋去對于東芝存儲器業(yè)務(wù)將花落誰家的紛擾猜測，將目光對準(zhǔn)市場與產(chǎn)品技術(shù)，可以發(fā)現(xiàn)近年來東芝公司除去存儲器之外，仍有不少值得推介的新品。
2017-04-26 10:36:451668 近日消息，據(jù)日本共同社報道，東芝公司預(yù)計在本月27日將與優(yōu)先談判方美日韓聯(lián)合體正式簽約，出售旗下半導(dǎo)體子公司東芝存儲器。對于東芝存儲器，富士康曾給出了比美日韓的2萬億日元(約合179億美元)更高
2017-06-26 11:46:11436 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 Flash存儲器技術(shù)趨于成熟，應(yīng)用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:415324 
FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲器通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3022518 flash存儲器，及閃速存儲器，這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點，是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:3434724 美光科技旗下游戲存儲器品牌Ballistix宣布，與華碩的TUF游戲聯(lián)盟合作推出新的Sport AT存儲器系列。TUF游戲聯(lián)盟是由華碩、Ballistix和其它值得信賴的產(chǎn)業(yè)合作伙伴之間所合作開發(fā)，確保從零組件到外殼可更輕松的組裝，同時擁有最佳的兼容性和互補的美學(xué)。
2018-07-09 10:13:00711 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33113864 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器，核心容量可達 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲器
2018-07-26 18:01:002759 6月1日，東芝發(fā)布公告稱其已經(jīng)完成東芝存儲器株式會社股權(quán)轉(zhuǎn)讓相關(guān)事宜。自2017年東芝發(fā)布公示表明會將旗下合并報表子公司東芝存儲器株式會社的全部股權(quán)轉(zhuǎn)讓給以貝恩資本（Bain Capital
2018-06-02 11:30:007632 近日，東芝宣布推出新品——“M3H族”微控制器，該產(chǎn)品基于全球標(biāo)準(zhǔn)的Arm Cortex-M3內(nèi)核，專為電機控制而設(shè)計，可滿足消費設(shè)備和工業(yè)設(shè)備的各種需求。新產(chǎn)品的出現(xiàn)擴大了 “TXZ?系列”微控制器的產(chǎn)品陣容。
2018-09-12 15:55:055865 FLASH存儲器（FLASH Memory）是非易失存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍然能保留信 息， 可以對存儲器單元塊進行擦除和再編程，并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點。
2019-08-09 08:00:003972 
據(jù)報導(dǎo)，多位關(guān)系人士透露，從東芝獨立出來的全球第二大NAND型快閃存儲器（Flash Memory）廠商東芝存儲器（TMC）已著手進行準(zhǔn)備原定于今年9月的IPO，預(yù)估TMC上市后市值將超過2萬億日元。
2019-02-24 10:09:003369 作為非易失性存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者，Macronix推出了一系列eMMC存儲器，以滿足高容量存儲和高可靠性應(yīng)用的需求。通過將閃存設(shè)計和管理方面的多年經(jīng)驗與先進的內(nèi)部NAND閃存制造技術(shù)相結(jié)合
2020-06-30 10:13:03666 
美國半導(dǎo)體公司RFaxis近日宣布推出新的無線模組參考設(shè)計解決方案，此方案采用瑞薩最新Bluetooth Smart微控制器（MCU）RL78 / G1D與RFaxis RFX2411N 2.4GHz射頻前端集成電路（RFeIC）。
2019-08-04 10:00:144604 XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)，每單元1比特SLC，將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨，預(yù)計將于2020年開始量產(chǎn)。
2019-08-06 15:21:364416 近日，據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC
2019-08-07 10:56:321067 ，既能持久存儲數(shù)據(jù)，又具備極高的速度，因而也被成為Persistent Memory持久內(nèi)存，它是近年來半導(dǎo)體存儲的發(fā)展新方向。東芝宣布了XL-Flash，它就屬于持久內(nèi)存類型。 為了讓NAND閃存的速度能夠達到內(nèi)存級的水平，東芝在BiCS 3D閃存結(jié)構(gòu)之上進
2020-09-16 14:37:474272 超低延時閃存是當(dāng)前非常熱門的技術(shù)趨勢，東芝推出的XL-FLASH是超低延時存儲介質(zhì)的代表，讀延時可以達到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對XL-FLASH的低延時潛力
2019-08-18 09:03:001084 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 全球第一的非存儲器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國推出新一代存儲器半導(dǎo)體，外界解讀，英特爾選在存儲器半導(dǎo)體強國發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:141177 Microchip 今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口（SPI）EERAM存儲器產(chǎn)品，與當(dāng)前的串行NVRAM產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設(shè)計人員節(jié)省高達25%的成本。
2019-12-03 18:05:281243 持久存儲市場中出現(xiàn)了一個新的參與者，這要歸功于Kioxia（以前是東芝）和西部數(shù)據(jù)，并且可能會促使英特爾和三星改進其自己的解決方案。
2020-03-07 13:52:523257 隨著當(dāng)前移動存儲技術(shù)的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大，FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點，在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:298221 
在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:014410 介紹了 Flash 存儲器的特性和應(yīng)用場合 ，在16 位地址總線中擴展大容量存儲的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機與 Flash 存儲器的硬件接口方式和軟件編程過程 ，以及在應(yīng)用中應(yīng)該注意的問題 ，并以 W29C040為例 ，給出了實際原理圖和有關(guān)實現(xiàn)。
2021-03-18 09:50:047 科技公司（以下簡稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個系列是32
2021-12-02 09:51:0611 存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布推出第二代XL-FLASH?。這是一種基于其BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)的存儲級存儲器(SCM)解決方案
2022-08-03 09:11:51851 中國上?！?022年8月5日——一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出xSPI/Hyperbus/Xcella存儲器（閃存、PSRAM、MRAM 等）的控制器和PHY解決方案，適用于客
2022-08-05 10:17:43999 存儲器的歷史始于1984年，彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:352730 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出新款高速四通道數(shù)字隔離器“DCL54xx01”系列，該系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬態(tài)抑制（CMTI）和150Mbps的高速數(shù)據(jù)速率。該系列六款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-10 09:37:181623 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:288172 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:062633 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 可編程只讀存儲器）和Flash存儲器是兩種常見的非易失性存儲器，它們具有各自的特點和應(yīng)用場景。本文將深入分析和比較EEPROM與Flash存儲器的原理、結(jié)構(gòu)、性能以及應(yīng)用，以期為讀者提供全面而深入的理解。
2024-05-23 16:35:3610922 NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲器，具有多個顯著優(yōu)點，這些優(yōu)點使其在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)點的詳細闡述，并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:441952 鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲器，它們在工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 隨著人工智能（AI）不斷改變行業(yè)并推動創(chuàng)新，數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲解決方案的發(fā)展步伐。為滿足這一需求，我很高興地宣布推出新款存儲解決方案——美光9550 NVMeTM SSD。這一新款尖端垂直集成
2024-11-18 10:32:431056 
隨著技術(shù)的發(fā)展，EMMC存儲器因其高速、大容量和低功耗的特性，已經(jīng)成為移動設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)的首選存儲解決方案。然而，任何技術(shù)都有可能出現(xiàn)故障，EMMC存儲器也不例外。 一、EMMC存儲器的常見故障
2024-12-25 09:39:177692 
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