比特位的技術(shù)），實(shí)現(xiàn)了具有極大存儲(chǔ)容量的硅芯片。 目前，最先進(jìn)的3D NAND閃存可在單個(gè)硅片上容納高達(dá)1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
8135 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 4月17日，外媒消息顯示，三星即將完成業(yè)界首批160層以上的NAND閃存芯片的開發(fā)。這家韓國半導(dǎo)體巨頭正在利用其“超級(jí)缺口”戰(zhàn)略來開發(fā)該公司的第七代NAND閃存芯片，從而使其在競(jìng)爭(zhēng)中處于優(yōu)勢(shì)地位
2020-04-18 09:58:227747 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 國產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 盡管2018年下半閃存企業(yè)過得并不經(jīng)如意。但我們有理由相信，不止三星、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD），美光、SK海力士等閃存企業(yè)在技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)將越向趨于激烈。通過上述對(duì)三星和東芝/西部數(shù)據(jù)(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392049 
幾周前三星展示了公司的3D晶圓封裝技術(shù)。如今，有業(yè)界專家指出，三星電子正在加速這項(xiàng)技術(shù)的部署，因?yàn)樵摴酒谕茉诿髂觊_始與臺(tái)積電在先進(jìn)芯片封裝領(lǐng)域展開競(jìng)爭(zhēng)。
2020-08-25 09:47:423182 臺(tái)積電傳出正在跟美國科技巨擘合作，共同開發(fā)系統(tǒng)整合芯片（SoIC）創(chuàng)新封裝科技，利用 3D 芯片間堆棧技術(shù)，讓半導(dǎo)體功能更強(qiáng)大。
2020-11-20 10:03:063583 ，既有超強(qiáng)的性能，同時(shí)兼顧了低功耗的設(shè)計(jì)，外加強(qiáng)大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場(chǎng)的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲(chǔ)并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
制造業(yè)作為實(shí)體經(jīng)濟(jì)的主體，即是技術(shù)革新的主戰(zhàn)場(chǎng)，也是推重中國經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的重點(diǎn)。尤其在如今世界各國對(duì)高端技術(shù)和制造業(yè)投入不斷加碼的大背景下，將3D打印等尖端技術(shù)運(yùn)用于制造業(yè)，促進(jìn)制造業(yè)升級(jí)，更是
2018-08-11 11:25:58
度的減輕產(chǎn)品重量呢？采用新型的塑料成型技術(shù)：3D混合制造 可以到達(dá)要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時(shí)間和實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜的饋源/波導(dǎo)等器件的一體化免安裝調(diào)試，且?guī)淼牧硗夂锰幨?b class="flag-6" style="color: red">大幅度減輕了產(chǎn)品重量。下面舉例說明：
2019-07-08 06:25:50
用上可折疊屏。據(jù)報(bào)道，三星負(fù)責(zé)人在活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)表示，與可折疊智能手機(jī)一樣，三星正在與顯示器制造商合作，開發(fā)具有可折疊顯示器的筆記本電腦，不僅可以折疊進(jìn)出，而且可以創(chuàng)造新的價(jià)值和用戶體驗(yàn)，從而讓筆記本電腦市場(chǎng)出現(xiàn)
2018-10-26 16:44:09
（Frame sequential）功能的3D顯示器應(yīng)該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測(cè)試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗(yàn)了一把接藍(lán)光播放機(jī)的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
MOPIC的無需佩戴眼鏡或設(shè)備就能實(shí)現(xiàn)VR的3d智能手機(jī)殼。三星note8手機(jī)殼為什么能做3d顯示屏？其實(shí)，原理是將凸透鏡制作成薄膜,貼在手機(jī)殼上。與之前的技術(shù)不一樣的是，在觀看虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）時(shí)是不需要
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
ofweek電子工程網(wǎng)訊據(jù)外媒12月11日?qǐng)?bào)道，三星即將問世的Galaxy S9的虹膜掃描技術(shù)將得到進(jìn)一步改進(jìn)，以更好地識(shí)別用戶的眼睛，三星還計(jì)劃在明年年底或2019年初將虹膜掃描技術(shù)擴(kuò)展到銀行業(yè)務(wù)
2017-12-12 15:06:09
導(dǎo)入了該項(xiàng)技術(shù)。電路線寬為10納米級(jí)（一納米為十億分之一米）。據(jù)稱，與平面型NAND閃存相比，3D型NAND閃存不僅寫入速度更高，耗電量也大幅減小。 三星此前已在韓國和美國德克薩斯州設(shè)立半導(dǎo)體工廠，這是
2014-05-14 15:27:09
三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
芯片制造商。 獨(dú)占半壁江山 但跟核心處理器芯片不同的是，三星的增長是受益于不斷漲價(jià)的存儲(chǔ)芯片。數(shù)據(jù)顯示，英特爾預(yù)計(jì)在2017年二季度將實(shí)現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到146億美元
2019-04-24 17:17:53
！ 那么今年China Joy MM們最關(guān)注的是什么呢？當(dāng)然是核心話題“3D”啦，本次展會(huì)最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺(tái)顯示器在整個(gè)展會(huì)，其中3D顯示器體驗(yàn)區(qū)是最吸引China Joy MM們的地區(qū)，下面就來看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
STM32堆棧區(qū)（一）一個(gè)由C/C++編譯的程序占用的內(nèi)存分為以下幾個(gè)部分：棧區(qū)（stack）：編譯器自動(dòng)分配釋放，存放函數(shù)的參數(shù)值，局部變量的值等。操作方式類似于數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的棧。堆區(qū)（heap
2022-01-20 08:32:41
STM32堆棧的地址是怎么得出來的？
2021-11-26 07:14:55
$ `# J蘇寧的銷售員馬躍輝表示，“沒有想到五一短短的3天會(huì)有如此大的需求，很多賣場(chǎng)三星3D電視的供貨已經(jīng)跟不上銷售，一些客人只能訂購”。由于其他廠商沒有實(shí)質(zhì)性的3D電視銷售，唯一實(shí)現(xiàn)3D電視銷售的三星電子
2010-05-06 14:24:28
包括1gb eMRAM測(cè)試芯片，并計(jì)劃使用其18FDS工藝制造eMRAM，以及更先進(jìn)的基于FinFET的節(jié)點(diǎn)。 三星宣布將改進(jìn)其MRAM的MTJ功能，使其適合更多的應(yīng)用。而在第五屆年度三星代工論壇上
2023-03-21 15:03:00
月英特爾宣布使用FinFET技術(shù)，而后臺(tái)積電、三星也都陸續(xù)采用FinFET。晶體管開始步入了3D時(shí)代。在接下來的發(fā)展過程中，F(xiàn)inFET也成為了14 nm，10 nm和7 nm工藝節(jié)點(diǎn)的主要柵極
2020-03-19 14:04:57
從***企業(yè)採購面板,金融危機(jī)來臨的時(shí)候便大幅撤單,導(dǎo)致***面板企業(yè)損失慘重,奇美電子當(dāng)年出貨量減少4成,同時(shí)三星順勢(shì)奪下約24.5%的市場(chǎng)份額;以富士康為首的***企業(yè)一直將三星視為”眼中釘
2016-12-18 01:18:05
三星稱將開始批量生產(chǎn)3D LED和LCD電視面板
據(jù)報(bào)道，韓國三星電子28日表示，將開始批量生產(chǎn)3DLED和LCD電視面板。三星電
2010-01-28 09:25:31631 三星啟動(dòng)量產(chǎn) 3D電視決戰(zhàn)正式開火
在三星宣布正式開始量產(chǎn)40寸、46寸與55寸3D電視開始，全球3D電視的市場(chǎng)熱戰(zhàn)也正式引燃。由三星首
2010-01-30 10:02:581172 CES2010：三星推出首款LED液晶3D電視
據(jù)外媒報(bào)道，三星電子在美國CES展上首次推
2010-03-02 09:27:221013 堆棧：堆棧是一個(gè)"后進(jìn)先出"的主存區(qū)域，位于堆棧段中，使用SS段寄存器記錄其段地址。它只有一個(gè)出入口，即當(dāng)前棧頂，棧頂是地址較小 的一端（低端），它用堆棧指針寄存器
2010-06-30 11:06:132150 
根據(jù)國外媒體報(bào)道，日前有內(nèi)部人士表示，三星已經(jīng)開始計(jì)劃在2019年使用6nm工藝制造移動(dòng)芯片，而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產(chǎn)線的投資。據(jù)悉，三星計(jì)劃在今年安裝兩款全新的光刻機(jī)，并且計(jì)劃在2018年繼續(xù)追加投資7臺(tái)，這樣就將為未來制造工藝的提升提供了支持，同時(shí)還能大幅提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
2017-06-28 10:40:551203 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價(jià)。
2017-07-05 08:47:54795 此前，SSD漲價(jià)的主要推手就是主要顆粒廠在改造3D NAND生產(chǎn)設(shè)備，現(xiàn)在老大三星和老幺SK海力士均行動(dòng)，相信會(huì)穩(wěn)定住市場(chǎng)格局，并在不遠(yuǎn)的將來看到市場(chǎng)供貨改善。
2017-07-06 15:20:51706 三星閃存規(guī)格書 K9GCGX8X0D
2017-10-17 09:27:40
19 三星的Galaxy S9 將于明年2月的MWC 2018世界移動(dòng)通信大會(huì)上發(fā)布，三星表明S9不會(huì)有全新的功能，而是繼續(xù)采用2D面部識(shí)別技術(shù)，如同Note8一樣的后置雙攝，將換裝三層堆棧攝像頭，有網(wǎng)友擔(dān)心售價(jià)恐再次上揚(yáng)。但到底如何，我們只能等待。
2017-11-22 10:00:28970 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計(jì)劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時(shí)代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星旗艦芯片Exynos 9810采用自家第二代10nm LPP工藝打造，官方確認(rèn)支持3D面部識(shí)別，單核處理速度可提高約2倍。
2018-02-06 12:54:471176 三星電子內(nèi)存解決方案的需求，隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導(dǎo)體是拉動(dòng)三星營收和利潤的關(guān)鍵，三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318 
盡管三星GALAXY S10在設(shè)計(jì)上不會(huì)出現(xiàn)大的改動(dòng)，但韓國媒體The Bell預(yù)計(jì)三星會(huì)為該系列新機(jī)搭載類似iPhone X的3D人臉識(shí)別技術(shù)以及屏下指紋解鎖功能。據(jù)悉，三星的3D感測(cè)模塊正在開發(fā)
2018-04-19 16:59:516920 
層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759 宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存？從新聞到評(píng)測(cè)
2018-10-08 15:52:39780 三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點(diǎn) 在三星Tech Day會(huì)議上，三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產(chǎn)品及新技術(shù)，SSD方面也更新了路線圖，未來的重點(diǎn)就是96層堆棧
2018-10-18 17:33:006571 根據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)2019年將在新的Galaxy S10及 Galaxy A系列的智能手機(jī)上采用ToF 3D面部識(shí)別技術(shù)，并極有可能砍掉虹膜識(shí)別。
2018-11-22 09:26:092163 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲(chǔ)專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966 在上個(gè)月初，三星在官方商城以及其他電商平臺(tái)都上架了旗下最新的瞳3D筆記本。而于12月7日，三星在北京798藝術(shù)中心舉辦新品發(fā)布會(huì)，正式向外界介紹旗下的瞳3D筆記本，與此同時(shí)，三星還帶來一款全新體驗(yàn)產(chǎn)品：三星玄龍MR。
2019-05-22 14:13:314468 三星電子近日申請(qǐng)了Depth Vision Lens商標(biāo)，據(jù)推測(cè)這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519 
在手機(jī)屏幕的邊框不斷收窄、屏占比不斷攀升的當(dāng)下，各大廠商越來越重視為用戶提供更好的沉浸式體驗(yàn)，據(jù)悉，三星將在明年初推出Galaxy One全新高端旗艦手機(jī)系列，該系列將采用三星最新的3D屏幕技術(shù)。
2019-11-19 16:05:544227 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 固態(tài)硬盤市場(chǎng)的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 12月23日消息，據(jù)外媒報(bào)道，開發(fā)者在Galaxy S10 5G最新Beta版固件中發(fā)現(xiàn)三星添加了TOF 3D人臉識(shí)別功能，暗示Galaxy S11+將支持TOF 3D人臉識(shí)別。
2019-12-23 16:45:044514 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:41:5212167 在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135597 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級(jí)到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 對(duì)3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲(chǔ)密度就越高，這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力，2020年全球將大規(guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 繼三星去年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個(gè)月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對(duì)手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 日前，三星電子宣布，由三星為業(yè)內(nèi)最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)專門研發(fā)的硅驗(yàn)證3D IC封裝技術(shù)，eXtended－Cube，簡稱為X－cube，已經(jīng)可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057 三星晶圓代工市場(chǎng)策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進(jìn)的極紫外光（EUV）制程節(jié)點(diǎn)時(shí)，也能穩(wěn)定聯(lián)通。
2020-08-17 17:58:411671 有了3D整合方案，晶粒間的訊號(hào)傳輸路徑將大為縮短，可加快數(shù)據(jù)傳送速度和能源效益。三星宣稱，X-Cube可用于7納米和5納米制程。
2020-09-08 17:24:254308 三星計(jì)劃明年開始與臺(tái)積電在封裝先進(jìn)芯片方面展開競(jìng)爭(zhēng)，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163743 根據(jù)描述，三星的新型傳感器將帶來更好的人臉識(shí)別以及更好的深度感應(yīng)功能。值得注意的是，有傳言稱蘋果將在即將面世的iPhone 12系列中添加3D ToF相機(jī)。該公司已經(jīng)在其iPad上安裝了LiDAR傳感器。
2020-09-30 14:44:152877 在Intel、臺(tái)積電各自推出自家的3D芯片封裝技術(shù)之后，三星也宣布新一代3D芯片技術(shù)——X-Cube，基于TSV硅穿孔技術(shù)，可以將不同芯片搭積木一樣堆疊起來，目前已經(jīng)可以用于7nm及5nm工藝。
2020-10-10 15:22:582004 在屏幕顯示技術(shù)上，三星確實(shí)擁有不俗的實(shí)力，但過往的技術(shù)也只是基于2D平面顯示，而在三星看來，未來是屬于3D的。三星已經(jīng)朝著全息圖邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，它的原型薄板設(shè)備能以4K分辨率顯示3D圖像，并具有
2020-11-13 10:17:543302 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進(jìn)度比三星要快。 根據(jù)美光的說法，176層閃存其實(shí)是基于兩個(gè)88層疊
2020-11-14 10:01:202368 在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進(jìn)度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲(chǔ)跨級(jí)追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲(chǔ)公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 近日，據(jù)外國媒體報(bào)道谷歌和AMD，正在幫助臺(tái)積電測(cè)試和驗(yàn)證3D堆棧封裝技術(shù)，將成為臺(tái)積電這一芯片封裝技術(shù)的首批客戶。報(bào)道中提到，臺(tái)積電正在打造支持3D堆棧封裝技術(shù)建設(shè)的工廠，預(yù)計(jì)明年建成。
2020-11-23 16:21:062515 高通官方推特確認(rèn)，三星Galaxy S21系列首發(fā)高通第二代3D超聲波指紋識(shí)別技術(shù)。
2021-01-15 09:13:03961 在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣，所以堆棧
2021-02-19 18:03:412917 長江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Office M5堆棧助手開源.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-19 10:12:510 3D設(shè)計(jì)引入了多晶硅和二氧化硅的交替層，并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF)，區(qū)別在于FG將存儲(chǔ)器存儲(chǔ)在導(dǎo)電層中，而CTF將電荷“捕獲”在電介質(zhì)層中。這種3D設(shè)計(jì)方式不僅帶來了技術(shù)性能的提升，而且還進(jìn)一步控制了成本。
2023-07-04 15:42:001638 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 三星計(jì)劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級(jí)互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:302499 此款顯示器運(yùn)用置于屏幕頂部的雙攝像頭制造3D立體效果，可實(shí)時(shí)追蹤使用者的頭部與眼球運(yùn)動(dòng)，輕松地將二維視頻轉(zhuǎn)化為3D效果。試驗(yàn)中，三星在顯示器運(yùn)行的游戲《匹諾曹的謊言》3D環(huán)節(jié)展示了驚人的視覺效果
2024-01-08 14:38:161390 在2024年的國際消費(fèi)電子展（CES 2024）上，三星展示了一款令人驚艷的裸眼3D游戲顯示器。這款顯示器獨(dú)特之處在于，用戶無需佩戴任何可穿戴設(shè)備，就能享受到沉浸式的3D/VR體驗(yàn)。
2024-01-09 15:36:541482 三星電子近日宣布，已在美國硅谷開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)（R&D）實(shí)驗(yàn)室，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這一新實(shí)驗(yàn)室將由三星的Device Solutions America（DSA）運(yùn)營，并負(fù)責(zé)監(jiān)督公司在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)活動(dòng)。
2024-01-29 11:29:251376 三星電子，全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商，近日宣布在美國設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA)，負(fù)責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306 近日，三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，以加強(qiáng)其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實(shí)驗(yàn)室的成立將專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。
2024-01-31 11:42:011285 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 在Memcon 2024上，三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用，實(shí)現(xiàn)性能提升；
2024-04-01 15:43:081209 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 在今年的IEEE IMW 2024活動(dòng)中，三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出，已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM，其中美光更是發(fā)展至8層水平。
2024-05-22 15:02:201617 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動(dòng)上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個(gè)重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時(shí)，他透露，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 近日，據(jù)韓國媒體報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存（HBM）的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的，同時(shí)也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實(shí)。
2024-06-19 14:35:501643
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