DDR4內(nèi)存已經(jīng)問世有很長一段時間了，Intel在IDF上表示，明年這一產(chǎn)品將迎來爆發(fā)期。
2015-08-24 08:23:55
1098 程度來說都很難說達標。 隨著長鑫存儲的DDR4內(nèi)存顆粒完全實現(xiàn)國產(chǎn)化，真正意義上達到全球市場主流水平的國產(chǎn)電腦內(nèi)存產(chǎn)品終于問世了。 今天就帶來金百達采用長鑫國產(chǎn)顆粒的DDR4內(nèi)存的測試報告。 內(nèi)存開箱與外觀： 金百達的內(nèi)存外觀上來說非
2020-07-29 14:59:118053 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 
據(jù)報道，長鑫存儲官方網(wǎng)站已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國際通行標準規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（Contact Sales）。 長鑫特別強調(diào)
2020-02-27 09:01:118110 這幾年，國產(chǎn)軟硬件都在突飛猛進，硬件方面處理器、內(nèi)存、閃存存儲紛紛取得新突破，但由于產(chǎn)能、應(yīng)用領(lǐng)域等各種原因，普通消費市場上是不太容易看到的。 不久前，長鑫存儲開始在官方網(wǎng)站上銷售DDR4臺式機
2020-04-24 09:58:245759 今年2月底，長鑫存儲官方宣布，符合國際標準規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實現(xiàn)真正國產(chǎn)，并采用國產(chǎn)第一代10nm級工藝制造
2020-05-22 11:47:378324 DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的尋址方式有哪些？
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結(jié)構(gòu)和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創(chuàng)建標題，有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個適合你的列表創(chuàng)建一個
2021-07-29 06:58:22
（UG583）“UltraScale架構(gòu)PCB設(shè)計用戶指南”的V1.10表示（通常）DDR4接口信號reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號的偏移約束。但是，在專門引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好嗎？
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-11 07:13:53
DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點相比DDR3，DDR4存在諸多變更點，其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點主要有：?增加Vpp電源；?VREFDQ刪除；?CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為POD模式
2021-11-12 08:07:07
在CMD、ADD、CTRL信號為高電平時線路中就不會存在電流，可以降低功耗。DDR3和DDR4端接方式的對比如圖4所示。圖 4 DDR3和DDR4端接方式對比3 ACT_n信號為了避免由于容量增加
2019-11-12 12:40:17
還未接觸過DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計中，布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR內(nèi)存格式發(fā)展歷程（DDR~DDR4） 一、DDR DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也常看到DDR
2011-02-27 16:47:17
筆記本內(nèi)存怎么選？LPDDR3一定不如DDR4嗎？真的是這樣嗎？這兩者有對比性嗎？
2021-06-18 06:37:32
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時時發(fā)集團亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實現(xiàn)這個內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
東莞專業(yè)收購DDR4東莞長期高價回收DDR4，專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-05-08 17:42:19
%）顯示，三星及海力士市場份額達67%，短期內(nèi)，兩大內(nèi)存廠商退出市場將在供給端造成顯著空缺。DDR4早在遙遠的2007年，有關(guān)DDR4內(nèi)存標準的一些信息就被公開。在美國舊金山2008年8月舉行的英特爾
2022-10-26 16:37:40
，除非將CPU和主板都更換為新平臺。內(nèi)存頻率提升頻率方面，DDR3內(nèi)存起始頻率為800，最高頻率達到了2133，DDR4內(nèi)存起始頻率就達到了2133，量產(chǎn)產(chǎn)品最高頻率達到了3000，從內(nèi)存頻率來看
2019-07-25 14:08:13
增強信號的完整性、改善資料傳輸及儲存的可靠性。根據(jù)宏旺半導(dǎo)體對存儲市場的觀察，DDR一代與DDR2在市面上已將很少見了，臺式機的內(nèi)存條普遍已經(jīng)使用DDR4了，DDR3在機頂盒、光貓、智能電視等領(lǐng)域依舊
2019-08-01 10:17:46
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2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項目時，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr
2020-05-11 09:17:30
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
NXP IMX8M Mini DDR4 校準
2023-04-20 07:36:55
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2021-01-30 17:36:35
回收DDR4，收購DDR4,24h開心財富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長期專業(yè)高價回收flash， 回收DDR，回收手機字庫?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
怎么用FPGA檢測內(nèi)存條DDR4壞的單元數(shù)呢？1.我可以用一個僅支持DDR3的memory controllor的FPGA和作為一個平臺嗎？（有人說只需設(shè)置下FPGA就可以，不知道是不是這樣的）2.
2016-09-28 14:35:54
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
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2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標準領(lǐng)導(dǎo)制定機構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標準的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標準與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461708 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標準的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561648 下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4925152 回首過去一年的存儲芯片市場，漲價永遠都是關(guān)鍵詞，一連7個季度的漲價，這是由于閃存、內(nèi)存漲價有市場供需失衡的原因，中國在這個領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán)。紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存讓我們看到了國產(chǎn)DDR4量產(chǎn)的希望。韓企壟斷的局面將被打破。
2017-12-28 16:48:211323 據(jù)報道，近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝，采用三星B-die顆粒，開啟XMP功能就可以達到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:381558 近日，Intel官方正式發(fā)布了傲騰DDR4內(nèi)存條，代號Apache Pass，英文全稱為Optane DC Persistent Memory（直譯：傲騰數(shù)據(jù)中心專用非易失內(nèi)存）。
2018-06-04 17:46:003809 
目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒有使用國產(chǎn)顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國公司的顆粒，也就是說現(xiàn)在的國內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場上其他內(nèi)存條沒有什么區(qū)別，國產(chǎn)的只是PCB之類的。不過店家也很坦誠，說紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問世。
2018-03-05 09:36:013022 Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002096 近日不少有關(guān)國產(chǎn)自主DDR4內(nèi)存的報道，目前已有合肥長鑫、長江存儲、福建晉華三家公司宣布2019年完成LPDDR4芯片?，F(xiàn)在最新消息，紫光宣布國產(chǎn)DDR4內(nèi)存2018年年底提前推向市場。
2018-08-07 16:42:502505 近期，臺電將會發(fā)布一款名為極光A30的DDR4入門內(nèi)存。今天就讓大家來先睹為快吧。
2018-08-28 10:47:008326 關(guān)鍵詞：JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標準 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低
2018-09-30 00:15:012117 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 2018年11 月 15日 – 宜鼎今日發(fā)布全新強固型DDR4 2666寬溫系列內(nèi)存產(chǎn)品，特別專注于各種工業(yè)嚴苛條件中的邊緣應(yīng)用。宜鼎國際DRAM全球事業(yè)處副總張偉民表示，DDR4 2666將于
2018-11-16 08:40:111156 Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達2400 Mb.UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)
2018-11-30 05:33:003633 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215 從SDR到DDR4，連接器如何趕上內(nèi)存進化的步伐？
2019-07-02 15:30:132809 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進的數(shù)據(jù)完整性，增加了對寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗檢測。
2019-07-26 14:34:0145992 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:003359 隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:093598 最近一年來，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價之勇，只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:005766 隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029 據(jù)網(wǎng)友分享，蘋果官網(wǎng)現(xiàn)已上架新款256GB（2x128GB）DDR4 ECC內(nèi)存套件以及32GB（2x16GB）DDR4 ECC內(nèi)存套件。
2019-12-30 15:54:045303 2019年9月20日，合肥長鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，他們成為第一個國產(chǎn)內(nèi)存供應(yīng)商。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對外供應(yīng)DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。
2020-02-28 09:31:363240 千呼萬喚始出來，前兩天國內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來了歷史性一刻——合肥長鑫的DDR4內(nèi)存終于開始對外供貨了。
2020-02-29 11:16:035428 嚴格來說，合肥長鑫的內(nèi)存不是第一款國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，紫光旗下的紫光國微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā)，也曾少量用于國產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中，但是紫光國微沒有生產(chǎn)能力，DDR內(nèi)存無法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:112744 2019年國內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時取得了重大突破，長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長鑫官網(wǎng)也宣布開售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431330 2 月 28 日訊，國產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國際通行標準規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281061 江波龍電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860 Xilinx 提供了UltraScaleFPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)，可支持大量I/O和超大存儲帶寬，并能夠
2020-05-28 15:00:573996 除了聯(lián)合江波龍發(fā)布全球最小尺寸的SATA SSD SL500 Mini，七彩虹今天還正式推出了自己的國產(chǎn)內(nèi)存條產(chǎn)品“國創(chuàng)·戰(zhàn)戟”系列，采用了合肥長鑫的DDR4內(nèi)存顆粒，由江波龍代工生產(chǎn)。
2020-06-23 10:01:592235 中應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示，今年預(yù)計會有不少廠商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:122481 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683 2020年很多高端手機都使用了LPDDR5內(nèi)存了，容量也達到了8GB以上，16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4，DDR5也只完成了標準，還沒量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:389435 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418076 
，2021 年將在深圳坪山率先實現(xiàn) DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)。 參數(shù)方面，新一代的內(nèi)存 DDR5，一個 DIMM，兩個通道，將具備更快的速度，有望達到 4.8Gbps 的速度，比 DDR4 的 3.2Gbps
2020-12-02 16:04:361735 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實現(xiàn)
2020-12-08 17:14:252447 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:552251 樣品展開驗證（暫時只有單條 16GB @ 4800MHz 的規(guī)格），以確保實際效能可全面超越 DDR4 時代。
2020-12-16 15:40:331924 在量產(chǎn)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片之后，合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:144084 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認證。
2021-01-28 11:02:101663 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會馬上被淘汰，但前景肯定不會多好
2021-02-02 11:27:393279 ，和普通用戶無關(guān)。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標準協(xié)會發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標準規(guī)范，序列編號JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標準。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標準、固件，可以最大程度減少對于現(xiàn)有設(shè)備、平臺的更改，同
2021-02-19 10:04:021546 DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3712884 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:483592 DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441332 ARES RGB DDR4?臺式電腦內(nèi)存 ? ? ?
2022-04-25 10:32:00276 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們在性能上會有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0528373 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:189011 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905 近兩年，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實現(xiàn)從0到1的突破。 今年，基于長江存儲64
2020-07-14 09:26:5710613
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