9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 2019年的10月1日，閃存巨頭東芝存儲(chǔ)公司將公司名稱更名為 Kioxia Corp. 。作為不依賴東芝品牌的閃存和應(yīng)用產(chǎn)品的專業(yè)供應(yīng)商，旗下業(yè)務(wù)開(kāi)始了一段新旅程。 出售東芝記憶體比原計(jì)劃落后一年多
2019-10-17 10:43:2816940 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上
2019-12-13 10:46:0711441 資料來(lái)源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 被東芝（Toshiba）視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來(lái)。
2015-12-22 08:17:04669 全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）將在 2017 年度采用被稱為“納米壓印（Nano-imprint Lithography，NIL）”的新技術(shù)
2016-06-04 09:39:01687 All Programmable 技術(shù)和器件全球領(lǐng)先企業(yè)——賽靈思公司在 2017 年閃存峰會(huì)上展示了可重配置存儲(chǔ)加速解決方案。通過(guò)一系列的演示和介紹，賽靈思及其生態(tài)系統(tǒng)重點(diǎn)展示了用于當(dāng)前和下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的高性能存儲(chǔ)解決方案。
2017-09-20 17:12:473205 制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
器 （NAND Flash)。閃存器于1980 年由在東芝工作的日本工程師 Fujio Masuoka 發(fā)明并獲得 1997 年 IEEE 的獎(jiǎng)勵(lì)。1988 年 Intel 發(fā)布了最早的或非閃存器產(chǎn)品
2023-11-23 09:36:17917 
，重量輕，強(qiáng)度高，定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案，讓記憶承載夢(mèng)想。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在未來(lái)推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來(lái)看，這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤(pán)。它
2020-08-28 18:24:142934 該行業(yè)非常重視單個(gè)ECC代碼的強(qiáng)度：但經(jīng)常被忽視的是錯(cuò)誤預(yù)防的強(qiáng)度，這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的我們?nèi)绾卧诨?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率？您可能已在工程團(tuán)隊(duì)或存儲(chǔ)系統(tǒng)供應(yīng)商之間進(jìn)行過(guò)
2019-08-01 07:09:53
MAX3232EUE+T的比例從62%上升到了80%?！ ∪毡?b class="flag-6" style="color: red">東芝第二季度NAND閃存產(chǎn)品銷售額環(huán)比下降9.5個(gè)百分點(diǎn)。相比之下，美光科技公司NAND閃存芯片的銷售在整個(gè)供貨商中獲得了強(qiáng)勁增長(zhǎng)。同樣，美光與三星都因東芝
2012-09-24 17:03:43
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開(kāi)始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng)， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng)， NAND 可望在近期超過(guò) NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
案例。近日，在FEC研發(fā)團(tuán)隊(duì)的精心籌備下，新的產(chǎn)品體系亦逐漸浮出水面，本次峰會(huì)上新產(chǎn)品成為全場(chǎng)焦點(diǎn)，備受矚目?！ ∈紫?，新的六大產(chǎn)品體系：筷子-互聯(lián)網(wǎng)+PaaS云平臺(tái)、筷捷-互聯(lián)網(wǎng)+SaaS云平臺(tái)、筷域
2018-08-28 13:53:09
認(rèn)為每個(gè)組件都有自己的閃存。您如何看待，我應(yīng)該只使用一個(gè)NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問(wèn)，這意味著FPGA配置文件（.mcs）也存儲(chǔ)在非易失性閃存中，在加電時(shí)，ARM處理器會(huì)自動(dòng)配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
閃存等其他存儲(chǔ)設(shè)備更快。在使用SDIO接口時(shí)，SD NAND的速度更高。其讀取時(shí)延較低，比 SD 卡等其他媒體被訪問(wèn)時(shí)更加實(shí)時(shí)。
內(nèi)置控制器：SD NAND內(nèi)置了控制器，不必額外添置控制器，可以實(shí)現(xiàn)
2024-01-05 17:54:39
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
器芯片自主發(fā)展成為當(dāng)務(wù)之急。2019年NAND市場(chǎng)上還有一個(gè)變數(shù)，雖然它還是初生牛犢，但它是最有可能重塑存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)格局的，那就是中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司2019年會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)3DNAND閃存，跟三星、東芝
2021-07-13 06:38:27
在2019全球閃存峰會(huì)上，Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
有大佬用過(guò)SD NAND嗎？這種存儲(chǔ)拿來(lái)做產(chǎn)品方便嗎，穩(wěn)定性及可開(kāi)發(fā)性怎么樣？在stm32平臺(tái)上使用SDIO接口驅(qū)動(dòng)SD NAND怎么樣？
2022-08-01 10:55:46
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 Hifn在2008英特爾信息技術(shù)峰會(huì)上展示統(tǒng)一存儲(chǔ)平臺(tái)
2008英特爾信息技術(shù)峰會(huì)于8月20日-22日在舊金山莫斯克尼（Moscone Center San Francisco）會(huì)議中心舉行。作為存儲(chǔ)與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)創(chuàng)新
2008-08-23 15:12:58484 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤(pán)將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量?jī)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤(pán)
2010-01-08 17:15:13988 危機(jī)中求生存 東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠
據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，東芝計(jì)劃今年關(guān)閉其國(guó)內(nèi)2個(gè)NAND閃存工廠之一,而把存儲(chǔ)芯片封裝工作全部集中于另一工廠。
2010-02-05 10:01:01480 傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
消息人士周三透露，東芝未來(lái)三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片
2010-02-11 09:06:321434 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲(chǔ)設(shè)備相關(guān)的Linux MTD 子系統(tǒng)NAND 驅(qū)動(dòng)并就與NAND 閃存相關(guān)的文件系統(tǒng)內(nèi)核以及NAND 閃存存儲(chǔ)設(shè)計(jì)所關(guān)注的問(wèn)題如壞塊處理從NAND 啟動(dòng)當(dāng)前2.4 和2.6 內(nèi)核中NA
2011-09-27 10:11:1076 雖然符合新的通用閃存卡（UFS）規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動(dòng)NAND閃存市場(chǎng)引發(fā)新的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，但較舊的嵌入多媒體存儲(chǔ)卡（eMMC）標(biāo)準(zhǔn)在許多手機(jī)和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位
2012-03-30 08:46:141488 據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05670 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品
2012-07-27 17:03:381471 
美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過(guò)20%， 營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距。
2012-09-14 09:34:32877 
東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開(kāi)始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。
2014-05-04 16:00:411264 賽靈思公司在 2015 年閃存存儲(chǔ)器峰會(huì)上展示其閃存存儲(chǔ)器 LDPC 糾錯(cuò) LogiCORE IP All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx, Inc.
2017-02-09 02:25:11612 繼出售家電、醫(yī)療等業(yè)務(wù)之后，東芝重組后的王牌業(yè)務(wù)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)也面臨出售。最新消息顯示，東芝計(jì)劃剝離制造NAND閃存電腦芯片的部門，通過(guò)至多出售19.9%股份獲得外部現(xiàn)金注入，目前富士康、SK海力士、西部數(shù)據(jù)正參與這項(xiàng)競(jìng)購(gòu)。
2017-02-11 11:50:58413 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451320 東芝日前發(fā)布世界首個(gè)基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740 
東芝表示，原型產(chǎn)品已經(jīng)在6月出貨，成品將在下半年上市。同時(shí)，業(yè)內(nèi)將在8月7日開(kāi)幕的閃存峰會(huì)上有幸得以近距離了解產(chǎn)品詳情。
2017-07-11 16:02:23637 東芝閃存芯片
2017-10-17 11:13:3815 據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒(méi)有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會(huì)是東芝的下一個(gè)計(jì)劃。
2017-12-27 14:06:091773 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤(pán)等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 美光、三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開(kāi)端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度?？梢?jiàn)，3D NAND閃存已經(jīng)成為國(guó)際存儲(chǔ)器廠商間的“主戰(zhàn)場(chǎng)”。
2018-07-17 10:34:084865 
閃存存儲(chǔ)持續(xù)走強(qiáng)的推動(dòng)下，閃存存儲(chǔ)廠商將會(huì)獲得快速的發(fā)展。這也會(huì)推動(dòng)閃存存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，迸發(fā)出驚人的潛力，甚至在不遠(yuǎn)的將來(lái)引領(lǐng)世界閃存存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展。本屆GSS18全球閃存峰會(huì)上匯聚了浪潮
2018-07-20 15:51:484154 在2018年開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）美國(guó)峰會(huì)上，東芝存儲(chǔ)的子公司東芝內(nèi)存公司，宣布面向NVme的共享存儲(chǔ)加速軟件KumoScale。
2018-07-25 17:24:56849 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）宣布，將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）。
2018-07-30 17:57:274031 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講，我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道，這次他們的介紹更加詳細(xì)，我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885 2018年8月7日的美國(guó)閃存峰會(huì)（FMS）上，海力士，三星，東芝，西部數(shù)據(jù)，Intel等NAND廠商紛紛發(fā)布QLC架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器或基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品，滿足市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)容量日益激增的需求，那么QLC是什么呢？它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎
2018-08-18 08:34:497064 Altera公司開(kāi)發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。參考設(shè)計(jì)在經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高性價(jià)比單片解決方案中包括
2018-08-24 16:47:00605 中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（China Flash Market Summit）〞展示全系列最新主控芯片解決方案來(lái)滿足全方位巿場(chǎng)需求。
2018-09-19 14:14:313872 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 關(guān)鍵詞：NAND , 閃存 新產(chǎn)品符合JEDEC eMMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn) 東芝公司推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的eMMC
2018-10-13 11:17:01314 關(guān)鍵詞：東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商東芝公司宣布已開(kāi)始采樣64GB的NAND閃存芯片，并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋(píng)果在內(nèi)的許多智能手機(jī)和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02268 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
近日，HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測(cè)，在他看來(lái)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365827 （CITE2019）上展示了企業(yè)級(jí)P8260硬盤(pán)，使用的就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存。長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，目前計(jì)劃進(jìn)展順利，沒(méi)有任何障礙。
2019-04-18 16:18:522080 6月28日，據(jù)外媒體報(bào)道，東芝存儲(chǔ)公司（Toshiba Memory）表示，其位于日本中部的NAND閃存芯片工廠將在7月中旬前恢復(fù)全面生產(chǎn)。
2019-06-29 10:30:345239 FMS 2019閃存峰會(huì)期間，東芝正式推出了XFMExpress標(biāo)準(zhǔn)，用于可移除PCIe NVMe存儲(chǔ)設(shè)備，通俗地說(shuō)可以把SSD做成類似存儲(chǔ)卡的尺寸，同時(shí)依然保持高性能。
2019-08-20 16:40:13475 根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來(lái)的BiCS閃存，以及PLC的NAND開(kāi)發(fā)。
2019-08-26 16:15:583539 作為存儲(chǔ)行業(yè)的實(shí)力代表，東芝HDD經(jīng)常會(huì)在科技展會(huì)上展示最新研發(fā)的存儲(chǔ)技術(shù)或者先進(jìn)的存儲(chǔ)解決方案。
2019-09-08 10:17:08658 第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲(chǔ)）、美光等主要存儲(chǔ)廠商的出貨量均有較大幅度增長(zhǎng)。在此情況下，各大廠商之間加緊了競(jìng)爭(zhēng)卡位，以期在新一輪市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭(zhēng)推進(jìn)到了新的層級(jí)。
2019-12-04 15:46:202717 根據(jù)國(guó)科微官方的消息，國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053 手機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)中用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的NAND閃存問(wèn)世于1987年，首次量產(chǎn)則是在4年之后。當(dāng)年的東芝閃存部門如今已經(jīng)成為新的KIOXIA鎧俠，不過(guò)NAND閃存的工作原理至今沒(méi)有發(fā)生太多的變化。
2020-07-28 14:30:1111215 通常情況下，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 2019年全球市場(chǎng)“主要商品與服務(wù)份額調(diào)查”顯示，用于保存數(shù)據(jù)的NAND型閃存的市場(chǎng)份額排名依舊是三星電子第1、鎧俠（KIOXIA，原東芝存儲(chǔ)器）第2。不過(guò)，眼下中國(guó)企業(yè)開(kāi)始崛起，有可能擠身前列。
2020-09-07 16:18:55801 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SK海力士宣布出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152133 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:182910 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)上
2020-11-20 17:15:443030 NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
在2D10展位共同展示存儲(chǔ)解決方案。 PART1. ? ? ? 隨著新基建和“十四五“數(shù)字經(jīng)濟(jì)規(guī)劃的推進(jìn)，全球數(shù)據(jù)總量爆發(fā)式增長(zhǎng)，企業(yè)的存儲(chǔ)需求在不斷提升。東芝深耕存儲(chǔ)行業(yè)多年，并持續(xù)鉆研數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品，以應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)需求。如年初發(fā)布的MG09 系列，擁有高達(dá)18T
2021-08-10 11:51:004843 美國(guó)加州訊，2022年8月2日—全球NAND閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技(NasdaqGS：SIMO)，今天宣布將于8月2日至4日在美國(guó)加州圣塔克拉拉舉行的閃存峰會(huì)展示一系列專為數(shù)據(jù)中心、筆記本電腦
2022-08-03 11:22:122304 
美國(guó)加州訊，2022年8月2日—全球 NAND 閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技（NasdaqGS: SIMO），今天宣布將于8月2日至4日在美國(guó)加州圣塔克拉拉舉行的閃存峰會(huì)展示一系列專為數(shù)據(jù)中心
2022-08-03 14:52:28415 
今年8月初，SK海力士旗下NAND閃存解決方案提供商Solidigm在閃存峰會(huì)上展示了全球首款正在研發(fā)的PLC（五層單元）SSD。與QLC（四層單元）SSD相比，PLC SSD可在每個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)存儲(chǔ)5bit的數(shù)據(jù)。
2022-08-19 10:27:54780 在全球閃存峰會(huì)FMS2022上， 佰維存儲(chǔ)全方位展示以新品 AP860 Gen4 SSD、C1004系列SSD、SS321系列 SATA?SSD為代表的全系列產(chǎn)品矩陣及先進(jìn)技術(shù)解決方案 ，吸引
2022-08-25 16:55:10379 
存儲(chǔ)背后的大腦：NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的？ ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 ， 當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí) ， 只會(huì)談?wù)?NAND 閃存 ， 而忽略了控制器這一獨(dú)立
2022-09-05 14:42:551452 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒(méi)有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
8月2日至4日,為期3天的全球閃存峰會(huì)FMS2022在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)議中心隆重舉行。FMS為國(guó)際閃存行業(yè)的盛會(huì),佰維存儲(chǔ)自2019以來(lái)已連續(xù)多年參加峰會(huì)。佰維存儲(chǔ)在此次峰會(huì)上全面展示旗下嵌入式
2022-11-08 11:07:04620 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 8月8日-10日， 全球閃存峰會(huì)FMS2023 將在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)議中心隆重舉行。作為國(guó)際閃存行業(yè)的盛會(huì)，F(xiàn)MS2023將展示閃存最新進(jìn)展，聚焦DRAM、DNA數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、UCIe、CXL
2023-07-28 16:35:12278 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買手機(jī)，肯定會(huì)考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:45160 
2024年CFMS閃存市場(chǎng)峰會(huì)成為了全球存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)焦點(diǎn)，三星半導(dǎo)體在此次峰會(huì)上展示的一系列創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。這次峰會(huì)不僅突顯了三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也預(yù)示了未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
2024-03-21 09:58:17147 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論