在談到DRAM技術(shù)未來的發(fā)展時，平博士首先強調(diào)，DRAM是有它的極限的。我們通過改進，可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能，就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個選擇，這在未來幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展，滿足大數(shù)據(jù)時代的需求。
2019-09-19 15:06:13
2836 自從福建晉華遇到了極大麻煩后，其他本地廠商如合肥長鑫，西安國芯的計劃似乎很有限，不太可能對全球DRAM市場產(chǎn)生重大影響。但這一看法我想最近要糾正下。原為合肥長鑫的長鑫存儲已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其自制
2019-12-16 17:28:0026019 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設(shè)計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151867 據(jù)臺灣媒體報道，大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲器主導(dǎo)權(quán)，隨著三大體系建廠計劃預(yù)定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。長鑫日前正式曝光相關(guān)投資計劃，預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟
2016-12-19 14:49:258982 知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進展的長江存儲，國內(nèi)企業(yè)在國際主流存儲器上都取得了重大突破，為推動存儲國產(chǎn)化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:056161 在今日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會（CFMS）上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。
2019-09-26 05:13:004251 是來自于合肥長鑫的純國產(chǎn)CXMT DRAM芯片。 合肥長鑫作為國產(chǎn)DRAM芯片行業(yè)的代表，曾經(jīng)吸收過奇夢達(Qimonda)的部分資源，這家德國DRAM廠商沒能等到熬過10年前的內(nèi)存寒冬，在破產(chǎn)后將2.8TB的技術(shù)文件以及16000相專利申請轉(zhuǎn)讓給了合肥長鑫。 經(jīng)過了足足
2020-10-30 15:33:148573 6月12日，日經(jīng)新聞引述未具名消息人士報導(dǎo)，合肥長鑫已經(jīng)重新設(shè)計了其DRAM芯片，以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。 日經(jīng)：長鑫已重新設(shè)計DRAM芯片，盡量避免使用美國原產(chǎn)技術(shù) 據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評論報導(dǎo)
2019-06-13 18:30:033778 日前，長鑫存儲技術(shù)有限公司（以下簡稱長鑫存儲）與美國半導(dǎo)體公司Rambus Inc.（以下簡稱藍鉑世）簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議，長鑫存儲從藍鉑世獲得大量動態(tài)隨機存取存儲（以下簡稱DRAM）技術(shù)
2020-04-27 16:14:435261 4 月 28 日訊，近日，長鑫存儲技術(shù)有限公司與美國半導(dǎo)體公司 Rambus 簽署專利許可協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，長鑫存儲從 Rambus 獲得大量動態(tài)隨機存取存儲(以下簡稱“DRAM”)技術(shù)專利的實施許可
2020-04-29 09:27:385040 今年2月底，長鑫存儲官方宣布，符合國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實現(xiàn)真正國產(chǎn)，并采用國產(chǎn)第一代10nm級工藝制造
2020-05-22 11:47:379678 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶），日前從長鑫存儲官網(wǎng)查閱到，長鑫存儲已正式發(fā)布LPDDR5/5X內(nèi)存。 ? 據(jù)官網(wǎng)介紹，LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動態(tài)隨機存儲器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)
2025-10-30 09:12:555305 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，長鑫存儲首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線最新產(chǎn)品。 ? 長鑫存儲最新的DDR5產(chǎn)品是中國首個自主研發(fā)的DDR5。該產(chǎn)品系列最高速率達8000Mbps，最高
2025-11-25 08:27:008146 
。
該貯箱采用了5米級長筒段，首次實現(xiàn)了國內(nèi)近2米級筒段向5米級筒段的重大跨越，標(biāo)志著我國已初步掌握長筒段研制技術(shù)，火箭在高質(zhì)量、高效率、低成本研制上又取得重大突破。長筒段將現(xiàn)有多個筒段整合為一，有效
2021-07-06 10:02:35
理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
高科技產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品還可長可久，投資于此，理所當(dāng)然。DRAM制程推進已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是事倍功半的努力。對于一個商業(yè)公司
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時擴展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析：由題得，16個DRAM芯片需要先在位方向擴展為4位得
2022-03-02 06:18:45
鑫達科技近期以來取得重大技術(shù)突破且擁有成熟解密方案的優(yōu)勢解密系列，針對各種IC芯片，目前我們均能夠提供高效可靠、價格合理的芯片解密方案?！ PC82G516芯片解密是其中成功破解的典型芯片
2012-09-29 11:29:00
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術(shù)由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進行刷新，直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計算機斷電才停止。每次讀寫
2010-07-15 11:40:15
CPU、內(nèi)存和加速器，可能改變內(nèi)存池化、共享的架構(gòu)。
國產(chǎn)化：中國在存儲芯片領(lǐng)域（尤其是DRAM和NAND）投入巨大，長江存儲（NAND）和長鑫存儲（DRAM）是代表，正努力突破技術(shù)和產(chǎn)能瓶頸。
6.
2025-06-24 09:09:39
什么是SOI技術(shù)？在實現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
據(jù)新華社等多家媒體報道！暢能達科技實現(xiàn)散熱技術(shù)重大突破
由 廣東暢能達科技發(fā)展有限公司 自主研發(fā)的高熱流密度散熱相變封裝基板，其散熱性能遠遠超過現(xiàn)有的金剛石鋁和金剛石銅。該技術(shù)可廣泛運用于芯片、微波
2024-05-29 14:39:57
`華爾街日報發(fā)布文章稱，科技產(chǎn)品下一個重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎(chǔ)的一個組件，微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12
ADI寬帶RFIC實現(xiàn)重大技術(shù)突破，大大簡化設(shè)計
隨著多種標(biāo)準(zhǔn)在中國的共存，射頻器件需要滿足多種頻段的需求。目前的情況是移動終端的射頻已開始走向部分集成，支持
2010-01-04 14:10:48862 IBM宣布芯片實現(xiàn)重大突破 可建百萬萬億次電腦
網(wǎng)易科技訊 北京時間3月4日消息 據(jù)《自然》雜志報道，IBM的科學(xué)家當(dāng)日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實現(xiàn)了芯片間
2010-03-04 08:50:13769 “第三代”光伏發(fā)電技術(shù)，也就是綠色光伏發(fā)電技術(shù)，特點是綠色、高效、價廉和壽命長。中國第三代光伏發(fā)電技術(shù)又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:381197 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 的生產(chǎn)工藝，合肥長鑫和福建晉華在投產(chǎn)后預(yù)計在工藝方面較這些存儲芯片巨頭還有較大差距，在正式投產(chǎn)后還將面臨著良率問題等，需要時間。
值得驚喜的關(guān)注，北京兆易創(chuàng)新公司，他們在DRAM技術(shù)上取得了突破
2018-04-18 09:12:376932 近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中，長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成
2018-04-18 13:50:008123 
長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司CEO王寧國高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項目發(fā)布會表示，合肥長鑫作為國內(nèi)進展最快的存儲器生產(chǎn)基地，近日12吋基地約300臺研發(fā)設(shè)備已基本全部到位，裝機后今年下半年將全力投片試生產(chǎn)。
2018-04-23 11:25:0013560 中國三大存儲器勢力還有一大神秘隊伍合肥長鑫，看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開合肥存儲器項目神秘 合肥對DRAM的謀劃不僅是合肥長鑫的存儲項目，在2016年3月，就有消息傳出，原爾必達社長坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計公司兆基科技（Sino King Technology）將在中國主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項目。
2018-05-02 10:28:009953 國內(nèi)目前有三大存儲芯片基地，紫光主導(dǎo)的長江存儲以武漢為基地，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，預(yù)計明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存，選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點的有兩大陣營，福建晉華集團聯(lián)合臺聯(lián)電在
2018-07-20 17:48:199888 中國DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國目前在全球個人計算機、智能手機、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來新時代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位，聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠商
2018-07-23 15:12:2417648 據(jù)國際電子商情，日前，消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片，啟動試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272 
日前，合肥長鑫的DRAM正式投片，產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4?？梢哉f，近期國內(nèi)三大存儲芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509922 7月16號，中國DRAM代表廠商合肥長鑫召開存儲器項目首次投片總結(jié)大會，在會上傳出消息，合肥長鑫即將進行8GB LPDDR4的投片，成為中國第一家邁向高端存儲投片階段的存儲器廠商。中國市場的存儲
2018-11-29 16:51:0518310 隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國芯的DRAM設(shè)計實力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合，以發(fā)揮集團的存儲戰(zhàn)力，還待時間觀察。
2019-02-25 10:22:4910153 從福建晉華被美國宣布列為禁止出口的制裁名單后，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào)，業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長鑫會踩到前人地雷，然合肥長鑫首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805 據(jù)悉，臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）下屬的電子與光電子系統(tǒng)研究實驗室（EOSRL）日前宣布，在Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實現(xiàn)了重大突破。
2019-05-24 15:29:252508 日前，據(jù)消息人士稱，合肥長鑫存儲為減少美國制裁威脅，已經(jīng)重新設(shè)計了DRAM芯片，以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2819830 長鑫存儲已經(jīng)重新設(shè)計DRAM芯片，以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363777 來到DRAM方面，國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫在七月中下旬正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑。據(jù)合肥長鑫的王寧國之前的披露，合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開始安裝。
2019-08-30 11:22:221657 
作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832 在早前長江存儲宣布它已研發(fā)出64層NAND flash芯片之后，近日合肥長鑫也宣布已解決DRAM芯片的技術(shù)難題并已進入小規(guī)模生產(chǎn)，這意味著困擾中國制造業(yè)的芯片產(chǎn)業(yè)取得了重大突破，這為中國制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09981 20日在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。
2019-09-20 15:57:164487 昨日，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:078443 在深圳舉辦的中國閃存技術(shù)峰會上，長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進行了《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:564030 在9月20日-23日安徽合肥舉行的2019世界制造業(yè)大會上，長鑫存儲宣布DRAM生產(chǎn)線投產(chǎn)。這標(biāo)志著我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域取得重大突破。合肥將依托長鑫存儲引進芯片設(shè)計、封裝測試、裝備材料、智能終端類項目，打造空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園。
2019-09-24 15:40:052418 最新消息，今天在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期
2019-11-14 15:31:363283 中國的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣，新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長到世界 5％的存儲芯片生產(chǎn)。
2019-11-22 16:46:581191 存儲器產(chǎn)品占到了我國每年進口半導(dǎo)體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。
2019-11-27 17:01:152508 根據(jù)AnandTech的報道，長鑫存儲科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖，并計劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產(chǎn)量。
2019-12-03 10:46:224970 12月3日消息，根據(jù)消息報道，長鑫存儲科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖，并計劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此，長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產(chǎn)量。
2019-12-03 14:22:483838 長鑫存儲技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢達開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。
2019-12-06 09:35:501187 長鑫存儲技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢達開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。
2019-12-06 09:37:453817 12 月 5 日訊，在近日召開的 2019 世界制造業(yè)大會上，總投資約 1500 億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月 12 萬片晶圓。
2019-12-06 10:53:102505 近日，據(jù)外媒報道，長鑫存儲正式宣布其成為了國內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。
2019-12-09 16:18:527140 近日，長鑫存儲技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）制造商奇夢達開發(fā)的DRAM專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。
2019-12-10 15:20:393829 12 月 10 日訊，長鑫存儲獲得工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代 10nm 工藝級 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。標(biāo)志著長鑫存儲正式成為了國內(nèi)第一家也是唯一一家 DRAM 供應(yīng)商。
2019-12-10 16:01:532748 長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市?，F(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620 2 月 27 日訊，日前，國產(chǎn)芯片代表企業(yè)長鑫存儲官方正式上線 DRAM 產(chǎn)品，包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品，均符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2020-02-28 14:23:352530 千呼萬喚始出來，前兩天國內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來了歷史性一刻——合肥長鑫的DDR4內(nèi)存終于開始對外供貨了。
2020-02-29 11:16:036311 據(jù)韓媒Business Korea報道，長鑫存儲技術(shù)有限公司啟動DRAM芯片銷售，成為中國第一家DRAM芯片供應(yīng)商。中國企業(yè)正在逐步增加在DRAM和NAND閃存市場的份額。
2020-02-29 14:50:563824 如果說處理器等領(lǐng)域，中國半導(dǎo)體行業(yè)還有些存在感，那么存儲市場就幾乎為零了。
2020-03-11 10:44:564255 據(jù)合肥在線報道，3月25日晚，一架搭載2臺共34噸精密設(shè)備的波音747全貨機在合肥新橋國際機場落地，解決了本地長鑫存儲公司疫情期間設(shè)備進口的燃眉之急。
2020-04-03 16:42:054588 近日，我國在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破，在國際上首次實現(xiàn)相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443811 江波龍嵌入式存儲品牌FORESEE推出了3款國產(chǎn)化內(nèi)存，核心DRAM均采用長鑫存儲的顆粒，這標(biāo)志著中國存儲在質(zhì)量上開始參與市場競爭。
2020-05-15 14:18:153534 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行最近，其中，長鑫存儲技術(shù)有限公司、蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約《長鑫12英寸
2020-06-08 17:00:505239 近年來，以中芯國際、長江存儲、合肥長鑫為代表的本土半導(dǎo)體制造企業(yè)正分別在邏輯電路芯片、3DNAND存儲芯片、DRAM存儲芯片領(lǐng)域布局先進制程產(chǎn)能，也是中國半導(dǎo)體制程工藝技術(shù)走在最前沿的企業(yè)。
2020-07-14 14:49:454203 長鑫存儲今年年底產(chǎn)能可達12萬片，預(yù)計將超越南亞科技，屆時市占率將僅次于三大巨頭。此外，長鑫 17nm工藝即將出世，明年可實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。 報道稱，長鑫存儲 19nm DRAM 工藝已于 2020
2020-09-03 15:08:006616 
在2019年，國內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個重大的突破，長江存儲量產(chǎn)64層3D閃存，合肥長鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存，而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。
2020-09-18 14:18:463335 生產(chǎn)能力為“零”。在我國不斷強調(diào)科技創(chuàng)新，“關(guān)鍵核心技術(shù)實現(xiàn)重大突破”的大背景下，未來存儲芯片***空間極為廣闊！
三、合肥長鑫+長江存儲吹響
2020-11-03 12:27:323601 
12 月 1 日消息，英文媒體此前曾多次報道，存儲芯片制造商今年下半年的處境并不樂觀，行業(yè)內(nèi)供過于求，三星電子和其他主要制造商 DRAM 和 NAND 閃存的平均庫存，已接近 4 個月。 但從英文
2020-12-01 17:39:582292 的非易失性存儲器類型（PCM和MRAM）將在獨立存儲器中處于領(lǐng)先地位。 傳統(tǒng)存儲芯片到達技術(shù)節(jié)點 存儲器產(chǎn)業(yè)如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存儲器三個相對獨立的市場。 然而，隨著摩爾定律的延伸，技術(shù)需求也越來越高，傳統(tǒng)存儲芯片
2020-12-06 06:57:004266 理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子本篇文章主要介紹關(guān)于DRAM的基本知識。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現(xiàn)。若寫入位
2020-12-11 15:11:294696 
芯片已成為世界各國科技角力的主陣地，但最近全球卻面臨一個重大的問題——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:193759 ? DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實控企業(yè)、小米長江產(chǎn)業(yè)基金等機構(gòu)入股長鑫存儲
2020-12-25 17:49:106588 ? 國產(chǎn)DRAM廠商長鑫存儲母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資，國產(chǎn)DRAM發(fā)展再獲強勁助力。 ? 根據(jù)天眼查資料顯示，12月14日，國產(chǎn)DRAM廠商長鑫存儲母公司發(fā)生工商信息
2021-01-08 10:36:427501 華為中國芯片技術(shù)最新突破：因為疫情和美國的芯片禁令導(dǎo)致中國缺芯問題愈發(fā)嚴(yán)重，華為和中國的很多的芯片企業(yè)都在積極地解決問題，華為海思的芯片技術(shù)也有了重大突破，國產(chǎn)14nm芯片將會在明年年底量產(chǎn)。
2022-01-10 11:04:2032799 中國存儲器的努力已縮小到兩個最有前途的參與者，即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的長鑫存儲技術(shù) （CXMT），它們得到了蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的支持。
2022-05-10 15:04:114586 
近日,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長電科技宣布,公司在先進封測技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破,實現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機芯片的封裝,以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。
2022-07-22 11:46:413975 日前，甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會”長鑫存儲入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價值公司”。長鑫存儲作為國內(nèi)專業(yè)從事DRAM芯片設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售領(lǐng)軍企業(yè)，是唯一實現(xiàn)
2022-08-04 16:23:143700 
華為芯片迎重大突破：目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強大的移動芯片之一，被廣泛應(yīng)用于華為自家的旗艦手機以及平板電腦等設(shè)備上。 華為一直是全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計和制造企業(yè)之一，近年來通過自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:564987 長鑫存儲12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國主流手機制造商小米、傳音等品牌機型上完成了驗證。lpddr5是長鑫存儲針對中高端移動機器市場推出的產(chǎn)品，市場化將進一步完善長鑫存儲的dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:102769 長鑫12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝，這是長鑫存儲首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:332566 與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達到12Gb和6400Mbps，同時功耗降低30%。長鑫存儲LPDDR5芯片加入了RAS功能，通過內(nèi)置糾錯碼（On-die ECC）等技術(shù)，實現(xiàn)實時糾錯，減少系統(tǒng)故障，確保數(shù)據(jù)安全，增強穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:062775 
據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲技術(shù)有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利，授權(quán)公告號CN116631469B，申請日期為2023年7月。
2023-12-04 10:03:441191 LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5是長鑫存儲面向中高端移動設(shè)備市場推出的產(chǎn)品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-13 11:12:081383 ”；這是我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破。有助于解決大容量和節(jié)能的存儲技術(shù)難題。 利用國際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導(dǎo)發(fā)光超分辨光存儲技術(shù)，實驗上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制，實現(xiàn)了點尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:452307 本輪所有投資人均以相同條款及價格，與長鑫科技、上述三個早期股東簽署增資協(xié)議，并將簽署《關(guān)于長鑫科技集團股份有限公司之股東協(xié)議》，共同參與長鑫科技增資事項。
2024-03-30 14:48:504668 
1.88%股權(quán)。 兆易創(chuàng)新表示，本次對長鑫科技投資，有利于加深雙方戰(zhàn)略合作關(guān)系，發(fā)揮在代工產(chǎn)能和技術(shù)優(yōu)勢等方面的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，通過強化協(xié)同聯(lián)動，在存儲器業(yè)務(wù)領(lǐng)域持續(xù)深化合作，實現(xiàn)互利共贏。長鑫科技本輪融資完成后，將繼續(xù)推進產(chǎn)
2024-04-02 15:27:351710 
三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別，并計劃在今年內(nèi)啟動1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。
2024-04-16 15:22:301327 如果內(nèi)存是一個巨大的矩陣，那么DRAM芯片就是這個矩陣的實體化。如下圖所示，一個DRAM芯片包含了8個array，每個array擁有1024行和256列的存儲單元。
2024-07-26 11:41:302710 
速率動態(tài)隨機存儲器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計，長鑫存儲 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率達到10667Mbps ，達到國際主流
2025-10-30 09:53:28937 據(jù)報道，長鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技術(shù)路線圖，從其路線規(guī)劃來看，其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6， 雖然未公布具體時間節(jié)點
2019-12-03 18:18:1323542 價格一路走跌， 2019 年底稍有回暖跡象。 國產(chǎn)存儲芯片在剛剛過去的 2019 年成長顯著，兆易創(chuàng)新受益于 TWS 業(yè)績一路攀升，長江存儲 64 層 256 Gb 3D NAND 量產(chǎn)，長鑫存儲 10
2020-01-06 08:30:0026712 近兩年，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實現(xiàn)從0到1的突破。 今年，基于長江存儲64層
2020-07-14 09:26:5712532 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）終于！國內(nèi)DRAM龍頭長鑫科技在2025年的尾巴向上交所遞交招股書，擬在科創(chuàng)板掛牌上市。成立于2016年的長鑫專注于DRAM存儲芯片的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，填補了中國大陸本土
2026-01-01 04:09:009251 
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