2016年下半年開(kāi)始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開(kāi)始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價(jià)速度放緩到個(gè)位數(shù)，不過(guò)今年并沒(méi)有
2018-10-31 09:49:01
2463 半年擴(kuò)大對(duì)NAND的需求。 圖：三星250GB企業(yè)固態(tài)硬盤（基于其128層高端NAND閃存） 全球半導(dǎo)體設(shè)備制造商Ram Research在13日宣布，將為其產(chǎn)品組合增加VECTOR DT和EOS GS
2019-08-16 00:55:007738 ，消費(fèi)者可能正在考慮使用諸如NAND和SSD之類的NAND閃存設(shè)備的成本顯著增加。 NAND閃存的整體價(jià)格可能會(huì)在2020年急劇上升，可能會(huì)使價(jià)格上漲40％ 如果這個(gè)預(yù)測(cè)是正確的，那么消費(fèi)者應(yīng)該會(huì)看到SSD或任何使用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格急劇上漲。到2020年，從2.5英寸固態(tài)硬盤，M.2固態(tài)硬
2020-01-06 11:15:334546 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，由于高端智能手機(jī)的銷量疲軟，導(dǎo)致第三季度對(duì)NAND閃存的需求可能會(huì)弱于預(yù)期。 7月份NAND的價(jià)格下降了5%左右，并可能在8到9月份繼續(xù)下降。
2013-07-30 10:37:561189 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 據(jù)Bloomberg消息，世界上最大的內(nèi)存芯片制造商三星電子公司將投資70億美元用于中國(guó)半導(dǎo)體工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)智能手機(jī)和其他設(shè)備使用的NAND閃存的需求。
2017-08-29 09:39:441501 制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件級(jí)
2023-06-21 17:36:3213703 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:214056 
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞，可能
2025-03-25 11:44:242594 
由于iPad和iPhone等產(chǎn)品熱銷，預(yù)計(jì)今年蘋果仍將是全球最大的NAND閃存買家，占全球需求的30%左右,蘋果新推出的iCloud存儲(chǔ)服務(wù)將來(lái)可能明顯削弱NAND需求
2011-07-15 08:41:191040 
該行業(yè)非常重視單個(gè)ECC代碼的強(qiáng)度：但經(jīng)常被忽視的是錯(cuò)誤預(yù)防的強(qiáng)度，這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的我們?nèi)绾卧诨?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率？您可能已在工程團(tuán)隊(duì)或存儲(chǔ)系統(tǒng)供應(yīng)商之間進(jìn)行過(guò)
2019-08-01 07:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
NAND閃存介質(zhì)為主的一種存儲(chǔ)產(chǎn)品,應(yīng)用于筆記本電腦、臺(tái)式電腦、移動(dòng)終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合.
NAND閃存類型
按照每個(gè)單元可以存儲(chǔ)的位數(shù)，可以將NAND閃存類型分為SLC、MLC
2025-01-15 18:15:53
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。NAND 內(nèi)存是從起始頁(yè)面地址開(kāi)始的順序訪問(wèn)，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
？我可以將 NAND 閃存分成兩個(gè)分區(qū)嗎：應(yīng)用程序代碼的第一個(gè)分區(qū)第二個(gè)分區(qū)將被格式化為 FAT32 文件系統(tǒng)
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
NAND
文章目錄
NAND
一、FLASH閃存是什么？
二、SD NAND Flash
三、STM32例程
一、FLASH閃存是什么？
簡(jiǎn)介
FLASH閃存是屬于內(nèi)存器件的一種，“Flash
2025-07-03 14:33:09
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40％，但是第一季度過(guò)后NAND價(jià)格就開(kāi)始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個(gè)核心，但它們?cè)贏XI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
嗨，大家好，我正在努力在ML605或VC707上構(gòu)建原型NAND閃存設(shè)備。為此，我需要設(shè)計(jì)一個(gè)NAND Flash子板并將其連接到高引腳數(shù)FMC。在設(shè)計(jì)這樣的電路板之前，我想知道最好的方法是什么？我
2019-04-15 15:58:54
三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 iSuppli：全球芯片庫(kù)存保持緊縮 NAND閃存或短缺
據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫(kù)存，以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下保持盈利。
2010-01-07 09:55:01974 
Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:121155 傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
消息人士周三透露，東芝未來(lái)三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片
2010-02-11 09:06:321776 Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開(kāi)始批
2010-03-04 11:02:511566 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05843 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06968 東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開(kāi)始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。
2014-05-04 16:00:411646 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451726 今年Q1季度到Q2季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂(lè)觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:001032 上周，隨著英特爾和美光宣布未來(lái)雙方將各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D NAND，其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí)，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來(lái)幾年，英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:555172 
過(guò)去幾年由于PC從傳統(tǒng)機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為閃存盤，智能手機(jī)等數(shù)碼產(chǎn)品不斷提升閃存容量，導(dǎo)致全球市場(chǎng)對(duì)NAND flash的需求大幅增長(zhǎng)，這推動(dòng)了全球NAND flash的價(jià)格持續(xù)上漲。作為全球最大
2018-05-31 12:10:001612 參考消息網(wǎng)4月13日?qǐng)?bào)道 日媒稱，中國(guó)正式推進(jìn)設(shè)備投資加快半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化，2018年底或將開(kāi)始提供三維NAND閃存芯片。 據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》4月12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體公司愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試公司的一位負(fù)責(zé)人不無(wú)驚訝
2018-04-15 03:44:024034 據(jù)報(bào)道，由于智能手機(jī)需求下降，NAND目前行情疲軟。不過(guò)，年初向來(lái)是需求下降的時(shí)期。很多人認(rèn)為，為迎接年底促銷，各公司2018年夏季將開(kāi)始采購(gòu)智能手機(jī)零件，屆時(shí)可能再次出現(xiàn)NAND短缺的情況。
2018-04-17 09:50:3014904 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:57
9 ）。有必要通過(guò)編程，將已擦除的位從“1”變?yōu)椤?”。最小的編程實(shí)體是字節(jié)（byte）。一些NOR閃存能同時(shí)執(zhí)行讀寫操作（見(jiàn)下圖1）。雖然 NAND不能同時(shí)執(zhí)行讀寫操作，它可以采用稱為“映射
2018-06-06 12:27:0010713 
據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:328259 Altera公司開(kāi)發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。參考設(shè)計(jì)在經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高性價(jià)比單片解決方案中包括
2018-08-24 16:47:001282 在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2018-08-30 14:39:001181 在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2018-10-25 17:37:1818 SSD的價(jià)格沒(méi)有最低，只有更低。據(jù)報(bào)道，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士本周透露，NAND Flash閃存的價(jià)格在2019年將繼續(xù)下滑，雖然今年已經(jīng)累計(jì)榨干50%水分。此前的一份報(bào)道稱，2019年，SSD每GB的單價(jià)會(huì)跌至0.08美元（約合0.56元）。
2018-10-29 16:39:552765 關(guān)鍵詞：東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商?hào)|芝公司宣布已開(kāi)始采樣64GB的NAND閃存芯片，并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋果在內(nèi)的許多智能手機(jī)和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02623 關(guān)鍵詞：NAND , 閃存 這款嵌入式存儲(chǔ)器符合JEDEC UFS[2] 1.1版本標(biāo)準(zhǔn)，將64GB NAND和一個(gè)控制器整合在一個(gè)封裝中 東芝公司今天宣布，業(yè)界首款配備UFS I/F的64千兆字節(jié)
2018-11-09 17:36:01579 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:242506 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:346335 
近日，HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測(cè)，在他看來(lái)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）或將在10年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:366430 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01629 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 電動(dòng)汽車革命即將到來(lái)，但它可能不會(huì)由美國(guó)來(lái)推動(dòng)，而中國(guó)將走在革命道路前列。
2019-05-26 09:02:273524 
NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專用控制器來(lái)處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非?！笨煽康?。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)（并且可能是校正）電路，但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:5711958 
根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來(lái)的BiCS閃存，以及PLC的NAND開(kāi)發(fā)。
2019-08-26 16:15:584174 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 隨著NAND Flash價(jià)格的連續(xù)走低，為了防止過(guò)量的NAND閃存供應(yīng)導(dǎo)致市場(chǎng)崩潰，三大NAND生產(chǎn)廠商、Intel、美光以及SK海力士已經(jīng)共同宣布將采取手段遏制供大于求的現(xiàn)狀，具體來(lái)講就是全方位
2019-10-12 10:01:221136 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463856 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:001103 
盡管新冠疫情仍存在影響，三星 （Samsung） 已按計(jì)劃啟動(dòng)了其位于中國(guó)西安的新閃存工廠，開(kāi)始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:461284 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 據(jù)悉，SK海力士將收購(gòu)所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國(guó)大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Optane存儲(chǔ)部門。對(duì)于英特爾來(lái)說(shuō)，剝離非核心業(yè)務(wù)將有助于其解決芯片技術(shù)困境。
2020-11-16 15:04:573105 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從8月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。 而研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中預(yù)計(jì)，NAND閃存的平均銷售價(jià)格，在明年一季度將環(huán)
2020-12-15 18:04:461882 12月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從8月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。
2020-12-16 09:09:022112 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開(kāi)始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205 寫入問(wèn)題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:563783 EE-279：將NAND閃存與ADSP-2126x SHARC?處理器連接
2021-04-13 17:27:100 EE-302：將ADSP-BF53x Blackfin?處理器連接到NAND閃存
2021-04-27 20:26:500 EE-279將NAND閃存與ADSP-2126x SHARC?處理器接口
2021-06-18 09:21:341 但同樣重要的組件。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)而言之，沒(méi)有它什么都行不通。 ? NAND 閃存控制器，或簡(jiǎn)稱“控制器”，專為不同的接口（如 PCIe、eMMC、SD、SATA 和 USB）而設(shè)計(jì)，具有不同的質(zhì)量和不同的用例。它們的共同點(diǎn)是管理 NAND 閃存上的數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)技術(shù)在過(guò)
2022-09-05 14:42:552559 本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2416 NAND閃存芯片供應(yīng)商現(xiàn)在面臨四到五個(gè)月的庫(kù)存。今年下半年，芯片價(jià)格將迅速下降，季度價(jià)格降幅達(dá)到近20%。
2022-09-27 10:11:581213 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:112256 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:433434 
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位，因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:033113 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:003694 消息人士補(bǔ)充說(shuō)：“盡管
nand閃存價(jià)格上漲，但
中國(guó)存儲(chǔ)器模塊
企業(yè)最近停止了價(jià)格供應(yīng)和訂單。預(yù)計(jì)不久就會(huì)上調(diào)價(jià)格，因此模塊
企業(yè)計(jì)劃
將價(jià)格上調(diào)8至10%?！?/div>
2023-08-18 09:47:251016 ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡(jiǎn)化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及其他需要大容量固態(tài)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中的過(guò)程。
2024-04-03 12:26:2411354 
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過(guò)，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 近日，據(jù)日本媒體報(bào)道，知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠（Kioxia）已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產(chǎn)線開(kāi)工率提升至100%。這一舉措標(biāo)志著鎧俠在經(jīng)歷了長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的減產(chǎn)周期后，其NAND閃存生產(chǎn)已正式恢復(fù)正?；?。
2024-06-18 16:48:511208 NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND閃存和NOR閃存是兩種常見(jiàn)的閃存存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)兩者進(jìn)行詳細(xì)比較。
2024-08-10 16:14:277987 NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來(lái)就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:583368 三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)計(jì)劃，將其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國(guó)政府的壓力而積壓，現(xiàn)預(yù)計(jì)將通過(guò)中國(guó)本土企業(yè)或第三方進(jìn)行出售，過(guò)程預(yù)計(jì)將于2025年正式展開(kāi)。
2024-11-06 14:00:041777 近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過(guò)于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)全年價(jià)格將呈現(xiàn)V型波動(dòng)。 據(jù)TrendForce分析，2025年一季度，NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑13%-18
2025-02-18 11:03:002821 已全部加載完成
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